如图所示为译码器和ROM（只读存储器有哪些）与CPU系统的连接电路图；指出各ROM的地址空间（要有分析过

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2020-06-21 07:26 标签： 只读存储器有哪些

1.只读存储器有哪些ROM有如下几种类型：＿＿＿＿

2.半导体存储器的主要技术指标是＿＿＿＿。

答案：存储容量、存储速度、可靠性、功耗、性能/价格比

3.在16位微机系统中一個存储字占用两个连续的8位字节单元，字的低8位存放在＿＿＿＿、高8位存放在＿＿＿＿

答案：低地址单元、高地址单元

4.SRAM芯片6116（2K×8B）有＿＿＿＿位地址引脚线、＿＿＿＿位数据引脚线。

5.在存储器系统中实现片选控制有三种方法，它们是＿＿＿＿

答案：全译码法、部分译碼法、线选法

6.74LS138译码器有三个“选择输入端”C、B、A及8个输出端，当输入地址码为101时输出端＿＿＿＿有效。

7.半导体静态存储器是靠＿＿＿＿存储信息半导体动态存储器是靠＿＿＿＿存储信息。

答案：触发器电荷存储器件

8.对存储器进行读/写时地址线被分为＿＿＿＿和＿＿＿＿两部分，它们分别用以产生＿＿＿＿和＿＿＿＿信号

答案：片选地址片内地址芯片选择片内存储单元选择

A.16条地址线、2条数据线

B.8条地址線、1条数据线

C.16条地址线、1条数据线

D.8条地址线、2条数据线

分析：从芯片容量（64K×1B）来看，有64K个编址单元应有16条地址线（216=64K）。但DRAM芯片集成度高、容量大、引脚数量不够一般输入地址线采用分时复用锁存方式，即将地址信号分成二组、共用一组线分两次送入片内。而2164却有二條数据线一条作为输入，一条作为输出

2．8086能寻址内存贮器的最大地址范围为（）。

分析：8086有20条地址总线A0～A19它可以表示220=1M个不同的状态。

3．若用1K×4的芯片组成2K×8的RAM需要（）片。

分析：2片（1K×4）一组构成1K×8的RAM所以需要4片。

4．某计算机的字长是32位它的存储容量是64K字节，若按字编址它的寻址范围是（）。

分析：因字长是32位4个字节才能构成一字单元，若按字编址则64KB÷4B=16K

5．采用虚拟存储器的目的是（）。

B. 擴大外存的存储空间

4.2 读写存储器RAM 一、RAM的原理(主要介绍SRAM靜态RAM) SRAM主要由存储体和外围电路构成如下图 1、存储体 是存储0或1信息的电路实体它由许多存储单元组成，每个存储单元赋予一个编号称为單元地址号。而每个单元由若干个二进制位组成每个二进制位为一个基本存储电路。例：1K*8位存储器容量为1024*8位，它有1024个存储单元每个存储单元可以存储8位二进制数。 二、动态存储器DRAM 1、基本存储单元 （2）项目说明：项目需要系统地址总线20位（A0～A19）,数据总线8位（D0～D7）控制信号为RD、WD、M/I0。 ①需要存储芯片数及地址信号线的分配 ●8KB ROM需要2片2732构成 ●地址信号线的分配 ②地址范围确定 用74LS138作片选译码器，其输入、输出信号的连接要根据存芯片的地址范围来确定 3．项目电路原理图 EEPROM是一种新型的ROM器件，也是近年来被广泛应用的一种可用电擦除和编程的只讀存储器有哪些其主要特点是能在应用系统中进行在线读写，并在断电情况下保存的数据信息不会丢失它既能象RAM那样随机地进行改写，又能象ROM那样在掉电的情况下非易失地保存数据可作为系统中可靠保存数据的存储器。其擦写次数可达1万次以上数据可保存10年以上，使用起来比EPROM要方便的多另外，EEPROM可以清除存储数据和再编程 由于EPROM操作的不便，后来出的主板上BIOS ROM芯片大部分都采用EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM电可擦除可编程ROM)。EPROM嘚擦除不需要借助于其它设备它是以电子信号来修改其内容的，而且是以Byte为最小修改单位不必将资料全部洗掉才能写入，彻底摆脱了EPROM Eraser囷编程器的束缚；字节的编程和擦除都只需要10msEEPROM在写入数据时，仍要利用一定的编程电压此时，只需用厂商提供的专用刷新程序就可以輕而易举地改写内容所以，它属于双电压芯片 Intel公司生产的28系列EEPROM是电可擦除只读存储器有哪些，即可像RAM哪样可读可写又具有ROM在掉电后仍能长期保持所存储的数据，因此它被广泛用作单片机的程序存储器和数据存储器。常用的EEPROM的芯片引脚和容量如表4-3所示芯片管脚和封裝如图4-11所示。EEPROM共同特点是： ● 单一的+5V电源供电用+5 V电可擦除可写入。 ● 使用次数为1万次信息保存时间为10年。 ●D0～D7：双向三态数据总线囿时也用I/O0～I/O7表示。 ●CE：片选线低电平有效。 ●OE：读选通线低电平有效。 ●WE:写选通线低电平有效。 ●RDY/BUSY：2817A的状态输入线低电平表示在寫操作，高电平表示准备好接收数据 ●VCC：电源线，接+5V电源 ●NC：空。 ●GND：接地 4 闪速只读存储器有哪些FLASH ROM 闪速存储器 (Flash ROM)：是一种新型快擦写存储器，既可在不加电的情况下长期保存信息又能在线进行快速擦除与重写，兼备了 ROM 和 RAM 的优点对于需要实施代码或数据更新的嵌入性應用是一种理想的存储器，而且它在固有性能和成本方面有较明显的优势 FlashROM是一种新型的电

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