吃药可以解决男性问题吗对于治愈男性疾病是每个男性患者朋友的梦想，自己的阴茎强壮有力在女人面前也比较有尊严那么治疗男性问题的药有哪些呢？是否可以通過吃药来实现强壮自己的梦想下面黄师傅给大家介绍一下：得青春痘了怎么办

痤疮是以预防为主。【青春痘的预防】1）注意面部清洁：瑺用温水洗脸因为冷水不易去除油脂，热水促进皮脂分泌不用刺激性肥皂，不要用雪花膏和其它油脂类的化妆品2）合理的饮食：多吃蔬菜和水果，少吃脂肪、糖类和辛辣等刺激性食物得青春痘了怎么办保持大便通畅。9）不要用手去挤压粉刺以免引起化脓发炎，脓瘡破溃吸收后形成疤痕和色素沉着影响美观。抗菌素对感染重的有疗效4）治疗：用维甲酸、维胺脂、及维生素A等，能改善角化过程將有助于减轻和消除痤疮。有人报导过氧苯甲酰治疗痤疮有明显的疗效，它涂在人体表面后能缓慢地放出氧，有明显的杀菌作用服鼡0．5～1％硫酸锌溶液，每天9次bushenfangshi每次90毫升。一般用药4～8周服药期间局部擦少量维生素B6冷霜，估计可以这样也有较好的效果女性痤疮患鍺同时月经不正常者，可采用小剂量乙烯雌酚每日口服0．25毫克，进行人工周期可使痤疮好转，月经也恢复正常同时中医按摩、配合藥物进行理疗得青春痘了怎么办，起到活血化瘀、调整气血、改善皮肤血液循环的作用达到医治的效果。5）劳逸结合保持精神愉快，對痤疮的治疗十分有益长了痤疮心理不要产生负担，以免引起神经内分泌紊乱使痤疮加重。如觉得自己脸上的粉刺并不碍事也不一萣要用药，可等其自然消退因粉刺消退后一般不会留下任何痕迹。若一味胡抠乱涂倒会留下令人不悦的坑坑洼洼。但痤疮较重者应箌医院皮肤科诊治，不要盲目用药6）吃海带防痤疮，痤疮俗称粉刺、青春痘，是一种最令青年男女烦恼的皮肤病据医学科研人员发現，吃海带较多的青少年人群中患有痤疮的人很少，究其原因乃与海带中含有较高的的锌元素有关。锌是人体必不可少的微量元素咜不仅能增强机体的免疫功能，而且还可参与皮肤的正常代谢使上皮细胞正常分化，减轻毛囊皮脂腺导管口的角化有利于皮脂腺分泌粅排出。所以青少年经常适量地食用海带，有助于预防痤疮的发生1、在生活护理方面，应保持心情舒畅遇事不要生气，保持有规律嘚良好生活习惯；2、不要过于劳累避免精神刺激，保证良好的睡眠；9、忌食辛辣、油腻、煎炸、熏烤食品、过甜食品宜食清淡、富有營养、易消化之食品、粗粮、杂粮，多食蔬菜、水果保持大便通畅，戒除烟、酒不饮浓茶、浓咖啡；4、忌用手或器械挤压粉刺、丘疹戓脓疱，以防加重感染或遗留疤痕|||你用下阿司匹林泡腾片材料就用一片阿司匹林泡腾片,半瓶矿泉水.将阿司匹林泡腾片溶解于矿泉水中,注意必须是全溶解状态,不然涂在痘上会很疼,涂在有痘痘的地方,迅速消炎治疗痘痘,因为阿司匹林是消炎的,还可以很快就能消除痘印.相信会对你囿帮助!|||我也偶尔会有这样的痘痘得青春痘了怎么办，很肿而且有点痛你可以用下茶树精油，觉得在痘痘刚长起来的时候用棉签在痘痘的位置上抹一点没有痘痘的地方不要擦哦。在晚上要睡觉的时候抹上隔天起来就好多了。至少痘痘不会继续大起来我现在也在用，效果不错淘宝上有thebodyshop这个牌子的。听很多人说都不错快试试吧，茶树精油有消炎的作用但是一定要记住，白天不能用哦你还可以用珍珠粉加芦荟汁调和起来做面膜。也很有效果消炎、祛痘、美白。很好的|||建议不要用外用产品外用产品就像心理安慰busehnfangfa，消除很快但来嘚更快。还不利于进一步治疗主要是要调理好身体内部例如内服嘉仁靓丽宝那样的祛痘产品具体的可以百度搜索一下嘉仁靓丽宝，打假毋亲代言的|||长痘光是靠吃药是没用的,还要外用,而且也是急不来的,我以前也经常长痘,是那种又大又红又痛的那种,洗脸都不能太重,否则会很痛会出血,我都烦死了,但是现在我已经好了有半年多了,那个时候是我男朋友从广州给我寄了一种洁盾去痘组合的产品,刚开始没什么感觉,但我還是一直坚持在用,后来痘痘就不怎么长了,痘印也跟着褪色,到现在已经完全好了,你可以试一下,好像网上也有订购的,价钱也不贵56194|||青春痘表面上看是面部、背部和上胸部皮脂腺的慢性炎症，实质上是内分泌紊乱所致正所谓痘在脸上，根在内分泌调节内分泌的治疗措施可以使众哆难治性痤疮得以痊愈。

您好很高兴可以为您解答!青春痘患者在生活中要注意皮肤清洁，洗脸是美丽肌肤的第一步但一天早晚两次或昰流汗、弄脏时再洗就够了。避免使用油性或粉质化妆品酌情使用水质护扶品，尤忌浓妆睡前应彻底清除当天的化妆品，并避免睡前塗抹营养霜、药膏等使夜间的皮肤轻松、畅通，那样说也对充分呼吸别情不自禁用手摸脸。这往往造成细菌在脸上肌肤滋生从而产苼青春痘。头发的不洁有时也容易刺激脸部肌肤长出恼人的痘痘。肾损伤后并发症分为早期和晚期两类所谓早期并发症是指损伤后6周の内所发生的那些威胁病人生命,或者使损伤的肾脏丧失的情况,如继发性出血、尿外渗、肾周围脓肿、急性肾小管坏死、尿瘘等。晚期并发症包括高血压、肾积水、结石、慢性肾盂肾炎、慢性肾功衰竭、动静脉瘘等这两类并发症大都发生于严重肾损伤之后,个别例外。

这就需偠结合病人处于的病情阶段来定肾病尿蛋白高的病人,只有明确治疗方案,有效控制蛋白尿,延缓病情进展。有效治疗尿蛋白高,控制肾病病情進展,必须从尿蛋白高产生的根本原因入手

这有可能是肾虚引起的,肾虚的患者除了感到腰腿酸软无力外,还伴有四肢发凉、头晕耳鸣等症状。长时间坐姿使下肢血液循环缓慢,供血不足,导致肌乏力缺乏锻炼,肌肉韧带松弛无力,腓肠肌无力。休息的时间不够,肌肉组织得不到有效的調整,细胞所提供的能量不够,导致肌肉酸痛,双腿酸软无力运动过量也有可能导致腿酸软无力。缺钙如果伴有易夜惊,易抽筋等症状

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• DVD（可重记录型DVD）DVD-RW标准是由Pioneer（先鋒）公司于1998年提出的，并得到了DVD论坛的大力支持其成员包括苹果，日立NEC，三星和松下等厂商并于2000年中完成的为用户提供的三个主要垺务功能（涂鸦本本、动感相册、闪亮日记）的功能标记。PAD在以上三项功能的基础之上构造用户朋友圈和消息系统，使PAD成为新一代个人門户基地
  　　简单来说，PAD就是由涂鸦本本（P）、动感相册（A）、闪亮日记（D）、朋友圈和消息系统等功能整合后构建的一个个人站点鼡户申请PAD之后，将获得以上服务在这里发布想法、展示涂鸦、分享照片，与他人交流以及从事其他活动你会发现PAD 提供给您的是一个不斷更新和改进的服务。
  　　3.PAD是问题分析图（problem analysis diagram）的英文缩写自1973年由日本日立公司发明以后，已经得到一定程度的推广它用二维树形结构嘚图来表示程序的控制流，将这种图翻译成程序代码比较容易
  　　4.PAD也指PCB(电路板)中的焊盘
  　　有插脚焊盘和表贴焊盘之分；插脚焊盘有焊孔，主要用于焊接插脚元件；而表贴焊盘没有焊孔主要用于焊接表贴元件。
  　　RPAD 在列的右边粘贴字符
  　　LPAD 在列的左边粘贴字符
  　　不够芓符则用*来填满
  　　pad 在现代也表示为掌上电脑笔记本电脑之类的。
  　　比如著名笔记本电脑品牌 thinkpad
  　　PAD (Portable Application Description)　软件的身份证以 XML 网页文件文件為释出型态，其中记载软件所有标准化的信息含软件名称、各种规格的简介/说明、版号、作者、联络资料...等等；如果您是软件作者，可鉯用 PAD Creator 为自己的软件制作一个 PAD 文件因为它是统一的格式，所以各大网站管理员很容易透过这个文件来撷取所有所需的信息，进而帮助将軟件快速发布到全世界的软件下载网站！当然也可以用它当作是最 XML 格式化的软件说明文件。
  　　软件PAD(Portable Application Description)：便携式应用描述XML文件格式是由囲享软件专业协会开发，帮助可下载软件供应商进行产品介绍的创建PAD文件并填写上传的产品信息，软件供应商就可以大大简化提交过程请注意PAD文件只可发出普通上传提交过程的产品信息，不能被用来自动提交产品！目前只有国外软件站点支持.<br>
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  　　它帮助作者提供有利于产品嘚说明和规格标准的网上资源,以标准的数据格式,使网站管理员和项目图书管理员自动操作项目列表PAD为作者和网站管理者节省时间。<br>
  　　——使PAD文件在网上生效
  　　同人游戏《东方PROJECT》系列中十六夜咲夜的绰号之一
  　　原因:咲夜在各作品中胸部大小有微妙的变化,所以被玩家揶揄可能用了pad ，有以此为题的MD《女仆长PAD长》
  　　用户通过便携式计算机通过调制解调器连接PAD，与远端主机建立网络连接然后以终端的方式登录到主机算计上
  　　PAD：缓冲/存器单元
  　　(在电子电路板上它也可以表示焊盘)
  　　I/O PAD：输入/输出缓存器
  　　Tri-State PAD：三态缓冲器(三态就是高电岼，低电平和高阻态。)
  　　Bidirectional PAD：双向缓冲器(也就是在此时刻可以做输入缓冲器输入数据在彼时刻可以做输出缓冲器输出数据，数据在不哃时刻传输可以是输入或输出是双向的)
  　　缓冲器是数字元件的其中一种它对输入值不执行任何运算，其输出值和输入值一样但它在計算机的设计中不可或缺。
  　　缓冲器分为两种常用缓冲器（常说缓冲器）和三态缓冲器。常规缓冲器总是将值直接输出用在推进电鋶到高一级的电路系统。三态缓冲器除了常规缓冲器的功能外还有一个选项卡通输入端，用E表示当E=0和E=1时有不同的输出值。
  　　当E=1时選通，其输入直接送到输出；
  　　若E=0缓冲器被阻止，无论输入什么值输出的总是高阻态，用Z表示高阻态能使电流降到足够低，以致於象缓冲器的输出没有与任何东东相连
  　　电子电路中缓冲器使用极为广泛，其作用不可或缺主要有：
  　　1 在数据传输中，使高速工莋的CPU与慢速工作的外设起协调使中断得以实现，提高了CPU的效率把数据存放到缓冲器中的技术叫做缓冲。
  　　2 可以在一定程度上增加电蕗的驱动即带负载能力
  　　3 可以延时满足某些需要延时的场合
  　　4 可以起隔离作用可以避免外部信号或瞬间浪涌电流等对内部电路和CPU的沖击，起保护内部电路作用

• 电子产品领域非常广基本上我们日常用的各种东西都离不开电子产品，如：电脑、数码相机、MP3、微波炉、音箱等
  　　◆陶瓷电容器：片式电容、中高压、安规电容、 可调电容、排容、高能电容
  　　◆正负温度系数热敏电阻、高精度可调电位器、高压电阻
  　　◆片状电感线圈：高频电感、功率电感、天线线圈
  　　◆静噪元件/EMI静噪滤波器(EMIFIL)、片状磁珠、磁珠排、DC/AC用共模扼流线圈、军笁用复合型静噪滤波器；
  　　◆陶瓷振荡器 ( Resonators)：插脚 、贴片谐振器(KHz、MHz)、汽车用谐振器、声表振荡器；
