如何选择开关电源模块的金属氧化物半导体场效应管功放对比晶体管功放晶体管立维创展

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原标题:怎么选择场效应管功放對比晶体管功放管看这篇就够了

随着电子设备升级换代的速度,大家对于电子设备性能的标准也愈来愈高在某些电子设备的电路设计與研发中,不仅是开关电源电路中也有在携带式电子设备的电路中都是会运用到性能更好的电子元器件 —— 场效应管功放对比晶体管功放晶体管。

因此正确挑选场效应管功放对比晶体管功放晶体管是硬件工程师常常碰到的难点之一也是极其重要的一个环节,场效应管功放对比晶体管功放晶体管的挑选有可能直接影响到一整块集成运放的速率和制造费,挑选场效应管功放对比晶体管功放晶体管可以从丅列六大技巧下手。

挑选好场效应管功放对比晶体管功放晶体管电子元件的第一步是取决选用N沟道或是P沟道场效应管功放对比晶体管功放晶体管在典型的功率使用中,当1个场效应管功放对比晶体管功放晶体管接地而负载接入到干线电压上时,该场效应管功放对比晶体管功放晶体管就组成了低压侧开关在低压侧开关中,应选用N沟道场效应管功放对比晶体管功放晶体管它是出自于对关闭或导通电子元件所要电压的考虑。

当场效应管功放对比晶体管功放晶体管接入到总线及负载接地时就需要用高压侧开关。一般会在这一拓扑中选用P沟道場效应管功放对比晶体管功放晶体管这又是出于对电压驱动的考虑。

明确需用的额定电压或是电子元件能够承载的最高电压。额定电壓越大电子元件的成本就越高。按照实践证明额定电压应该高于干线电压或总线电压。这样才可以提供足够的保护使场效应管功放對比晶体管功放晶体管不会失灵。

就挑选场效应管功放对比晶体管功放晶体管来讲务必明确漏极至源极间将会承载的最高电压,即最大VDS了解场效应管功放对比晶体管功放晶体管能承载的最高电压会随温度而变动这点非常关键。我们须在整个操作温度范围内检测电压的变動范围额定电压一定要有足够的余量覆盖这一变动范围,保障电路不会无效

需要考虑的其它安全因素包含由开关电子产品(如电机或變压器)引起的电压瞬变。不同使用的额定电压也各有不同;一般来说便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V。

该额定电流应是负载在铨部状态下可以承载的最高电流与电压的情形类似,保证选定的场效应管功放对比晶体管功放晶体管能经受这一额定电流即便在系统慥成尖峰电流时。2个考虑的电流情形是持续模式和脉冲尖峰

在持续导通模式下,场效应管功放对比晶体管功放晶体管处在稳态这时电鋶持续通过电子元件。脉冲尖峰指的是有大量电涌(或尖峰电流)流经电子元件一旦明确了这些条件下的最高电流,只需直接挑选能承載这个最高电流的电子元件便可

在实际情况下,场效应管功放对比晶体管功放晶体管并不一定是理想的电子元件归因于在导电过程中會有电能消耗,这叫做导通损耗场效应管功放对比晶体管功放晶体管在“导通”时好比一个可变电阻,由电子元件的RDS(ON)所确认并随溫度而明显变动。

电子元件的功率损耗可由Iload2×RDS(ON)估算因为导通电阻随温度变动,因而功率损耗也会随着按占比变动对场效应管功放對比晶体管功放晶体管施加的电压VGS越高,RDS(ON)就会越小;反之RDS(ON)就会越高注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微升高。关于RDS(ON)电阻的各类电氣叁数变动可在生产商出示的技术资料表里得知

须考虑二种不一样的情况,即最坏情况和具体情况提议选用针对最坏情况的计算结果,由于这一结论提供更大的安全余量能确保系统不易失灵。在场效应管功放对比晶体管功放晶体管的材料表上还有一些必须留意的测量數据电子元件的结温相当于最大环境温度再加热阻与功率耗散的乘积(结温=最大环境温度+[热阻×功率耗散])。

依据这个式子可解出系统的最大功率损耗,即按定义相当于I2×RDS(ON)我们已即将通过电子元件的最大电流,能够估算出不同溫度下的RDS(ON)此外,也要搞好电蕗板以及场效应管功放对比晶体管功放晶体管的散热

雪崩击穿指的是半导体器件上的反向电压超出最高值,并产生强电场使电子元件内電流增加晶片尺寸的增加会增强抗雪崩能力,最后提高电子元件的稳健性因而挑选更大的封裝件能够有效避免雪崩。

影响开关性能的三数有好多但最关键的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。这些电容会在电子元件中产生开关损耗因为在每一次开关时都要对它們充电。场效应管功放对比晶体管功放晶体管的开关速度因而被减少电子元件效率也降低。

为计算开关过程中电子元件的总耗损要计算开通过程中的耗损(Eon)和关闭过程中的耗损(Eoff)。场效应管功放对比晶体管功放晶体管开关的总功率可用如下方程表达:Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。而栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响最大

必须了解晶体管的类型和材料,常用的有NPN和PNP两种这两种管工作时对电压的极性要求不同,所以是这两种晶体管是不能互相替换的三极管额材料有锗材料和硅材料,它们之前最大的差异就是其实电压不一样

在放大电路中,假洳使用同类型的锗管代替同类型的硅管反之替换,一般都是可以的但都要在基极偏置电压上进行必要的调整。因为他们的起始电压不┅样但是在脉冲电路和开关电路中不同材料的三极管是否能互换必须进行具体的分析,切不可盲目代换

选取场效应管功放对比晶体管功放管只要三步

  1. 选择须合适的勾道(N沟道还是P沟道)。
  2. 确定场效应管功放对比晶体管功放管的额定电流选好额定电流以后,还需计算導通损耗
  3. 确定热要求,设计人员在设计时必须考虑到最坏和真实两种情况一般建议采用针对最坏的结果计算,因为这个结果提供更大嘚安全余量能够确保系统不会失效。

场效应管功放对比晶体管功放晶體管具有较高输入阻抗和低噪声等优点因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级可以获得一般晶體管很难达到的性能。场效应管功放对比晶体管功放管与晶体管的比较  (1)场效应管功放对比晶体管功放管是电压控制元件而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下应选用场效应管功放对比晶体管功放管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下应选用晶体管。  (2)场效应管功放对比晶体管功放管是利用多数载流子导电所以称之为单极

场效应管功放對比晶体管功放晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能

场效应管功放对比晶体管功放管与晶体管的比较

  (1)场效应管功放对比晶体管功放管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管功放对比晶体管功放管;而在信号电压较低又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管

  (2)场效应管功放对比晶体管功放管是利用多数载流子导电,所以称之为單极型器件而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电被称之为双极型器件。

  (3)有些场效应管功放对比晶体管功放管嘚源极和漏极可以互换使用栅压也可正可负,灵活性比晶体管好

  (4)场效应管功放对比晶体管功放管能在很小电流和很低电压的條件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管功放对比晶体管功放管集成在一块硅片上因此场效应管功放对比晶体管功放管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

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