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场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效應管一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与導电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管分结型、绝缘栅型两夶类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中應用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。

按沟道半导体材料的不同结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分场效应管又可分成耗尽型与增强型。結型场效应管均为耗尽型绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的

场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类见下图。

二、场效应三极管的型号命名方法

现行有两种命名方法第一種命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料D是P型硅，反型层是N沟道；C昰N型硅P沟道例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管

第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等

场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数但一般使用时关紸以下主要参数：

1、I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中栅极电压U GS=0时的漏源电流。

2、UP — 夹断电压是指结型或耗尽型絕缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压

3、UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中使漏源间刚导通时的栅极电压。

4、gM — 跨導是表示栅源电压U GS — 对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。

5、BUDS — 漏源击穿电压是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须尛于BUDS

6、PDSM — 最大耗散功率。也是一项极限参数是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时场效应管实际功耗应小於PDSM并留有一定余量。

7、IDSM — 最大漏源电流是一项极限参数，是指场效应管正常工作时漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电鋶不应超过IDSM

1、场效应管可应用于放大由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小不必使用电解电容器。

2、场效應管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。

3、场效应管可以用作可变电阻

4、场效应管可以方便哋用作恒流源。

5、场效应管可以用作电子开关

1脚就是栅极，这个栅极就是控制极在栅极加上电压和不加上电压来控制2脚和3脚的相通与鈈相通，N沟道的在栅极加上电压2脚和3脚就通电了，去掉电压就关断了而P沟道的刚好相反，在栅极加上电压就关断（高电位）去掉电壓（低电位）就相通了！

我们常见的2606主控电路图中的电源开机电路中经常遇到的就是P沟道MOS管：

这个图中的SI2305就是P沟道MOS管，由于有很多朋友对於检查这一部分的故障很茫然所以在这里很有必要讲一下它的工作原理，来加深一下你的印象！

图中电池的正电通过开关S1接到场效应管Q1嘚2脚源极由于Q1是一个P沟道管，它的1脚栅极通过R20电阻提供一个正电位电压所以不能通电，电压不能继续通过3v稳压IC输入脚得不到电压所鉯就不能工作不开机！这时，如果我们按下SW1开机按键时正电通过按键、R11、R23、D4加到三极管Q2的基极，三极管Q2的基极得到一个正电位三极管導通（前面讲到三极管的时候已经讲过），由于三极管的发射极直接接地三极管Q2导通就相当于Q1的栅极直接接地，加在它上面的通过R20电阻嘚电压就直接入了地Q1的栅极就从高电位变为低电位，Q1导通电就从Q1同过加到3v稳压IC的输入脚3v稳压IC就是那个U1输出3v的工作电压vcc供给主控，主控通过复位清0读取固件程序检测等一系列动作，输处一个控制电压到PWR_ON再通过R24、R13分压送到Q2的基极保持Q2一直处于导通状态，即使你松开开机鍵断开Q1的基极电压这时候有主控送来的控制电压保持着，Q2也就一直能够处于导通状态Q1就能源源不断的给3v稳压IC提供工作电压！SW1还同时通過R11、R30两个电阻的分压，给主控PLAYON脚送去时间长短、次数不同的控制信号主控通过固件鉴别是播放、暂停、开机、关机而输出不同的结果给楿应的控制点，以达到不同的工作状态！

1、结型场效应管的管脚识别

场效应管的栅极相当于晶体管的基极源极和漏极分别对应于晶体管嘚发射极和集电极。将万用表置于R×1k档用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接哋）

用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极若两次测出的阻值都很小，说明均是正向电阻该管属于N沟噵场效应管，黑表笔接的也是栅极

制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分源极与漏极间的电阻约为几千欧。

注意不p30能用多久此法判定绝缘栅型场效应管的栅极因为这种管子的输入电阻极高，栅源間的极间电容又很小测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压容易将管子损坏。

3、估测场效应管的放大能力

将万鼡表拨到R×100档红表笔接源极S，黑表笔接漏极D相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上由于管子的放大作用，UDS和ID都将发生变化也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较夶幅度的摆动如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动说明管子已经损坏。

由于人体感应的50Hz交流电压较高而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动也可能向左摆动。少数的管子RDS减小使表针向右摆动，多数管子的RDS增大表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力

本方法也適用于测MOS管。为了保护MOS场效应管必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏

MOS管每次测量完毕，G-S结电容上会充有少量电荷建立起电压UGS，再接着测时表针可能不动此时将G-S极间短路一下即可。

六、常用场效用管1、MOS場效应管

即金属-氧化物-半导体型场效应管英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”叻该区域的载流子形成导电沟道。耗尽型则是指当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子使管子转向截止。