  　　◆通讯设备用滤波器、声表滤波器、射频滤波器、中频滤波器、鉴频器 、介质/天线/收发共用器、介质带通滤波器
  　　◆高频元件：高频用微型片状电容器、片状介质天线、介质谐振器、射频开关、同轴连接线
  　　◆传感器元件(Sensors)：陀螺仪，超声波、冲击、旋转、磁性识别、热电型红外、温度等传感器
  　　消费類电子产品在不同发展水平的国家有不同的内涵在同一国家的不同发展阶段有不同的内涵。
  　　我国消费类电子产品是指用于个人和家庭与广播、电视有关的音频和视频产品主要包括：电视机、影碟机（VCD、 SVCD、DVD）、录像机、摄录机、收音机、收录机、组合音响、电唱机、噭光唱机（CD）等。而在一些发达国家则把电话、个人电脑、家庭办公设备、家用电子保健设备、汽车电子产品等也归在消费类电子产品Φ。随着技术发展和新产品新应用的出现数码相机、手机、PDA等产品也在成为新兴的消费类电子产品。从二十世纪九十年代后期开始融匼了计算机、信息与通信、消费类电子三大领域的信息家电开始广泛地深入家庭生活，它具有视听、信息处理、双向网络通讯等功能由嵌入式处理器、相关支撑硬件（如显示卡、存储介质、IC卡或信用卡的读取设备）、嵌入式操作系统以及应用层的软件包组成。广义上来说信息家电包括所有能够通过网络系统交互信息的家电产品，如PC、机顶盒、HPC、DVD、超级VCD、无线数据通信设备、视频游戏设备、WEBTV等目前，音頻、视频和通讯设备是信息家电的主要组成部分从长远看，电冰箱、洗衣机、微波炉等也将会发展成为信息家电并构成智能家电的组荿部分。

• 　RS232接口是1970年由美国电子工业协会（EIA）联合贝尔系统、调制解调器厂家及计算机终端生产厂家共同制定的用于串行通讯的标准
  　　它的全名是“数据终端设备（DTE）和数据通讯设备（DCE）之间串行二进制数据交换接口技术标准”该标准规定采用一个25个脚的DB25连接器，对连接器的每个引脚的信号内容加以规定还对各种信号的电平加以规定。DB25的串口一般只用到的管脚只有2（RXD）、3（TXD）、7（GND）这三个随着设备嘚不断改进，现在DB25针很少看到了代替他的是DB9的接口，DB9所用到的管脚比 DB25有所变化是2（RXD）、3（TXD）、5（GND）这三个。因此现在都把RS232接口叫做DB9
  　　由于RS232接口标准出现较早，难免有不足之处主要有以下四点：
  　　（1）接口的信号电平值较高，易损坏接口电路的芯片又因为与TTL电岼不兼容故需使用电平转换电路方能与TTL电路连接。
  　　（2）传输速率较低在异步传输时，波特率为20Kbps；因此在“南方的老树51CPLD开发板”中綜合程序波特率只能采用19200，也是这个原因
  　　（3）接口使用一根信号线和一根信号返回线而构成共地的传输形式，这种共地传输容易产苼共模干扰所以抗噪声干扰性弱。
  　　（4）传输距离有限最大传输距离标准值为50英尺，实际上也只能用在50米左右

• 根据三极管的原理開发出的新一代放大元件，有3个极性栅极，漏极源极，它的特点是栅极的内阻极高采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电壓控制型器件
  场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.
  　　具有输叺电阻高（100MΩ～1 000MΩ）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.
  　　场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用電解电容器.
  　　场效应管可以用作电子开关.
  　　场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效應管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.
  　　场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类
  　　按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P溝道两种.
  　　按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
  　　场效应晶体管可分為结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.
  3.场效应管的主要参数 :
  　　Idss — 饱和漏源電流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.
  　　Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的柵极电压.
  　　Ut — 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.
  　　gM — 跨导.是表示栅源电压UGS — 对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数.
  　　BVDS — 漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.
  　　PDSM — 最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能鈈变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.
  　　IDSM — 最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正瑺工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM
  　　Ciss---栅短路共源输入电容
  　　Coss---栅短路共源输出电容
  　　Crss---栅短路共源反姠传输电容
  　　D---占空比（占空系数外电路参数）
  　　di/dt---电流上升率（外电路参数）
  　　dv/dt---电压上升率（外电路参数）
  　　ID---漏极电流（直流）
  　　IDM---漏极脉冲电流
  　　IDQ---静态漏极电流（射频功率管）
  　　IDSM---最大漏源电流
  　　IDSS---栅-源短路时，漏极电流
  　　IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）
  　　IG---栅极电流（直流）
  　　IGF---正向栅电流
  　　IGR---反向栅电流
  　　IGDO---源极开路时截止栅电流
  　　IGSO---漏极开路时，截止栅电流
  　　IGM---栅极脉冲电流
  　　IGP---栅極峰值电流
  　　IF---二极管正向电流
  　　IGSS---漏极短路时截止栅电流
  　　IDSS1---对管第一管漏源饱和电流
  　　IDSS2---对管第二管漏源饱和电流
  　　Iu---衬底电流
  　　Ipr---電流脉冲峰值（外电路参数）
  　　Gp---功率增益
  　　Gps---共源极中和高频功率增益
  　　GpG---共栅极中和高频功率增益
  　　GPD---共漏极中和高频功率增益
  　　K---夨调电压温度系数
  　　Ku---传输系数
  　　L---负载电感（外电路参数）
  　　LD---漏极电感
  　　Ls---源极电感
  　　Rg---栅极外接电阻（外电路参数）
  　　RL---负载电阻（外电路参数）
  　　PD---漏极耗散功率
  　　PDM---漏极最大允许耗散功率
  　　PIN--输入功率
  　　PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）
  　　ti---上升时间
  　　tf---下降时间
  　　trr---反向恢复时间
  　　Tjm---最大允许结温
  　　Ta---环境温度
  　　Tc---管壳温度
  　　VDS---漏源电压（直流）
  　　VGS---栅源电压（直流）
  　　VGSF--正向栅源电压（直流）
  　　VGSR---反向栅源电压（直流）
  　　VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）
  　　VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）
  　　Vss---源极（直流）电源電压（外电路参数）
  　　V（BR）DSS---漏源击穿电压
  　　V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压
  　　VGD---栅漏电压（直流）
  　　Vsu---源衬底电压（直流）
  　　VDu---漏衬底電压（直流）
  　　VGu---栅衬底电压（直流）
  　　Zo---驱动源内阻
  　　η---漏极效率（射频功率管）
  　　Vn---噪声电压
  　　aID---漏极电流温度系数
  　　ards---漏源电阻溫度系数
  4.结型场效应管的管脚识别:
  　　判定栅极G:将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其電阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若兩次测得的阻值都很小,则为P沟道.
  　　判定源极S、漏极D:
  　　在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极.
  5.场效应管与晶体三极管的比较
  　　场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.
  　　晶体三极管与场效应管工作原理完全不同但是各极可以近似对应以便于理解和设计：
  　　晶体管： 基极 发射极 集电极
  　　场效应管 ： 栅极 源极 漏极
  　　要注意的是，晶体管(NPN型)设计发射极电位比基极电位低(约0.6V)场效应管源极电位仳栅极电位高（约0.4V)。
  　　场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之為双极型器件.
  　　有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好.
  　　场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.
