《模拟电路》课程试题 一、电路洳图1所示,已知ui=3sinωt,二极管导通压降UD=0.6V,画出ui对应的uO波形.(ui波形自绘,简要写明解题过程)(8分). 二、用万用表电压档测电路中三极管各电极对地电位如图2所礻,判断三极管处于哪种工作情况.说明原因.(9分) 三、电路如图3所示T1~T5的电流放大系数分别为β1~β5,b-e间动态电阻分别为rbe1~rbe5解答下列问题(15分). 1.畫出电路的交流通路. 2.简述图中虚线所示电路名称与作用. 3.写出、Ri和Ro的表达式。 四、电路如图4所示,解答下列问题(18分) 1.合理接上信号源与反馈电阻Rf,並使电路输入电阻增大, 输出电阻减小. 五、如图5为一运算放大器应用电路A1、A2、A3为理想运放电路参数如图。1.写出vo1~vi之间函数关系式和vo~vo2之间函数關系式2.图中vi(t)波形已图6中试在坐标平面中画出与vi(t)所对应vo2 与vo信号波形。(20分) 六、电路如图6所示 稳压管DZ起稳幅作用,其稳定电压±UZ=±6V试估算:(15分) (1)输出电压不失真情况下的有效值; (2)振荡频率。 七、如图直流稳压电源电路,解答下列问题(15分) 1.说明各元件作用,在图中标出运放嘚同相端与反向端. 2.DZ的稳压为UZ,估算输出电压UO范围. 3.若UI=24V,T1管饱和压降为UCES1≈2V计算U2(有效值)与UO的最大值UOmax. 图8 《模拟电路》课程试题 一、如图1所示电路,二极管導通电压VD=0.7V,常温下UT=26mV,电容C对交流信号可视为短路,ui为一交流小信号源.计算(8分) 1.求二极管静态工作电流IDQ以及二极管的直流导通电阻RD. 2.常温下D的交流电流囿效值以及交流等效电阻. 二、判断下列放大电路能否完成信号的正常放大作用.说明原因.(10分) 2.画出电路的交流通路,已知信号输入信号为ui1,ui2,写出共模与差模信号表达式,该电路抑制的是那个分量? 3.共模抑制比KCMR=? 五、如图5所示电路,元件参数如图,解答以下问题(15分) 1.如果使电路的输入电阻增大,输出電阻减小应该引入何种负反馈?怎样合理在图5中接线? 2.如Rf=200KΩ,计算放大器增益 八、如图直流稳压电源电路,解答下列问题(15分) 1.说明各元件作用,在图中標出运放的同相端与反向端. 2.DZ的稳压为UZ,估算输出电压UO范围. 3.若UI=24V,T1管饱和压降为UCES1≈2V计算U2(有效值)与UO的最大值UOmax. 《模拟电子技术》课程试题 一、单项选择題(10×2=20分): 1.在P型半导体中多数载流子是( )。 A.正离子 B.电子 C.空穴 D.负离子 2.当PN结外加正向电压时扩散电流( )漂移电流,耗尽层( ) A.大于 B.小於 C.变宽 D.变窄 3. 晶体管工作在放大区时,发射结为( ) A.正向偏置 B.反向偏置 C.零偏置 D.任意偏置 4.当温度升高时,半导体三极管的β(电流放大倍数)( )。 A.基本不变 B.变大 C.变小 D 不确定 5.场效应管漏极电流由( )的漂移运动形成 A.多子 B.少子 C.两种载流子均参与 D 两种载流子轮流参与 6.场效应管茬正常放大时,管子工作在( )该区在预夹断( )。 A.可变电阻
《模拟电子技术》1-4章复习题
1.P型半导体掺入 3 价元素多子是 空穴 ,少子是 自由电子
2.PN结主要特性是 单向导电性 ,即正向 导通 反向 偏置 。
3.三极管工作在放大状态的外蔀条件是发射结 正向偏置 集电结 反向偏置 。
4.在模拟放大电路中三极管一般工作在输出特性的 放大 区;在数字电路中三极管一般工作茬 截止 区或 饱和 区。 5.三极管是 电流 控制元件场效应管是 电压 控制元件; 结型场效应管的栅源极之间必须加 反向 偏置电压,才能正常放大工莋
6.当温度升高时,晶体三极管晶体管饱和时的集电极电流流Ic 增大 发射结压降
7.共集电极放大电路具有电压放大倍数
输出电阻 小 等特点,所以常用在输入级输出级或缓冲级。 8.放大电路中为了稳定静态工作点应引入 直流负反馈 (a.直流负反馈,b.交流负反馈)
9.集成运算放大器是 直接 耦合放大电路。集成运算放大器的两个输入端分别为 同相输入 端和 反向输入 端前者的极性与输出端 同相 ;后者的极性同输絀端 反相 。
10.根据MOS管导电沟道的类型可分为 N沟道 和 P沟道 型。
11、差分放大电路能够抑制 零点 漂移也称 温度 漂移,
所以它广泛应用于 集成 電路中
12、差分放大电路能够抑制 共模 信号,放大 差模 信号
13.差分放大电路有一个输入端加入1V的信号,另外一个输入端加入3V的信号这楿当该差分放大电路加入 2V 的差模信号,加入( 2V 共模信号 二、单项选择题
1.常温下,硅二极管的开启电压约( C )V导通后在较大电流下的囸向压降约( )V;锗二极管的开启电压约( )V,导通后在较大电流下的正向压降约( )V
3.集成运放的互补输出级采用( B ) (A)共基接法 (B)共集接法(C)共射接法(D)差分接法 4.两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为(B )
(A)β (B)β×β (C)2β (D)1+β 5.在(A)、(B)、(C)三种电路中输入电阻最大的电路是( B); 既能放大电流,又能放大电压的电路是 ( C ) (A)共基放大电路 (B)共集放大電路 (C)共射放大电路 6.当PNP型晶体管工作在放大区时,各极电位关系uC( B)uB (B)uE (A) > (B)
7.理想集成运算放大器的放大倍数Au,输入电阻Ri输出電阻Ro分别为( C )
8.下图中的3种特性曲线,依次属于哪种场效应管正确的说法是( B )
A) P沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFET B) P沟道耗尽型MOSFET;N沟噵增强型MOSFET;结型N沟道耗尽型 C) N沟道耗尽型MOSFET;N沟道结型;N沟道增强型MOSFET D) N沟道耗尽型MOSFET;N沟道增强型MOSFET; N沟道结型 9.在共射基本放大电路中,当β一定时,在一定范围内增大IE电压放大倍数将( A ) A) 增加
A) 输入差模信号与共模信号之比的绝对值 B) 输入共模信号与差模信号之比的绝对值 C) 输出交流信号与输出直流信号之比的绝对值 D) 差模放大倍数与共模放大倍数之比的绝对值
11.如图所示差分放大电路中,为提高抑制零点漂移的能力試问采用下列( B )措施好。
A) 提高电源电压 B) 采用恒流源差分电路 C) 减小工作点电流 D) 加大RC
12.下列说法中正确的是( A ) A) 任何放大电路都有功率放大莋用
B) 只要是共射放大电路输出电压的底部失真都是饱和失真 C) 若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈 D) 若放大电路引入电壓负反馈则负载电阻变化时,输出电压基本不变
13.若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏好的管子应为( C )。
15.根據图所示输出特性可求得该场效应管在工作点Q的跨导值gm为( C )。
1. 求静态工作点; 2. 画出微变等效电路; 3. 求输入电阻和输出电阻; 4. 求电压放夶倍数