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本征半导体:完全纯净、结构完整的半导体晶体称为本征半导体

在外部能量激励下产生本征激发,成对产生电子和空穴;

电子和空穴均为载流子空穴是一种带正电的粒子;

温度越高,电子和空穴对的数目越多

N型半导体:电子是多子,空穴是少子;还有不能自由移动的正离子

P型半导体:空穴是多子,电子是少子;还有不能自由移动的负离子

PN结及其单向导电性(正反接法,特点)

二极管的伏安特性(画伏安特性曲线)

类型:NPN型、PNP型;硅管、锗管

三种工作状态:(特例NPN型)

放大状态:发射结正向偏置,集电结反向偏置;(U BE>0,U BC

截止状态:发射和集电结均反向偏置;(U BE

放大區:晶体管于放大状态i c= i b有放大作用;

饱和区:晶体管工作于饱和状态,i c主要受的影响u ce无放大作用;

截止区:晶体管工作于截止状态,i c≈0,无放大作用

基本放大电路的组成原则:

直流偏置:发射结正向偏置,集电极反向偏置;

信号的输入和输出:信号源及负载接入放大电蕗时就不影响晶体管原有的直流偏置,仍应保持发射结正偏集电结反偏。要求隔“直”又能使信号顺利通过。

放大电路的主要性能指标有:电压放大倍数AU、输入电阻Ri输出电阻Ro,频带宽度fbw全谐波失真度D及动态范围Uop-p等。

估算法:也称近似计算法用于静态工作点的计算。分析过程为:画直流通路由直流通路列出输入回路的直流负载方程,并设UBEQ值(硅管(NPN)为0.6V或0.7V锗管(PNP)为0.2V,0.3V)代入方程,求出静態工作点

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