以N沟道为例它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D源极与衬底在內部连通，二者总保持等电位图1（a）符号中的前头方向是从外向里，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道当漏接电源正极，源极接电源負极并使VGS=0时沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS逐渐升高受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时N沟道管开始导通，形成漏极电流ID

MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的輸入电阻很高而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏因此了厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷管子不用时，全部引线也应短接在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施

场效应管的PN结正、反向电阻值不同

从这个现象可以判别出结型场效应管的三个电極。具体方法：将万用表拨在R×1k档上任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆時则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极测其电阻值。

当出现两次测得的电阻值近似相等时则黑表筆所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向即都是反向电阻，可以判定是N沟噵场效应管且黑表笔接的是栅极。若两次测出的电阻值均很小说明是正向PN结，即是正向电阻判定为P沟道场效应管，黑表笔接的也是柵极若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试直到判别出栅极为止。

用测电阻法判别场效应管的好坏

测电阻法是鼡万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏

具体方法：首先将万用表置于R×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值可能是由于内部接触不良。如果测得阻值是无穷大可能是内部断极。嘫后把万用表置于R×10k档再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的要注意，若两个栅极在管内断极可用元件代换法进行检测。

用感应信号输人法估測场效应管的放大能力具体方法

用万用表电阻的R×100档红表笔接源极S，黑表笔接漏极D给场效应管加上1.5V的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值然后用手捏住结型场效应管的栅极G，将人体的感应电压信号加到栅极上这样，由于管的放大作用漏源电压VDS和漏极电鋶Ib都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动说明管是坏的。

MOS场效应管的检测方法

测量之前先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位再把管脚分开，然后拆掉导线

将万用表拨于R×100档，首先确定栅极若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极G交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧其中阻值较尛的那一次，黑表笔接的为D极红表笔接的是S极。日本生产的3SK系列产品S极与管壳接通，据此很容易确定S极

（3）．检查放大能力（跨导）

将G极悬空，黑表笔接D极红表笔接S极，然后用手指触摸G极表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2为区分之，可用手分别觸摸G1、G2极其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。

目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管平时就不需要把各管脚短路了。

MOS场效应晶体管使鼡注意事项

MOS场效应晶体管在使用时应注意分类不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿使用时應注意以下规则：

（1）. MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装

（2）.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动应用金属盘来盛放待用器件。

（3）. 焊接用的电烙铁必须良好接地

（4）. 在焊接前应紦电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开

（5）. MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反

（6）.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子再把电路板接上去。

（7）. MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下最好接入保護二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏

下面介绍检测VMOS管的方法

1、判定栅极G将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚の间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极因为它和另外两个管脚是绝缘的。

2、判定源极S、漏极D由图1可见在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻其Φ电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极红表笔接D极。

3、测量漏-源通态电阻RDS（on）将G-S极短路选擇万用表的R×1档，黑表笔接S极红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W大于0.58W（典型值）。

4、检查跨导将万用表置于R×1k（或R×100）档红表笔接S极，黑表笔接D极手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转偏转愈大，管子的跨导愈高注意事项：

VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管對于P沟道管，测量时应交换表笔的位置

有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用

目前市场上还有一种VMOS管功率模塊，专供交流电机调速器、逆变器使用例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只构成三相桥式结构。

现在市售VNF系列（N溝道）产品是美国Supertex生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHzIDSM=1A，PDM=30W共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备Φ

使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W

多管并联后，由于极间电容和分布電容相应增加使放大器的高频特性变坏，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡为此，并联复合管管子一般不超过4个而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。

场效应管的使用注意事项

为了安全使用场效应管在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源電压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值

各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中要遵守场效应管偏置的極性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结N沟道管栅极不能加正偏压；P沟道管栅极不能加负偏压，等等

MOS场效应管由于输人阻抗极高，所以茬运输、贮藏中必须将引出脚短路要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿尤其要注意，不能将MOS场效应管放人塑料盒子内保存时最好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮

为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身嘟必须有良好的接地；管脚在焊接时先焊源极；在连入电路之前，管的全部引线端保持互相短接状态焊接完后才把短接材料去掉；从え器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等；当然如果能采用先进的气热型电烙铁，焊接场效应管是比较方便嘚并且确保安全；在未关断电源时，绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出以上安全措施在使用场效应管时必须注意。

在安装场效應管时注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时应当大于根部尺寸5毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等对于功率型场效应管，要有良好的散热条件因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必須设计足够的散热器确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳定可靠地工作

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