能不能用n沟道和p沟道MOS管控制板来控制新能源汽车的iGBT

华大半导体最新发布国内首款车規级隔离型IGBT栅极驱动芯片填补了国内隔离型栅极驱动芯片的空白。

本产品采用磁隔离技术具备更低的延迟,更低功耗和更高可靠性適用于新能源车电驱、电力输配电、光伏发电、大型电机控制等领域的IGBT驱动。

目前该产品已经通过电驱动公司和一些新能源车公司的测试

▲小于115ns的传播延时;

▲小于±20 ns的脉冲宽度失真;

▲高共模瞬态抑制能力:>50kV/μs;

▲集成丰富的保护功能:具备软关断、退饱和检测(DESAT)、囿源米勒电流钳位、欠压锁定保护(UVLO)、故障反馈输出(DESAT & UVLO)等多种保护功能;

▲30V的宽输出电源范围、且支持双极性或单极性电源供电设计;

▲兼容TTL的输入端口;

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人不代表电子发烧友網立场。文章及其配图仅供工程师学习之用如有内容图片侵权或者其他问题,请联系本站作侵删 

我要回帖

更多关于 n沟道和p沟道 的文章

 

随机推荐