台积电的平板，不好配电源线吗

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2020-09-11 12:09 标签：

实践出真知经验是学识表现。 嶊荐于

饭煲的电源线可以承受800-1000W电功率的电流

2、电脑主机最大功率也就是500-600W左右，电源线当然会比电饭煲的承受能力逊色的

3、根据电源功率计算，电饭煲电源线可以用在电脑上非常安全的。可以放心使用的

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本回答由禅城区煲煲掂厨具厂提供


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这个问题是不可用的;因为它的接线不一定和电脑插脚配套各种电器都有它自已设计。建议购买一条电脑电源线使用的好既使你己经使用了纯碎是巧合，理论上是通不过的

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我建议您还是给您电脑配一个电源比较好……

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可以！只要两个的功率一样就没问题！

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市电220V的这一段粗线无

如果你说嘚意du思是混用两个笔记zhi本电脑的电源适配器，那dao如果两台笔记本电脑是同一品牌型号无所谓。

如果不是同一品牌或型号那要看接口是鈈是一样，再看电源适配器上的标称输出电压是不是一样的，输出电流差别不能太大输出接口的套筒内外极性，内正外负还是内负外正，是不是一样的如果这几点都一样，即使笔记本品牌型号不一样也无所谓。

我现在用的华硕W3Z的笔记本还用着一个惠普的电源适配器呢呵呵，反正电压、电流、正负极性一样就没问题直流供电也就这么三个属性，三个属性都一样就无所谓了管它是哪来的呢。

来源：本文由半导体行业观察翻譯自extremetech谢谢。 

在过去几年中三星，台积电和GlobalFoundries们在竞争激烈（还是非常昂贵的）代工业务中都饱受争议即使是曾经坚持按照自己的步伐湔进的英特尔公司也已经采取了行动。随着每个新节点的成本上升首要需求也增加了。打破新节点的第一家公司往往会获得许多利润丰厚的合同在过去二十年的大部分时间里，纯粹的代工厂市场一直由台积电主导但是三星在这一过程中击败了其台湾竞争对手（台积电）的14nm工艺，并且大赚了一笔

Anandtech已经全面讨论了每个代工厂如何接近下一代摩尔定律，他们打算部署的技术以及哪些公司将会推出哪些节點技术（以及在什么时间落地）。整个文章绝对值得一读特别是如果您想了解三星的低功耗工艺与台积电相比的具体细节。这是一次非瑺精彩的深度挖掘我们将继续关注焦点问题，如下图所示：

让我们按顺序梳理一下GlobalFoundries将在未来12个月内继续使用14LPP，但预计到2018年底GF将开始夶规模生产7nm。HVM与消费产品不一样;从生产开始，他们可能需要4到7个月的时间才能真正进入市场7nm DUV（常规193nm光刻技术）应该在2018年下半年开始，洏GF则希望在2019年之前完成EUV和7nm布局

我们以前讨论过英特尔的代工计划（下面的幻灯片有其他细节），以及它的10nm技术与三星和台积电的10nm技术有什么不同：

英特尔今年将开始推出10nm移动设备但它的台式机和HEDT预计将继续使用14nm技术。今年下半年至2018年第三代14nm ++将首次亮相。英特尔还没有對EUV发表任何具体声明不过该公司暗示，它可能不会在5nm节点之前引入这项技术

上图总结了英特尔对不同流程节点有不同的指标要求的原洇。 即使与“其他”14nm节点相比其晶体管密度仍然高1.23倍。 注意：我们不知道三星或台积电的哪些具体流程节点与英特尔的产品进行了比较

英特尔关于延续摩尔定律的论据是，它的10nm晶体管密度将比以往任何一代的14nm晶体管密度有更大幅度的提升

与上一张幻灯片相同，但原始數字为晶体管密度而不是缩放点

就晶体管栅极间距而言，20nm和第一代的14nm / 16nm节点与Intel的22nm节点大致相当后来的14 / 16nm产品在该指标上有所改善，但仍然落后于英特尔三年的节点

与英特尔相比，纯代工厂在金属间距扩展方面的表现相对较好但是它们仍然与英特尔的14nm不匹配，这使得其瞄准了10nm技术再次，它们预计将部署接近Intel  14nm技术的10nm节点

一旦生产10nm产品，纯代工业务就会超过英特尔的14nm晶体管密度但英特尔认为其10nm密度将会奣显好转。

这张幻灯片上有两件有趣的事情 首先，它证实了Intel 将部署一个14nm ++节点如之前所传闻的那样，其第一代10nm将不能提供相同的性能 紟天的Kaby Lake客户将不得不等待10nm ++，预计从现在到2020年可以看到晶体管级性能改进超过Kaby Lake所提供的性能。

samsung - tsmc的配对是有趣的TSMC在10nm制程中似乎有更好的表現，他们还计划在2018年将2017年的10nm转到4nm制程相比之下，三星则计划在多代产品上保持10nm的水平

由于新工艺节点变得更加难以追逐，每个代工厂嘟采用了各种方法来定义节点的收缩这在英特尔公司是最明显的，其10nm节点预计将相当于台积电7nm

三星的EUV似乎没有那么早。他的8LPP将是一个8nm節点采用传统浸没式光刻技术来构建，而其7nm节点将在2019 - 2020年引入EUV并使用CLN7FF +节点。

评估这些路线图时要注意两点。 首先EUV（超紫外线光刻技術）仍然是一个主要的变量。台积电GlobalFoundries和英特尔都想引入EUV，因为它具有超过我们今天所能看到的双重、三重和四重图案的巨大潜力问题昰EUV的部署成本非常昂贵，并且目前并未达到其需要达到的性能目标它需要成为193nm光刻的可行替代品。

需要注意的第二点是我们不知道任哬一家公司的执行情况如何，我们也不能仅仅根据他们的任意编号来对节点进行比较当台积电成为市场的唯一，我们很容易将他们的65nm与45nm或90nm与65nm进行比较。现在情况更加混乱了，每个节点都经过了多次修改而且每个公司都采用自己的命名方案。

英特尔台积电和GlobalFoundries都开始采用同一个节点的国歌版本技术，这说明继续提供一致的性能提升有多困难十年前，在单个工艺节点上不断迭代的想法没有任何意义紟天，它已经变得非常普遍

我怀疑（虽然不能证明）这不仅仅是通过这一个工艺进行调整的代工节点。这有一个多步骤的学习过程其Φ，代工厂调整其技术以更好地匹配给定类别的设备所需要的特性，而设备制造商（QualcommIntel，AMD等）的开发人员调整其设计以更好地匹配该工藝这个过程长期以来被认为是英特尔最大的优势之一，在与纯粹的代工厂进行比较时其退出平板电脑和智能手机市场的决定基本上不予考虑。

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