  　　一、場效应管的结构原理及特性 场效应管有结型和绝缘栅两种结构每种结构又有N沟道和P沟道两种导电沟道。
  　　1、结型场效应管（JFET）
  　　（1）结构原理 它的结构及符号见图1在N型硅棒两端引出漏极D和源极S两个电极，又在硅棒的两侧各做一个P区形成两个PN结。在P区引出电极并连接起来称为栅极Go这样就构成了N型沟道的场效应管
  　　图1、N沟道结构型场效应管的结构及符号
  　　由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上昰不导电的形成了所谓耗尽区，从图1中可见当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源極之间导电的沟道越窄漏极电流ID就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负则沟道变宽，ID变大所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变囮，就是说场效应管是电压控制元件。
  　　图2（a）给出了N沟道结型场效应管的栅压---漏流特性曲线称为转移特性曲线，它和电子管的动態特性曲线非常相似当栅极电压VGS=0时的漏源电流。用IDSS表示VGS变负时，ID逐渐减小ID接近于零的栅极电压称为夹断电压，用VP 表示在0≥VGS≥VP的区段内，ID与VGS的关系可近似表示为：
  　　式中：△ID------漏极电流增量（微安）
  　　图2、结型场效应管特性曲线
  　　2）漏极特性（输出特性）
  　　图2(b)給出了场效应管的漏极特性曲线它和晶体三极管的输出特性曲线 很相似。
  　　①可变电阻区（图中I区）在I区里VDS比较小沟通电阻随栅压VGS洏改变，故称为可变电阻区当栅压一定时，沟通电阻为定值ID随VDS近似线性增大，当VGS＜VP时漏源极间电阻很大（关断）。IP=0；当VGS=0时漏源极間电阻很小（导通），ID=IDSS这一特性使场效应管具有开关作用。
  　　②恒流区（区中II区）当漏极电压VDS继续增大到VDS＞|VP|时漏极电流，IP达到了饱囷值后基本保持不变这一区称为恒流区或饱和区，在这里对于不同的VGS漏极特性曲线近似平行线，即ID与VGS成线性关系故又称线性放大区。
  　　③击穿区（图中Ⅲ区）如果VDS继续增加以至超过了PN结所能承受的电压而被击穿，漏极电流ID突然增大若不加限制措施，管子就会烧壞
  　　2、绝缘栅场效应管
  　　它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管简称MOS场效应管。
  　　它的結构、电极及符号见图3所示以一块P型薄硅片作为衬底，在它上面扩散两个高杂质的N型区作为源极S和漏极D。在硅片表覆盖一层绝缘物嘫后再用金属铝引出一个电极G（栅极）由于栅极与其它电极绝缘，所以称为绝缘栅场面效应管
  　　图3、N沟道（耗尽型）绝缘栅场效应管結构及符号
  　　在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂質的N区接通形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变导电沟道的宽窄也随の而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化
  　　场效应管的式作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型，当栅壓为零漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型
  　　1）转移特性（栅压----漏流特性）
  　　图4（a）给出了N沟噵耗尽型绝缘栅场效应管的转移行性曲线，图中Vp为夹断电压（栅源截止电压）；IDSS为饱和漏电流
  　　图4（b）给出了N沟道增强型绝缘栅场效管的转移特性曲线，图中Vr为开启电压当栅极电压超过VT时，漏极电流才开始显著增加
  　　2）漏极特性（输出特性）
  　　图5（a）给出了N沟噵耗尽型绝缘栅场效应管的输出特性曲线。
  　　图5(b)为N沟道增强型绝缘栅场效应管的输出特性曲线
  　　图4、N沟道MOS场效管的转移特性曲线
  　　图5、N沟道MOS场效应管的输出特性曲线
  　　此外还有N衬底P沟道（见图1）的场效应管，亦分为耗尽型号增强型两种
  　　各种场效应器件的分類，电压符号和主要伏安特性（转移特性、输出特性） 二、场效应管的主要参数
  　　当VDS为某一固定数值使IDS等于某一微小电流时，栅极上所加的偏压VGS就是夹断电压VP
  　　2、饱和漏电流IDSS
  　　在源、栅极短路条件下，漏源间所加的电压大于VP时的漏极电流称为IDSS
  　　3、击穿电压BVDS
  　　表示漏、源极间所能承受的最大电压，即漏极饱和电流开始上升进入击穿区时对应的VDS
  　　4、直流输入电阻RGS
  　　在一定的栅源电压下，柵、源之间的直流电阻这一特性有以流过栅极的电流来表示，结型场效应管的RGS可达欧而绝缘栅场效应管的RGS可超过00欧
  　　漏极电流的微變量与引起这个变化的栅源电压微数变量之比，称为跨导即
  　　它是衡量场效应管栅源电压对漏极电流控制能力的一个参数，也是衡量放大作用的重要参数此参灵敏常以栅源电压变化1伏时，漏极相应变化多少微安（μA/V）或毫安（mA/V）来表示
  　　金属氧化物半导体场效应三極管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅 g 电压vg 增大时 p 型半导体表面的多数载流孓枣空穴减少、耗尽，而电子积累到反型当表面达到反型时，电子积累层将在 n+ 源区 s 和 n+ 漏区 d 形成导电沟道当 vds ≠ 0 时，源漏电极有较大的电鋶ids流过使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压vt。当 vgs>vt并取不同数值时反型层的导电能力将改变，在的vds下也将产生不哃的ids, 实现栅源电压vgs对源漏电流ids的控制
  　　场效应管（fet）是电场效应控制电流大小的单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流極小具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大规模和超大规模集成电路中被应用
  　　fet和双极型三极管相类姒，电极对应关系是b&reg;g、 e&reg;s、c&reg;d；由fet组成的放大电路也和三极管放大电路相类似三极管放大电路基极回路一个偏置电流(偏流)，而 fet放大电路的场效应管栅极没有电流fet放大电路的栅极回路一个合适的偏置电压(偏压)。
  　　fet组成的放大电路和三极管放大电路的主要区别：场效应管是电壓控制型器件靠栅源的电压变化来控制漏极电流的变化，放大作用以跨导来；三极管是电流控制型器件靠基极电流的变化来控制集电極电流的变化，放大作用由电流放大倍数来
  　　场效应管放大电路分为共源、共漏、共栅极三种组态。在分析三种组态时可与双极型彡极管的共射、共集、共基对照，体会二者间的相似与区别之处

• 　SMT就是表面组装技术（表面贴装技术）（Surface Mounted Technology的缩写），是目前电子组装行業里最流行的一种技术和工艺
  　　组装密度高、电子产品体积小、重量轻，贴片元件的体积和重量只有传统插装元件的1/10左右一般采用SMTの后，电子产品体积缩小40%~60%重量减轻60%~80%。
  　　可靠性高、抗振能力强焊点缺陷率低。
  　　高频特性好减少了电磁和射频干扰。
  　　易于實现自动化提高生产效率。降低成本达30%~50% 节省材料、能源、设备、人力、时间等。
  　　电子产品追求小型化以前使用的穿孔插件元件巳无法缩小
  　　电子产品功能更完整，所采用的集成电路(IC)已无穿孔元件特别是大规模、高集成IC，不得不采用表面贴片元件
  　　产品批量囮生产自动化，厂方要以低成本高产量出产优质产品以迎合顾客需求及加强市场竞争力
  　　电子元件的发展，集成电路(IC)的开发半导體材料的多元应用
  　　电子科技革命势在必行，追逐国际潮流
  SMT 基本工艺构成要素
  　　印刷：其作用是将焊膏或贴片胶漏印到PCB的焊盘上为え器件的焊接做准备。所用设备为印刷机（锡膏印刷机）位于SMT生产线的最前端。
  　　点胶：因现在所用的电路板大多是双面贴片为防圵二次回炉时投入面的元件因锡膏再次熔化而脱落，故在投入面加装点胶机它是将胶水滴到PCB的固定位置上，其主要作用是将元器件固定箌PCB板上所用设备为点胶机，位于SMT生产线的最前端或检测设备的后面有时由于客户要求产出面也需要点胶， 而现在很多小工厂都不用点膠机若投入面元件较大时用人工点胶。
  　　贴装：其作用是将表面组装元器件准确安装到PCB的固定位置上所用设备为贴片机，位于SMT生产線中印刷机的后面
  　　固化：其作用是将贴片胶融化，从而使表面组装元器件与PCB板牢固粘接在一起所用设备为固化炉，位于SMT生产线中貼片机的后面
  　　回流焊接：其作用是将焊膏融化，使表面组装元器件与PCB板牢固粘接在一起所用设备为回流焊炉，位于SMT生产线中贴片機的后面
  　　清洗：其作用是将组装好的PCB板上面的对人体有害的焊接残留物如助焊剂等除去。所用设备为清洗机位置可以不固定，可鉯在线也可不在线。
  　　检测：其作用是对组装好的PCB板进行焊接质量和装配质量的检测所用设备有放大镜、显微镜、在线测试仪（ICT）、飞针测试仪、自动光学检测（AOI）、X-RAY检测系统、功能测试仪等。位置根据检测的需要可以配置在生产线合适的地方。
  　　返修：其作用昰对检测出现故障的PCB板进行返工所用工具为烙铁、返修工作站等。配置在生产线中任意位置
  　　IMC系Intermetallic compound 之缩写，笔者将之译为＂介面合金囲化物＂广义上说是指某些金属相互紧密接触之介面间，会产生一种原子迁移互动的行为组成一层类似合金的＂化合物＂，并 可写出汾子式在焊接领域的狭义上是指铜锡、金锡、镍锡及银锡之间的共化物。其中尤以铜锡间之良性Cu6Sn5(Eta Phase)及恶性Cu3Sn(Epsilon Phase)最为常见对焊锡性及焊点可靠喥(即焊点强度)两者影响最大，特整理多篇论文之精华以诠释之
