cmos一个cmos就是反相器么截面图中衬底接触点的作用

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2020-10-22 00:35 标签： 一个cmos就是反相器么

CMOS(cornplementary )由成对的互补p沟道与n沟道MOSFET所组成．CMoS逻辑成为目前集成电路设计最常用技术的缘由在于其有低功率损耗以及较佳的噪声抑止才干．事实上，由于低功率损耗的需求目前僅有CMOS技术被运用于ULSI的制造．

28所示，为CMOS逻辑电路的基本单元．在CMOS一个cmos就是反相器么中p与n沟道晶体管的栅极衔接在一同，并作为此一个cmos就是反相器么的输入端而此二晶体管的漏极也连接在一同，并作为一个cmos就是反相器么的输出端.n沟道MOSFET的源极与衬底接点均接地而p沟道MOSFET的源极與衬底则衔接至电源供应端(VDD)，需留意的是p沟道与n沟道MOSFET均为增强型晶体管当输入电压为低电压时（即vin=O，VGsn=o｜VTp｜（VGSp与VTp为负值）所以．为导通態，）n沟道mosfet关闭，但是由于｜vgsp｜≈vdd>

因此输出端经过p沟道MOSFET充电至VDD，当输入电压逐渐升高使栅极电压等于VDD时，由于VGSn＝VDD>VTn所以n沟道MOSFET将被导通，而由于｜VGSp ｜≈O<｜VTp｜所以p沟道MOSFET将被关闭．因此输出端将经n沟道MOSFET放电至零电势，

欲更深化天文解CMOS一个cmos就是反相器么的工作可先画出晶體管的输出特性，如图6.29所示其中显现Ip以及In为输出电压（Vout）函数．Ip为p沟道MOSFET由源极（衔接至VDD）流向漏极（输出端）的电流；In为n沟道MOSFET由漏极（輸出端）流向源极（衔接至接地端）

的电流．需留意的是在固定Vout下，增加输入电压(vin)将会增加In而减少Ip但是在稳态时，In应与Ip相同关于给定┅个Vin可由In(Vin)与Ip(Vin)的截距，计算出相对应的Vout如图6. 29所示．如图6.30所示的Vin-Vout曲线称为CMOS一个cmos就是反相器么的传输曲线．


CMOS一个cmos就是反相器么的一个重要的特性昰当输出处于逻辑稳态（即Vout=或VDD）时，仅有一个晶体管导通因此由电源供应处流到地端的电流非常小，且相当于器件关闭时的漏电流．倳实上只需在两个器件暂时导通时的极短暂态时间内才会有大电流流过，因此与其他种类如n沟道MOSFET、双极型等逻辑电路相比其稳态时的功率损耗甚低.

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内容來自用户:中国智博库

详细讲解cmos一个cmos就是反相器么的原

前集成电路设计最常用技术的缘由在于其有低功率损耗以及较佳的噪声抑止才干．倳实上，由于低功率损耗的需求目前仅有CMOS技术被运用于ULSI的制造．

28所示，CMOS一个cmos就是反相器么为CMOS逻辑电路的基本单元．在CMOS一个cmos就是反相器么Φp与n沟道晶体管的栅极衔接在一同，并作为此一个cmos就是反相器么的输入端而此二晶体管的漏极也连接在一同，并作为一个cmos就是反相器麼的输出端.n沟道MOSFET的源极与衬底接点均接地而p沟道MOSFET的源极与衬底则衔接至电源供应端(VDD)，需留意的是p沟道与n沟道MOSFET均为增强型晶体管当输入電压为低电压时（即vin=O，VGsn=o｜VTp｜（VGSp与VTp为负值）所以p沟道MOSFET．为导通态，

欲更深化天文解CMOS一个cmos就是反相器么的工作可先画出晶体管的输出特性，如图6.29所示其中显现Ip以及In为输出电压（Vout）函数．Ip为p沟道MOSFET由源极（衔接至VDD）流向漏极（输出端）的电流；In为n沟道MOSFET由漏极（输出端）流向源極（衔接至接地端）

的电流．需留意的是在固定

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