今天前脚三星电子宣布量产512GB eUFS3.0闪存芯片，后脚东芝就发布了eMMC 5.1一场存储大战一触即发。

至于读写性能三星表示其eUFS3.0芯片连续读取速度可达2100MB/s，是现有eUFS 2.1速度的两倍有余也是普通SD卡速度的20多倍。另外eUFS3.0芯片随机读写性能分别为63000IOPS/68000IOPS

三星电子表示，将会积极提升512GB与128GB eUFS 3.0闪存芯片产能计划下半年开始供应1TB与256GB规格的eUFS 3.0闪存芯爿，目前该芯片已被用于三星折叠屏手机ufs芯片Galaxy Fold

几乎与三星同时，东芝也宣布推出符合JEDEC eMMC 5.1规范的嵌入式闪存今年第三季度大规模出货。该產品使用的是BiCS Flash闪存颗粒可以在更小的体积下存储更多的数据，同时也有着更低的功耗适合在便携设备上使用。封装尺寸为11.5mm×13mm×1mm可在-25℃~85℃之间的温度正常工作。虽然东芝并未公布该闪存的具体性能不过表示将提供16GB、32GB、64GB和128GB四种不同容量的版本可选。

eMMC 5.1的性能逊色于eUSF 3.0但优勢在于价格和功耗更低，对主流手机ufs芯片更为适用