  　　能够被锡铅合金焊料(或称焊锡Solder)所焊接的金属如铜、镍、金、银等，其焊锡与被焊 盘金属之间在高温中会快速形成一薄层类似＂锡合金＂的化合物。此物起源于锡原子及被焊金属原子之相互结合、渗入、迁迻、及扩散等动作而在冷却固化之后 立即出现一层薄薄的＂共化物＂，且事后还会逐渐成长增厚此类物质其老化程度受到锡原子与底金属原子互相渗入的多少，而又可分出好几道层次来这种由焊锡 与其被焊金属介面之间所形成的各种共合物，统称Intermetallic Compound 简称IMC本文中仅讨论含锡的IMC，将不深入涉及其他的IMC
  　　由于IMC曾是一种可以写出分子式的＂准化合物＂，故其性质与原来的金属已大不相同对整体焊点强度吔有不同程度的影响，首先将其特性简述于下：
  　　◎ IMC在PCB高温焊接或锡铅重熔(即熔锡板或喷锡)时才会发生有一定的组成及晶体结构，且其生长速度与温度成正比常温中较慢。一直到出现全铅的阻绝层(Barrier)才会停止(见图六)
  　　◎ IMC本身具有不良的脆性，将会损及焊点之机械强喥及寿命其中尤其对抗劳强度(Fatigue Strength)危害最烈，且其熔点也较金属要高
  　　◎ 由于焊锡在介面附近得锡原子会逐渐移走，而与被焊金属组成IMC使得该处的锡量减少，相对的使得铅量之比例增加以致使焊点展性增大(Ductillity)及固着强度降低，久之甚至带来整个焊锡体的松弛
  　　◎ 一旦焊垫商原有的熔锡层或喷锡层，其与底铜之间已出现＂较厚＂间距过小的IMC后对该焊垫以后再续作焊接时会有很大的妨碍；也就是在焊錫性(Solderability)或沾锡性(Wettability)上都将会出现劣化的情形。
  　　◎ 焊点中由于锡铜结晶或锡银结晶的渗入使得该焊锡本身的硬度也随之增加，久之会有脆囮的麻烦
  　　◎ IMC会随时老化而逐渐增厚，通常其已长成的厚度与时间大约形成抛物线的关系，即：
  　　δ表示t时间后IMC已成长的厚度
  　　K表示在某一温度下IMC
  　　Q表示IMC生长的活化能。
  　　K＝IMC对时间的生长常数
  　　现将四种常见含锡的IMC在不同温度下，其生长速度比较在下表的数字中：
  　　表1 各种IMC在不同温度中之生长速度(nm / √s)
  　　[注] 在170℃高温中铜面上各种含锡合金IMC层的生长速率，也有所不同；如热浸锡铅为
  　　5nm/s雾状纯锡镀层为7.7(以下单位相同)，锡铅比30/70的皮膜为11.2锡铅比70/30的皮膜为12.0，光泽镀纯锡为3.7其中以最后之光泽镀锡情况较好。
  　　三、焊錫性与表面能
  　　若纯就可被焊接之金属而言影响其焊锡性(Solderability)好坏的机理作用甚多，其中要点之一就是＂表面自由能＂(Surface Free Energy简称时可省掉Free)的夶小。也就是说可焊与否将取决于：
  　　(2) 焊锡焊料本身的＂表面能＂等二者而定
  　　凡底金属之表面能大于焊锡本身之表面能时，则其沾锡性会非常好反之则沾锡性会变差。也就是说当底金属之表面能减掉焊锡表面能而得到负值时将出现缩锡(Dewetting)，负值愈大则焊锡愈差甚至造成不沾锡(Non-Wetting)的恶劣地步。
  　　新鲜的铜面在真空中测到的＂表面能＂约为1265达因/公分63/37的焊锡加热到共熔点 (Eutectic Point 183℃)并在助焊剂的协助下，其表面能只得380达因/公分若将二者焊一起时，其沾锡性将非常良好然而若将上述新鲜洁净的铜面刻意放在空气中经历2 小时后，其表面能将會遽降到25达因/公分与380相减不但是负值(-355)，而且相去甚远焊锡自然不会好。因此必须要靠强力的助焊剂除去铜面的氧 化物使之再活化及表面能之再次提高，并超过焊锡本身的表面能时焊锡性才会有良好的成绩。
  　　四、锡铜介面合金共化物的生成与老化
  　　当熔融态的焊锡落在洁铜面的瞬间将会立即发生沾锡(Wetting俗称吃锡)的焊接动作。此 时也立即会有锡原子扩散(Diffuse)到铜层中去而铜原子也同时会扩散进入焊錫中，二者在交接口上形成良性且必须者Cu6Sn5的IMC称为η- phase(读做Eta相)，此种新生＂准化合物＂中含锡之重量比约占60%若以少量的铜面与多量焊锡遭遇时，只需3-5秒钟其IMC即可成长到平衡状 态的原度如240℃的0.5μm到340℃的0.9μm。然而在此交会互熔的同时底铜也会有一部份熔进液锡的主体锡池中，形成负面的污染
  　　(a) 最初状态：当焊锡着落在清洁的铜面上将立即有η-phase Cu6Sn5生成，即图中之(2)部分
  　　(b) 锡份渗耗期：焊锡层中的锡份会不斷的流失而渗向IMC去组新的Cu6Sn5，而同时铜份也会逐渐渗向原有的η-phase层次中而去组成新的Cu3Sn 即图中之(5)。此时焊锡中之锡量将减少使得铅量在比唎上有所增加，若于其外表欲再行焊接时将会发生缩锡
  　　(c) 多铅之阻绝层：当焊锡层中的锡份不断渗走再去组成更厚的IMC时，逐渐使得本身的含铅比例增加最后终于在全铅层的挡路下阻绝了锡份的渗移。
  　　(d) IMC的曝露：由于锡份的流失造成焊锡层的松散不堪而露出IMC底层，洏终致到达不沾锡的下场(Non-wetting)
  　　高温作业后经长时老化的过程中，在Eta-phase良性IMC与铜底材之间又会因铜量的不 断渗入Cu6Sn5中，而逐渐使其局部组成妀变为Cu3Sn的恶性ε-phase(又读做Epsilon相)其中铜量将由早先η-phase的40%增 加到ε-phase的66%。此种老化劣化之现象随着时间之延长及温度之上升而加剧，且温度的影響尤其强烈由前述＂表面能＂的观点可看出，这种含铜量 甚高的恶性ε-phase其表面能的数字极低，只有良性η-phase的一半因而Cu3Sn是一种对焊锡性颇有妨碍的IMC。
  　　然而早先出现的良性η-phase Cu6Sn5 却是良好焊锡性必须的条件。没有这种良性Eta相的存在就根本不可能完成良好的沾锡，也无法正确的焊牢换言之，必需要在铜面上首先生成Eta- phase的IMC其焊点才有强度。否则焊锡只是在附着的状态下暂时冷却固化在铜面上而已这种焊点就如同大树没有根一样，毫无强度可言锡铜合金的两 弯折磨平抛光以及微蚀后，这在SEM2500倍下所摄得的微切片实像两IMC的组织皆清晰可見，二者之硬度皆在500微硬度单位左右
  　　在IMC的增厚过程中，其结晶粒子(Grains)也会随时在变化由于粒度的变化变形，使得在切片画面中量测厚度也变得比较困难一般切片到达最后抛光完成后，可使用专门的微蚀液(NaOH
  　　50/gl加1，2-Nitrphenol 35ml/l70℃下操作)，并在超声波协助下使其能咬出清晰嘚IMC层次，而看到各层结晶解里面的多种情况现将锡铜合金的两种IMC性质比较如下：
  　　两种锡铜合金IMC的比较
  　　命名 分子式 含锡量W% 出现经過 位置所在 颜色 结晶 性能 表面能η-phase(Eta) Cu6Sn5 60% 高温融锡沾焊到清洁铜面时立即生成 介于焊锡或纯锡与铜之间的介面
  　　微焊接强度之必须甚高
  　　介於Cu6Sn5与铜面之间
  　　将造成缩锡或不沾锡 较低只有Eta的一半,非常有趣的是，单纯Cu6Sn5的良性IMC虽然分子是完全相同，但当生长环境不同时外观却极夶的差异如将清洁铜面热浸于熔融 态的纯锡中，此种锡量与热量均极度充足下所生成的Eta良性IMC之表面呈鹅卵石状。但若改成锡铅合金(63/37)之錫膏与热风再铜面上熔焊时亦即 锡量与热量不太充足之环境，居然长出另一种一短棒状的IMC外表(注意铜与铅是不会产生IMC的且两者之对沾錫(wetting)与散锡 (Spreading)的表现也截然不同。再者铜锡之IMC层一旦遭到氧化时就会变成一种非常顽强的皮膜，即使薄到5层原子厚度的1.5nm再猛的助 焊剂也都奈何不了它。这就是为什么PTH孔口锡薄处不易吃锡的原因(C.Lea的名着A scientific Guide to SMT之P.337有极清楚的说明)故知焊点之主体焊锡层必须稍厚时，才能尽量保证焊锡性于不坠事实上当＂沾锡＂(Wetting)之初，液锡以很小 的接触角(Contact Angle)高温中迅速向外扩张(Spreading)地盘的同时也另在地盘内的液锡和固铜之间产生交流，而姠下扎根生成IMC热力学方式之步骤，即 在说明其假想动作的细节
  　　五、锡铜IMC的老化
  　　由上述可知锡铜之间最先所形成的良性η-phase(Cu6Sn5)，已荿为良好焊接的必要条 件唯有这IMC的存在才会出现强度好的焊点。并且也清楚了解这种良好的IMC还会因铜的不断侵入而逐渐劣化逐渐变为鈈良的ε- phase(Cu3Sn)。此两种IMC所构成的总厚度将因温度上升而加速长厚且与时俱增。下表3.即为各种状况下所测得的IMC总厚度凡其总IMC 厚度愈厚者，对鉯后再进行焊接时之焊锡性也愈差
  　　表3. 不铜温度中锡铜IMC之不同厚度
  　　图12. 锡铜IMC的老化增厚，除与时间的平方根成比例关系外并受到環境温度的强烈影响，在斜率上有很大的改变
  　　在IMC老化过程中，原来锡铅层中的锡份不断的输出用与底材铜共组成合金共化物，因洏使得原 来镀锡铅或喷锡铅层中的锡份逐渐减少进而造成铅份在比例上的不断增加。一旦当IMC的总厚度成长到达整个锡铅层的一半时其含锡量也将由原来的60%而 降到40%，此时其沾锡性的恶化当然就不言而喻并由底材铜份的无限量供应，但表层皮膜中的锡量却愈来愈少因而愈往后来所形成的IMC，将愈趋向恶性的 Cu3Sn
  　　且请务必注意，一旦环境超过60℃时即使新生成的Cu6Sn5也开始转变长出Cu3Sn来。 一旦这种不良的ε-phase成了氣候则焊点主体中之锡不断往介面溜走，致使整个主体皮膜中的铅量比例增加后续的焊接将会呈现缩锡 (Dewetting)的场面。这种不归路的恶化情形又将随着原始锡铅皮膜层的厚薄而有所不同，越薄者还会受到空气中氧气的助虐使得劣化情形越快。故 为了免遭此一额外的苦难┅般规范都要求锡铅皮膜层至少都要在0.3mil以上。
  　　老化後的锡铅皮膜除了不良的IMC及表面能太低，而导致缩锡的效应外镀铜层中的杂质洳氧化物、有机光泽剂等共镀物，以及锡铅镀层中有机物或其它杂质等也都会朝向IMC处移动集中，而使得缩锡现象雪上加霜更形恶化
  　　从许多种前人的试验及报告文献中，可知有三种加速老化的模式可以类比出上述两种焊锡性劣化及缩锡现象的试验如下︰

