谁有比较清楚的异质结的简单结构图图呀

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2020-06-15 01:16 标签： 简单结构图

有外加偏压时： 什么是Anderson 定则 异質结能带有几种突变形式？ 尖峰的位置与掺杂浓度的关系是什么 同质结和异质结的电势分布有何异同？ 同型异质结有哪些特点 3.1节 （3.1.1）能带图 （3.1.2）突变反型异质结的接触电势差及势垒区宽度 （3.1.3）突变同型异质结 （3.1.4）几种异质结的能带图 （3.1.5) 尖峰的位置与掺杂浓度的关系 第三嶂 异质结的能带图 should be aligned 不考虑界面态时的能带简单结构图 (一）能带图 由电子亲和能、禁带宽度、导电类型、掺杂浓度决定 A 突变反型 x1 x2 DEc DEv EF Ev EC EF Eg1 Eg2 f1 f2 未组成异质結前的能带图 1 2 1异质结的带隙差等于导带差同价带差之和。 2导带差是两种材料的电子亲和势之差 3而价带差等于带隙差减去导带差。 x1 x2 DEc DEv EC2 Eg1 Ev2 Ec1 Ev1 n-GaAs P-GaAs p n 当两种單晶材料组成在一起构成异质结后它们处于平衡态，费米能级应当相同 为了维持各自原有的功函数?和电子亲和势?不变，就会形成空间電荷区在结的两旁出现静电势，相应的势垒高度为eVDe为电子电荷，VD为接触电势 它等于两种材料的费米能级差： EC EF2 Eg2 Eg1 EF1 Eg1 EF1 EC EF2 根据半导体物理理论，這种分离效应可以有效抑制材料载流子的俄歇复合任何光子探测器，随着温度的升高最终的效率极限都将是材料中载流子的俄歇复合。目前最好的红外探测器材料碲镉汞的最终性能极限就是载流子的俄歇复合如果禁带错位型类超晶格简单结构图如预期的那样能将电子、空穴物理分离，实现对俄歇复合的有效抑制 InAs GaSb 电子从一种半导体大量流入到

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