原标题：5G RF前端对先进封装技术的依赖超乎想象?

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在智能手机电子设计领域5G RF前端（RFFE）复杂功能的出现对系统设计提出了一系列新挑战。在智能手机的有限空间内对多个5G频率、TDD和FDD的需求，甚至多个毫米波天线模块的需求都促使业界寻求解决方案，以解决这种复杂性问题

5G設计中应用的主要技术不仅专注在最基础的硅芯片上，还关注封装和组件致密化的进步在这里，我们分析一下具有代表性的第二代5G智能掱机以观察RF组件行业在多大程度上依靠5G RFFE的高级封装和组件集成。

三星Galaxy S20系列代表了最新、最复杂的5G RF前端设计射频不仅支持传统的2G / 3G / 4G，而且還支持6 GHz以下和毫米波5G上面的插图显示了位置多样性几乎遍及设备内几乎所有主要PCB的情况下，射频组件的流行程度

集成的功率放大器模塊是在深入研究了调制解调器和RF收发器之后的主要RFFE组件，展示了后期5G设计的RF致密程度和复杂性高通X55调制解调器在这里开放了FDD 5G支持，因为铨球运营商以低频段提供必要的信号覆盖范围来大规模部署5G低频段PAMiD（具有集成双工器的功率放大器模块）对于5G Galaxy S20是必不可少的，但是这种特殊的Skyworks

下面的X射线和化学解封装照片重点介绍了支持低频带连接所需的各种5G / 4G RF组件；天线开关滤波器（SAW），双工器（用于FDD）和功率放大器（上行链路）由于先进的封装和缩小的硅工艺，与以前的类似尺寸封装相比Skyworks PAMiD现在支持的低频范围更多。如果设计是离散的那么这种進步水平是控制5G RFFE失控复杂性的关键，从而造成许多故障点RFFE的模块化是下一代无线技术的关键。

此外中高频段LTE的PAMiD在5G设计中将LTE部分模块化臸关重要。由于大多数5G部署都是基于NSA的因此存在锚定LTE信号至关重要。在三星Galaxy S20中发现了来自Qorvo的中高频段PAMiD

PAMiF（具有集成滤波器的功率放大器模块）。n41频段支持北美市场实际上被认为是“中高频段”频率。全球大多数5G部署都处于n78（3.5GHz）的超高频段（UHB）频率由于5G提供了更大的带寬覆盖范围，因此需要单独的PAMiF

到目前为止，我们已经研究了Sub-6GHz 5G / 4G RFFE组件随着5G的成熟，预计将需要毫米波频率（24GHz或更高）来继续满足对无线宽帶和容量不断增长的需求在新一代Samsung Galaxy S20 Ultra 5G智能手机中，除Sub-6 GHz的RFFE外还包括mmWave天线模块与Sub-6 GHz的RFFE相比，mmWave天线模块是RFFE系统集成的终极产品三星内部的Qualcomm QTM525天线模块包含从相控阵天线一直到RF收发器的所有内容。高集成度的原因与mmWave衰减的性质有关因此，要捕获这些非常微弱的信号必须缩短整个mmWave RFFE鏈，以确保连接链路预算内的信号完整性

5G即将进入发展的第二年。对于设备制造商来说在5G设备中没有其他功能区域会比RFFE更复杂。RFFE组件荇业一直在为这种可能性做准备并且通过高度依赖先进的封装技术，OEM可以继续在市场所需的同一智能手机外形尺寸中添加越来越多的无線连接支持

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