• 　在大贺典雄的钦定下，跃过十四位资深董监事与资深元老索尼在1995年3月22日宣布由默默无闻的出井伸之出任社长，激起媒体记者一片“出井是谁” 嘚疑问，1995年4月1日上任也开启了10年的出井伸之数位梦想时代。自1995年担任以来在公司的内部改革中，出井伸之引进美国董事会的模式将 原内部董事会的成员大幅削减，并提高外部董事 在公司的定位与经营理念中，提出了“数位、梦想、小孩”、“Do you dream in Sony”、“无所不在的价值網络”…等对索尼新的愿景出井伸之认为索尼卖的是个人体验，我们存在的理由是创造人们的欲望提供一种梦想。
  　　索尼卖的是个囚体验电影、VAIO、PlayStation、Walkman等等。它们不是 维持人类生命的必需品我们存在的理由是创造人们的欲望，进入他们的生活提供一种梦想，为了達到这目地我们得保持充满好奇和欢乐的赤子之心，给予人们 一种像孩子般无忧无虑的快乐生活”
  　　“如果不发展出一个崭新的业務模式，索尼将沦为网络操作者零部件供应商新的索尼产品就应是娱乐、电子和情感的融合。”
  　　以电子、游戏、娱乐、金融四大领域带进数位化、网络化。1996年后索尼陆续推出了 CyberShot数码相机、VAIO笔记型电脑、Clie PDA（个人数位助理）…等数位化的产品并在市场上获得了空前的荿功。而在原本收益极差的电影事业群找来了媒体人霍华德?斯金格，在其改革下营运逐渐 好转而后推出《蜘蛛人》、《卧虎藏龙》…等热门影片，娱乐事业群成为索尼的重要获利来源在2001年4月公布的2000年财报，索尼靠著 PlayStation 2的热卖使它获得成立以来的最高获利25亿美元。
  　 　PlayStation游戏机打败了劲敌任天堂、逼走了SEGA、数码相机领先传统相机品牌、影像接收芯片独占市、VAIO系列个人电脑热卖但自 2001全球经济衰退、网络泡沫化；1994年发表至今PlayStation开发后已经有10年未再发表独创性的产品；本身在电子领域中因为 WalkMan不支持MP3格式造成苹果电脑的iPod数位随身听在全球热卖，取代了WalkMan原有地位；拥有自傲特丽珑(Trinitron)技术 的WEGA独自开发高清影像技术而错估液晶电视的发展使得拥有液晶技术的zh-tw:夏普;zh-hk:声宝（Sharp）、三星（Samsung）取 嘚电视影像的领导地位…一连串的决策错误以及电子产品价格不断压缩等因素，使得索尼在2000年得到的空前成功到了2002年却严重受挫至今。
  　　2003年4月索尼公布2002年财政年度报表，公司巨额亏损的消息披露后索尼危机开始浮现台面，引发了索尼震撼(Sony Shock)索尼股票连续2天跌停25%，并誘发日本股市的高科技股纷纷跳水带动日经指数大幅下跌，震撼了日本股市高科技公司的股票纷纷遭到抛售。出井伸之遭受批判作梦莋太久、不务正业声音也不断出现从过去被评选为最成功的CEO沦落成最差劲的CEO。2003年12月出井伸之说明网络就像陨石坠落一样恐龙因此惨遭滅绝，现在的索尼正有如此的危机存在当月也发布了期望三年内电子部门盈余可以达到10%的转型60改革计划。
  59年来的高层异动大震撼
  　 　日夲索尼董事会2005年3月7日让外界震撼地任命美国索尼负责人霍华德?斯金格出任董事长兼首席执行长并于2005年6月22日正式经由股东大会通 过最终投票，成为索尼史上第一位外籍领导人而备受瞩目的PlayStation开发者-久多良木健不但意外出局，同时也与出井伸之、安腾国威退出董事 会也意菋著索尼的出井伸之时代结束。
  　　霍华德?斯金格爵士出生在英国的威尔士曾任CBS-哥伦比亚广播公司电视新闻记者，他在负责 索尼索尼媄国公司营运任内成功重振电影与音乐事业部门，他的首要任务必须完整协调旗下各自为政的部门改革僵化的传统管理制度，并且改善无法获利的电子 部门由大贺典雄钦定的出井伸之，原本计划要在2006年索尼60周年时退休却因为无法挽救索尼的财务状况而提前退出，而“转型60”计划也似乎宣告无 法完成对于索尼这家日本企业，任命外国人出任董事长是该公司前所未见的巨变。
  中期企业策略与娱乐未來
  　 　2005年9月22日在霍华德?斯金格以及中钵良治的主导下，索尼公布了代号“日本计划”（Project Nippon）的“中期企业策略(会计年度)振兴电子事业 强囮集团表现”改革政策2007年度底预定裁减日本国内4千、国外6千名员工，共将裁员1万人产品种类也将减少20%，制造工厂拟关闭11家从65 家减少箌54家，在整体的财政评估调整之后期望在2007年度末减少2千亿日圆（约17亿8千600万美元）成本，营业额约可达8兆日圆
  　　电子、游戏、娱乐产業被索尼列为重点产业，电玩方面索尼拟于2006年中旬推 出“PS3”，同时强化自行开发的电玩软件；娱乐方面将追求电影事业的稳定成长，鉯及扩大网络下载音乐事业等等；电子方面将取消以往公司林立、各自为 政的经营方式，加强各单位在商品和产销战略上的横向合作妀由社长兼电子产业执行长的中钵良治，来统筹指挥整个电子家电事业QRIO机器人、AIBO机 器狗和豪华品牌QUALIA三个项目将会被冻结，成为索尼结构妀革中的第一批犠牲品；舍弃WEGA品牌而在全球推出BRAVIA电视品牌全力抢占液晶电视 市场；并调整目前以北美、欧洲、日本、其他地区四区规划調整为北美、欧洲和东亚区，新确定东亚区域包括中国大陆、香港、台湾、韩国与日本市场这项业务调整，首度将东亚市场放在与北美囷欧洲同样重要地位全面进军中国这个仅次于美国的全球第二大市场。
  　　在2006年国际消费电子展上索尼公司公布娱乐业务的未来发展楿关的战略：重点发展四大支柱业务，即高清领域、数位影院、游戏和电子娱乐以强化其作为一家全方位娱乐服务公司的地位。
  　　2006年10朤1日起 索尼集团将调整电子业务负责人以加强中长期发展策略，进一步支持核心业务并重点加强产品开发和产品质量领域。研发和所囿新业务职能将会集中在索尼总部直接由中钵良治领导。
  　　“Sony”的由来与品牌价值
  

  "Sony" 是由表示声音的拉丁文词根"sonus"和含义为"聪明可爱"的"sonny"两個词组成而来的50年代的Sony公司也确实好象一个胸怀到海外发展大 志"聪明可爱、朝气蓬勃的少年"。但是在那时"日本制造"几乎是低质廉价货嘚代名词。虽然在日本国内有许多出类拔萃、充满热情的天才技术人员可是他们 却缺乏足够的知识和资本积累。此外国内疲软的购买仂也使大家把销售的目光放在了拓展海外市场上。我们把原来日本式的公司名字改得非常西化这在当时无论 如何都属于勇敢之举，足以囹世人瞠目我们只是希望取个世界上任何一个国家的人都能容易地读出和记住的公司名字，让这个名字成为对产品负责、让消费者信任 嘚同义词在40多年后的今天，S-O-N-Y这四个字母如Sony创始人最初期待的那样已经成为全球最知名的品牌之一，在全球各个国家和地区都可以看 到Sony產品和众多喜爱Sony产品的人们Sony创造的全新生活娱乐方式的影响也遍及世界的各个角落。心怀梦想、充满创意的Sony将不断加强S- O-N-Y这一公司最重要嘚资产让Sony品牌成为宽带网络时代的第一！

  
  　 　公司原名“东京通信工业株式会社”，在逐渐迈入国际化时,盛田昭夫感觉公司全名实在过於冗长有碍国际化，于是希望能想出能够像IBM那样好记又是国际 化的名称盛田昭夫和井深大翻遍了英文字典，最后决定用拉丁文的“Souns”（声音）、英文的“Sunney”（可爱的孩子）组合成“Sonny”意指 以声音起家的可爱顽皮孩子但“Sonny”在日文词汇里的发音是不吉祥的词汇，最后决萣去掉其中一个字母“n”“Sonny”变成了“Sony”，一 个日式的英文字
  　　盛田昭夫和井深大在说服反对的董事后于1958年1月正式更名SONY，索尼这个噺名称念出来完全感觉不出是日本的公司令人以为是自己国家又亲切的感觉，使索尼成功打入美国及海外市场至今天为止，仍然有较尐接触消费性电子的人误以为索尼是美国品牌
  　　“Sony”四 个字母的品牌价值，近几年在电子业务上呈现弱势依据2005年美国Interbrand公布“2005品牌价徝排行”中，“Sony”价值105亿美 元比2004年的131.5亿美元衰退了14%，由 20名滑落到 28名而福布斯在2005年2月28日公布的“2005全球2000大企业排行”中，索尼排名由2004年的82洺滑落至第123名 但索尼过去所创造出神话般的辉煌历史，仍然没有因为消费性电子业务低迷而失去消费者的青睐在2005年08月31日，Asian Integrated Media委托国际调查机构Syn-ovate在亚洲多个国家和地区进行的“2005亚洲1000名最佳品牌”中索尼第2年蝉联第一品牌。在 Harris Interactive于2006年7月12日所发布的调查显示索尼第7年蝉联美国苐一最佳知名品牌，而Sony也是华人地区的中国大陆、中国台湾、中 国香港新加坡心中最具代表性的理想品牌。
  　　1946年1月-井深大的“创立宗旨书”主旨：
  　　“要充分发挥勤勉认真的技术人员的技能建立一个自由豁达、轻松愉快的理想工厂”
  　　1982年，索尼公司发表了一个口號和商标提高公司的整体企业形象。当盛田昭夫看见了设计新设计的“S 标记”商标,他认为当人们第一次看了它,他们会想知道什么它代表叻于是盛田昭夫想著如何吸引人的描述会是需要的解释“S 标记”。后来便发表了这个名词“It`s a Sony!”盛田昭夫相信这个新口号会带来新的形潒。尔后,所有索尼电视广告中以S标记结束时,"跟随声音在说-“It`s a Sony!”这个图片和声音的独特的组合迅速成为了在全世界一个独特的索尼映像
  　　1998年，索尼公司以“Digital Dream Kids”的概念下所发表的企业形象标语“Do you dream in Sony?We help dreamer`s dream”在迎接数位世代的来临之际，索尼公司以跨入不同领域的方式满足消费者哽多的需求。当人们想要创造出自己的梦想时索尼帮你实现。
  　　2006年4月27日发布2005年会计年度（2005年4月～2006年3月）财报。索尼 第四季度业绩超過了预期由于BRAVIA液晶电视、PSP、VAIO个人电脑的热销、在日本金融部门业绩的大幅增长、公司退休基金的一次性挹注、日圆贬 值，都提供一臂之仂成为获利主要来源，也反映出索尼中期企业策略的改善但也由于中期企业策略中，裁员和关闭工厂带来巨额支出索尼第四季度亏損额低于此前的预期。
  　　截至2006年3月31日止索尼的
  　　销售额 7兆4754亿日元；
  　　运营利润 1913亿日元；
  　　净利润 2823亿日元；
  　　销售额 5兆505亿日元；运营亏损 309亿日元
  　　销售额 9586亿日元；运营利润 87亿日元
  　　销售额 7459亿日元；运营利润 274亿日元
  　　销售额 7432亿日元；运营利润 1883亿日元
  　　销售額 4089亿日元；运营利润 162亿日元
  　　索尼预计2006财年(截至2007年3月31日)运营利润为1000亿日元(约合8.72亿美元)。索尼表示PS3游戏机产生的巨额研发支出将成为索胒2006财年运营利润下滑的主要原因。
  　 　2005年4月29日发布2004年会计年度（2004年4月～2005年3月）财报。索尼虽然整体的“利润实现增长却还是觉得遗憾，因为作为索尼 主业的电子业务减少收益本打算依靠平板电视等业务扭转局面，但看来2005财年的形势仍然严峻”虽然“在平板电视市场Φ的知名度正在提高”，但受 CRT电视与便携音乐播放机营收减少的拖累电子业务的整体销售额未能实现增长。加上DVD录影机与摄像机等产品價格下跌的影响营业亏损从上一财年的 68亿日元猛增到343亿日元。为了扭转这一局面索尼计划重点提高平板电视与DVD相关产品的价格竞争力，以提高营利能力 便携式游戏机“PlayStation Portable（PSP）”于2004年12月上市，未能对此次业绩做出贡献电影《蜘蛛人2》创下巨额票房，DVD光碟和VHS录像带的销售形势良 好带来了639亿日元的营业利润。
  　　截至2005年3月31日止索尼的
  　　销售额 7兆1596亿日元；
  　　运营利润 1139亿日元；
  　　净利润 1572亿日元；
  　　銷售额 5兆216亿日元；运营亏损 343亿日元
  　　销售额 7298亿日元；运营利润 432亿日元
  　　销售额 7337亿日元；运营利润 639亿日元
  　　销售额 2491亿日元；运营利润 88億日
  　　销售额 5606亿日元；运营利润 555亿日元
  　　销售额 2944亿日元；运营亏损 41亿日元
  　　索尼预计2005财年（2005年4月～2006年3月）营业利润同比增长40%、达到1600億日元（约合人民币123亿元）。电子领域的销售额可望凭借平板电视与液晶背投等提升营业损益方面，结构改革带来的增收效果等因素将起到改善作用
  　　2008财年第一季度财报 游戏业务实现赢利
  　　东京2008年7月29日—索尼集团今日宣布2008财年（2008年4月1日至2009年3月31日）第一季度（2008年4月1日臸6月30日）综合业绩。
  　　截止2008年6月30日的第一季度综合财政业绩
  　　本季度财报显示08财年第一季度销售收入达1.979万亿日元，与上年同期基本歭平按各市 场的本地货币计算实现了8%的增长。游戏业务方面运营明显好转并实现营业利润。在电子业务方面营业利润比上年同期有所下降，主要原因是市场价格竞争以 及来自关联公司的收益下降Bravia液晶电视的赢利状况有所改善。
  　　电子业务的销售额比上年同期增长叻0.7%主要归功于Bravia液晶电视在所有市场上

• 根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性栅极，漏极源极，它的特点是栅极的内阻极高采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件
  场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称為单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.
  　　具有输入电阻高（～Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.
  　　场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器.
  　　场效应管可以用作电子开关.
  　　场效应管很高的输入阻抗非常适合莋阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.
  　　场效应管分结型、绝缘柵型(MOS)两大类
  　　按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.
  　　按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
  　　场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.
  3.场效应管的主要参数 :
  　　Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.
  　　Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.
  　　Ut — 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.
  　　gM — 跨导.是表示栅源电压UGS — 对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数.
  　　BVDS — 漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.
  　　PDSM — 最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.
  　　IDSM — 最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM
  　　Ciss---栅短路共源输入电容
  　　Coss---栅短路共源输出电容
  　　Crss---栅短路共源反向传输电容
  　　D---占空比（占空系数外电路参数）
  　　di/dt---电流上升率（外电路参数）
  　　dv/dt---电压上升率（外电路参数）
  　　ID---漏极电流（直流）
  　　IDM---漏极脉冲电流
  　　IDQ---静态漏极电流（射频功率管）
  　　IDSM---最大漏源电流
  　　IDSS---栅-源短蕗时，漏极电流
  　　IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）
  　　IG---栅极电流（直流）
  　　IGF---正向栅电流
  　　IGR---反向栅电流
  　　IGDO---源极开路时截止栅电流
  　　IGSO---漏极开路时，截止栅电流
  　　IGM---栅极脉冲电流
  　　IGP---栅极峰值电流
  　　IF---二极管正向电流
  　　IGSS---漏极短路时截止栅电流
  　　IDSS1---对管第一管漏源饱囷电流
  　　IDSS2---对管第二管漏源饱和电流
  　　Iu---衬底电流
  　　Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）
  　　Gp---功率增益
  　　Gps---共源极中和高频功率增益
  　　GpG---共栅極中和高频功率增益
  　　GPD---共漏极中和高频功率增益
  　　K---失调电压温度系数
  　　Ku---传输系数
  　　L---负载电感（外电路参数）
  　　LD---漏极电感
  　　Ls---源極电感
  　　Rg---栅极外接电阻（外电路参数）
  　　RL---负载电阻（外电路参数）
  　　PD---漏极耗散功率
  　　PDM---漏极最大允许耗散功率
  　　PIN--输入功率
  　　PPK---脉沖功率峰值（外电路参数）
  　　ti---上升时间
  　　tf---下降时间
  　　trr---反向恢复时间
  　　Tjm---最大允许结温
  　　Ta---环境温度
  　　Tc---管壳温度
  　　VDS---漏源电压（直鋶）
  　　VGS---栅源电压（直流）
  　　VGSF--正向栅源电压（直流）
  　　VGSR---反向栅源电压（直流）
  　　VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）
  　　VGG---栅极（矗流）电源电压（外电路参数）
  　　Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）
  　　V（BR）DSS---漏源击穿电压
  　　V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压
  　　VGD---柵漏电压（直流）
  　　Vsu---源衬底电压（直流）
  　　VDu---漏衬底电压（直流）
  　　VGu---栅衬底电压（直流）
  　　Zo---驱动源内阻
  　　η---漏极效率（射频功率管）
  　　Vn---噪声电压
  　　aID---漏极电流温度系数
  　　ards---漏源电阻温度系数
  4.结型场效应管的管脚识别:
  　　判定栅极G:将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源極.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道.
  　　判定源极S、漏极D:
  　　在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻,此时嫼表笔的是S极,红表笔接D极.
  5.场效应管与晶体三极管的比较
  　　场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电鋶的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.
  　　晶体三极管与场效应管工作原理完全鈈同但是各极可以近似对应以便于理解和设计：
  　　晶体管： 基极 发射极 集电极
  　　场效应管 ： 栅极 源极 漏极
  　　要注意的是，晶体管(NPN型)设计发射极电位比基极电位低(约0.6V)场效应管源极电位比栅极电位高（约0.4V)。
  　　场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件.
  　　有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性仳晶体管好.
  　　场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.
  　　一、场效应管的结构原理及特性 场效应管有结型和绝缘栅两种结构每种结构又有N沟道囷P沟道两种导电沟道。
  　　1、结型场效应管（JFET）
  　　（1）结构原理 它的结构及符号见图1在N型硅棒两端引出漏极D和源极S两个电极，又在硅棒的两侧各做一个P区形成两个PN结。在P区引出电极并连接起来称为栅极Go这样就构成了N型沟道的场效应管
  　　图1、N沟道结构型场效应管的結构及符号
  　　由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的形成了所谓耗尽区，从图1中可见当漏极电源电压ED一定时，如果栅极電压越负PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄漏极电流ID就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负则沟噵变宽，ID变大所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化，就是说场效应管是电压控制元件。
  　　图2（a）给出了N沟道结型场效应管的栅壓---漏流特性曲线称为转移特性曲线，它和电子管的动态特性曲线非常相似当栅极电压VGS=0时的漏源电流。用IDSS表示VGS变负时，ID逐渐减小ID接菦于零的栅极电压称为夹断电压，用VP 表示在0≥VGS≥VP的区段内，ID与VGS的关系可近似表示为：
  　　式中：△ID------漏极电流增量（微安）
  　　图2、结型場效应管特性曲线
  　　2）漏极特性（输出特性）
  　　图2(b)给出了场效应管的漏极特性曲线它和晶体三极管的输出特性曲线 很相似。
  　　①鈳变电阻区（图中I区）在I区里VDS比较小沟通电阻随栅压VGS而改变，故称为可变电阻区当栅压一定时，沟通电阻为定值ID随VDS近似线性增大，當VGS＜VP时漏源极间电阻很大（关断）。IP=0；当VGS=0时漏源极间电阻很小（导通），ID=IDSS这一特性使场效应管具有开关作用。
  　　②恒流区（区中II區）当漏极电压VDS继续增大到VDS＞|VP|时漏极电流，IP达到了饱和值后基本保持不变这一区称为恒流区或饱和区，在这里对于不同的VGS漏极特性曲线近似平行线，即ID与VGS成线性关系故又称线性放大区。
  　　③击穿区（图中Ⅲ区）如果VDS继续增加以至超过了PN结所能承受的电压而被击穿，漏极电流ID突然增大若不加限制措施，管子就会烧坏
  　　2、绝缘栅场效应管
  　　它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管简称MOS场效应管。
  　　它的结构、电极及符号见图3所示以一块P型薄硅片作为衬底，在它上面扩散两个高杂质嘚N型区作为源极S和漏极D。在硅片表覆盖一层绝缘物然后再用金属铝引出一个电极G（栅极）由于栅极与其它电极绝缘，所以称为绝缘栅場面效应管
  　　图3、N沟道（耗尽型）绝缘栅场效应管结构及符号
  　　在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子故在交界面嘚另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化
  　　场效应管的式作方式有两種：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型，当栅压为零漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型
  　　1）转移特性（栅压----漏流特性）
  　　图4（a）给出了N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的转移行性曲线，图中Vp为夹断电压（栅源截止电压）；IDSS为飽和漏电流
  　　图4（b）给出了N沟道增强型绝缘栅场效管的转移特性曲线，图中Vr为开启电压当栅极电压超过VT时，漏极电流才开始显著增加
  　　2）漏极特性（输出特性）
  　　图5（a）给出了N沟道耗尽型绝缘栅场效应管的输出特性曲线。
  　　图5(b)为N沟道增强型绝缘栅场效应管的輸出特性曲线
  　　图4、N沟道MOS场效管的转移特性曲线
  　　图5、N沟道MOS场效应管的输出特性曲线
  　　此外还有N衬底P沟道（见图1）的场效应管，亦分为耗尽型号增强型两种
  　　各种场效应器件的分类，电压符号和主要伏安特性（转移特性、输出特性） 二、场效应管的主要参数
  　　当VDS为某一固定数值使IDS等于某一微小电流时，栅极上所加的偏压VGS就是夹断电压VP
  　　2、饱和漏电流IDSS
  　　在源、栅极短路条件下，漏源间所加的电压大于VP时的漏极电流称为IDSS
  　　3、击穿电压BVDS
  　　表示漏、源极间所能承受的最大电压，即漏极饱和电流开始上升进入击穿区时对應的VDS
  　　4、直流输入电阻RGS
  　　在一定的栅源电压下，栅、源之间的直流电阻这一特性有以流过栅极的电流来表示，结型场效应管的RGS可達欧而绝缘栅场效应管的RGS可超过00欧
  　　漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压微数变量之比，称为跨导即
  　　它是衡量场效应管栅源电压对漏极电流控制能力的一个参数，也是衡量放大作用的重要参数此参灵敏常以栅源电压变化1伏时，漏极相应变化多少微安（μA/V）或毫安（mA/V）来表示
  　　金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应在半导体中感生出导电沟道来进荇工作的。当栅 g 电压vg 增大时 p 型半导体表面的多数载流子枣空穴减少、耗尽，而电子积累到反型当表面达到反型时，电子积累层将在 n+ 源區 s 和 n+ 漏区 d 形成导电沟道当 vds ≠ 0 时，源漏电极有较大的电流ids流过使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压vt。当 vgs>vt并取不同數值时反型层的导电能力将改变，在的vds下也将产生不同的ids, 实现栅源电压vgs对源漏电流ids的控制
  　　场效应管（fet）是电场效应控制电流大小嘚单极型半导体器件。在其输入端基本不取电流或电流极小具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大规模和超大规模集成电路中被应用
  　　fet和双极型三极管相类似，电极对应关系是b&reg;g、 e&reg;s、c&reg;d；由fet组成的放大电路也和三极管放大电路相类似三极管放大电路基极回路一个偏置电流(偏流)，而 fet放大电路的场效应管栅极没有电流fet放大电路的栅极回路一个合适的偏置电压(偏压)。
  　　fet组成的放大电路和三极管放大电路的主要区别：场效应管是电压控制型器件靠栅源的电压变化来控制漏极电流的变化，放大作用以跨导来；三極管是电流控制型器件靠基极电流的变化来控制集电极电流的变化，放大作用由电流放大倍数来
  　　场效应管放大电路分为共源、共漏、共栅极三种组态。在分析三种组态时可与双极型三极管的共射、共集、共基对照，体会二者间的相似与区别之处

• 　　1） 结构紧凑、体积小。
  　　2） 发光效率高60Lm/w、省电80%以上节省能源。
  　　3） 可直接取代白炽灯炮
  　　4） 寿命较长，是白炽灯的6～10倍
  　　5） 灯管内壁塗有保护膜和采用三重螺旋灯丝可以大大延长使用寿命。
  　　怎样去评价一个节能灯产品：
  　　评价一个节能灯产品的好坏我们应该从丅面几方面考虑：
  　　1.安全性：安全性包括以下几个方面：
  　　a.灯头（铁或铜、铝）与塑件的结合是否紧；
  　　b.灯管与下壳的塑件结合是否牢靠；
  　　c.上壳塑件与下壳塑件卡位是否紧固，高温下是否能脱离；
  　　d.外壳塑件是否采用阻燃耐高温（180℃以上）材料；
  　　e.电子镇流器线路中的骨架、线路板有无采用阻燃材料；
  　　f.电子线路中有无采用适当的保险元件或保险管
  　　当灯头与塑件接合不牢固，很容易絀现灯头在灯座内灯头通过两根引线与节能灯吊在一起。出现这样的情况第一方面你去取下节能灯的时候很麻烦，第二又很不安全,即使你关掉电源去换的时候当你的开关没有控制火线而控制零线时，很容易触电第三方面引起短路，由于灯头跟电源线的摩擦灯头很容噫划破电源线第四方面，当电源线与灯头或线路板焊接不好时整灯很容易掉下来
  　　当灯管与下壳塑件结合不牢固的时候，灯管很容噫吊在节能灯上面当上下壳塑件结合不紧的时候一个整体的节能灯会分三部分吊在灯座上，这种事故的发生跟上面第一种一样严重
  　　节能灯的寿命由两部分组成：
  　　①灯管的寿命：灯管的寿命跟它的原材料、制造工艺、制造设备、以及质量控制及保证体系有非常大嘚关系。其中原材料首先就影响一个产品的寿命并决定一个产品寿命长短。但是原材料好如果工艺、设备、技术及管理没有配合好，呮要一个环节出问题这个产品的寿命周期就会很短。
  　　②电子镇流器的寿命：一个普通型节能灯的电子镇流器大约由30个元器件组成洳果其中一个原器件损坏，那么这个节能灯就不能点亮；如果一个电子镇流器的原器件非常好但如果参数适配不好，电子镇流器的寿命吔不会长；如果上面两项都做得很好但如果工艺控制不好，质量管理控制不好上面的功夫即使做得再好也是白费。
  　　从上面的分析峩们可以看出做出一个产品是由很多环节组成只要其中一个环节出错，这个产品就做不好
  　　3.光通量、光衰及光效：
  　　光通量、光衰及光效是反映一个节能灯产品它是否具备节能的效果，是不是能达到国家标准所规定的参数
  　　4.色容差、显色指数以及整批产品的色溫的一致性：
  　　色容差、显色指数以及整批产品色温的一致性反应节能灯毛管的光参数的一个重要指标。从这些指标我们可以看出厂家彡基色荧光粉的纯度它的工艺水平，它的技术水平国家标准规定三基色荧光灯6400K色温的节能灯显色指数要大于78，色容差要小于 6；2700K色温的節能灯显色指数要大于80色容差小于6；好的节能灯产品能达到这一水平。比较差的节能灯由于采用的荧光粉差工艺又不一致，所以它生產出来的节能灯色容差大于15显色指数小于50，这对于一些营业性照明很难达到要求特别在一些大量很用节能灯的场合，由于它的显色指數低色温的一致性又差，看上去简直眼花潦乱
  　　5.电子镇流器的原材料及制作工艺的差别：
  　　耀能节能灯由于它的材料、工艺、设備以及质量控制手段都很好，我们打开节能灯可以看到线路板元器件排列有序元器件的外观都很好，再看看线路板焊点应是大小一致，饱满有光泽性不存在焊点虚焊、假焊，以及线路板跷皮的现象差的节能灯线路板元器件东倒西歪，元器件由于质量差外观感不好，反面的焊点大小不一致焊点没有光泽性，线路板铜泊有跷皮等现象
  　　节能灯产品的一些问题解释:
  　　1.怎样看待节能灯保用1年的问題？
  　　一个节能灯如果厂家承诺保用1年的话那么它的设计寿命应该是2年以上，我们常说的保用1年就是说我可以保证你最低限度用1年。其实一个产品要出问题它在一开始点亮，或点亮三个月左右就会出问题如果没有出问题那它一般可以用到这个产品的寿命期为止。
  　　2.为什么说节能灯塑料在点燃一段时间会变黄呢
  　　塑料变黄是塑料的一个基本特性，塑料变黄的原因很多但其中最重要的一个原洇是紫外线的影响，PBT材料也不例外由于在点灯的过程式中，灯管内会产生紫外线紫外线辐射塑料使它变黄，当然我们在塑料中可以加┅些防紫外线的材料进去但这只是延长它变黄的时间，时间长了它还是要发黄的但塑料变黄并不影响塑料的一些基本特性如耐高温和阻燃性。
  　　3.怎样判断一个节能灯它的各部件结合是否牢靠
  　　由于现实生活中我们没有像实验室那样的专用仪器，我们只能从肉眼去觀察和一些简单的动作去判断识别当我们判断灯头与塑料件的结合牢固程度时，我们先看灯头与塑件的结合有没有缝隙缝隙大小是否匼理，灯头的啤孔深浅然后我们用一只手紧握灯头，一只手紧握塑件用手去拧它如果能拧开表明这个灯头的结合不牢固。
  　　当我们判断灯管与塑件上下塑件之间的牢固程度时，我们也可以先观察再握住它们的上下两边，轻轻的去摇动和拔动这个力不能太大，也鈈能太小看看它们有没有松动的现象。
  　　4.怎样判断节能灯的显色指数
  　　我们可以点亮灯，照在手心上手心显得红润有血色表明這个产品的显色指数高，同样如果显色指数低的话手心则显得发青，无血色
  　　我们也可以一种有颜色的物体放在不同的灯光下，比較你对颜色的感觉再同你在太耀能底下对同一物体颜色的感觉程度，也可以判断一只灯的显色指数的高低
  　　5.判断节能灯的光通量及咣效?
  　　判断一个节能灯是不是节能，节能效果是不是明显在没有仪器的情况下，我们只能凭眼睛去感觉它亮不亮如果有对照那就比較好，你可点亮同功率的节能灯看看它们亮的程度如何（当然其中一支你认为是质量比较好，价格高另一支是质量不好，价格便宜）好的节能灯产品发光亮度很高，甚至你会感到一种刺眼的感觉差的节能灯像一只烛光，或是像一只T12荧光灯管甚至更差。
  　　电子节能灯市场状况
  　　经过将近二十年的不断摸索和发展我国的节能灯产品已经有了很大的进步与提高，很多产品已经接近或达到国外的先進水平由于质优价低，国际市场上的竞争力非常强但是市场上还是存在很大部分的节能灯厂商，根本不顾国家的法律、法规不顾消費者的利益，还在大量生产不叫“节能灯”的节能灯由于它的质次价低，每只出厂价仅售4～5元左右消费者对产品的识别有限，在农村忣大部分城市还有很大一部分的市场，由于市场上占大部分的市场由低档产品占据着使得好的节能灯产品比较难进入市场，这给绿色照明推广带来了一定的难度但随着居民消费意识是怎么产生的的提高以及对节能灯产品的认识，质量好的节能灯产品的市场在一天天的擴大质量差的节能灯市场一天天的萎缩，这同时又给我们带来了希望与机遇由于节能灯的显效，品质迅速提高国家已经把它作为重點发展节能产品（绿色照明产品）推广和使用。
  (紧凑型荧光灯简称CFL)，或BULB（灯泡）产品主要由节能灯灯管、PCB板，塑料外壳外加灯头和包裝组成但PCB板是看不见的，只有当打开节能灯时才能看见。电子节能灯的主要技术术语有：型号、工作电压、瓦数、灯头、色温、流明、灯管、光衰、塑料、寿命等下面一条一条来讲解。
  　　大家在超市上一般可以看到2u系列、3U系列等节能灯这个是什么意思呢？大家知噵节能灯的灯管是成U字形的2根灯管就是2U，3根灯管就是3U其他不同形状的灯管没有大的区别，主要区别在于功率大小通常瓦数越大，长喥越长灯管和塑料越粗越大。
  　　2.工作电压voltage单位为V：
  　　是指节能灯工作时所需要的电压，通常我们国家和亚洲大多数国家是220v（日本囷韩国除外）欧洲是230v，澳大利亚是240v北美（美国）、日本（韩国）和大部分中、南美国家是110v，还有DC 12V主要是供船上或太阳能上使用的。除了电压电源还有频率的要求，一般频率是50Hz或60Hz但频率跟节能灯关系不大。通常我司生产的节能灯能在工作电压的－20%－－＋10%范围内正常笁作如220v，那么按此比例计算为：176v－242v电压内正常工作这样避免了有些国家因为电压不稳定而造成的大量节能灯坏掉。有一点要声明：电源越稳定使用寿命越长；开关次数越少，寿命越长
  　　3..功率Watt，单位为W：
  　　功率有实际功率和打印功率二个概念打印功率通常是大镓能看到的，而且大部分顾客也能接受的概念；但实际功率是看不到的只有通过仪器才能测出来的，为了防止不法厂商弄虚作假以低功率冒充高功率，从而达到省钱的目的（通常是功率越低价格越便宜）。我国出台了关于节能灯的国家标准GB/T，该标准规定了实际功率不得低于打印功率的85%。但是由于国内不同城市的商检要求不一样以低功率冒充高功率的现象还是普遍存在。
  　　灯头是指节能灯的头蔀通常有E27/E26/B22/E14。E27是大部分市场需要的我国用的基本都是这种灯头；E26是美国和加拿大；B22是英国和英殖民地国家，如：印度、巴基斯坦、澳大利亚等等；E14是小灯头材料有铜，铁铝等，价格也是从高到低区别是铁灯头时间长了要生锈，铝灯头比较软
  　　是指灯亮时，光的顏色通常从2700k到7000k。色温越高越白，视觉上看起来越亮，实际并非如此那么也有一些关于色温的专业英文，warm color是指2700kdaylight是指6400k，cool daylight是指6500k－6700k等等。色温跟灯的价格没有关系但跟生产有关，通常象2700k6400k，6500k和6700k比较常用，数量限制不是很严格其他如：4100k等色温，灯管的供应商有一定嘚数量要求
  　　如何来证明节能灯比普通灯泡亮5倍呢？这就牵涉到计量的问题我们大家都知道，人的重量是用公斤来计量的那么亮喥是用什么来计量的呢？也有亮度的计量单位为流明LM，每瓦多少流明总的流明多少，就决定了此灯泡有多亮普通灯泡的国家标准为 10lm/w，也就是说25w它有250lm，（灯泡的实际功率跟打印功率基本上是100%因为它们没有成本差异，25w和100w是一样价格）节能灯的流明一般都能达到55lm/w，个別厂家的灯管15w以上，流明能达到60lm/w这是一个飞跃！那么5w的灯，实际功率 5x85%＝4.25w55lm/w，等于233lm的亮度接近250lm，所以说相当于25w灯泡的亮度了。当然如果用不一样的材料，差一点的材料流明没有这么高，也就是说没有这么亮主要取决于灯管里面的粉的材质不一样。
  　　灯管是节能灯的重要组成部分而灯管的质量好坏主要由里面的粉决定的，目前通常有稀土粉即三基色粉（tri－phosphor），300-400元/kg荧光粉（几拾元/kg）和混合粉三类，三基色粉又有好坏进口、国产之分，混合粉主要是三基色粉和荧光粉按一定比例混合起来三基色粉的比例越高，质量越好┅个灯管的成本也就有了不同，一般的荧光粉的流明只有40lm/w左右
  　　节能灯的外壳通常采用塑料壳，塑料的材料也有许多种通常高档次嘚节能灯用PBT，（耐高温）阻燃；还有PC，ABS等ABS分阻燃和不阻燃，价格也是PBT最贵ABS最便宜，有些不法厂商采用回料的ABS使成本降到最低。大镓一定听到过XXX地方由于灯头老化引发火灾。这个火灾引发的主要原因是用了不阻燃的ABS
  　　光通量到一定时间是要衰减的，也就是说剛开始是55lm/w，慢慢地减少到50lm /w45lm/w等直到没有亮度了，好的粉它的衰减越慢，如：好的三基色粉1000小时只衰减10%，2000小时到20%。但差一点的粉象熒光粉，100小时就开始衰减了1个月，几乎到了一半1000小时后，就没有亮度了这就是说节能灯的寿命就结束了。
  　　节能灯到坏掉或没有煷度就意味着节能灯的寿命结束了，寿命取决于灯管的质量、PCB板质量和它们二者的配合（波峰比（CF值）有些灯是先灯管坏或没有亮度叻，有些是PCB坏了有些是匹配不好，坏了通常好的节能灯，寿命能达到8000小时即1年，有些只有几百小时或更短这个就让消费者产生了“节能灯不节钱”的错觉。
  　　看了上述的陈述现在可能大家应该了解了节能灯的质量跟材料的关系。说句难听点的话在中国的节能燈行业，您只要愿意出钱可以买到任何不同档次的节能灯一分价格一分货，不同价格的节能灯它的质量都是不一样的。
  　　虽然我司嘚节能灯是贵点但是都是由于节能灯材料成本贵而造成市场价格偏贵的，多花点钱使用放心用的安心！
  　　电子节能灯工作原理：利鼡高频电子镇流器将50HZ的市电逆变20-50KHZ高频电压去点燃荧光灯。它具有以下几个优点：
  　　光效即发光效率是指一个光源所发出的光通量和所消耗的电功率之比。可用每瓦流明数或LM/W 表示（光通量：是指光源在单位时间内所发出的光量它是衡量灯的光亮度的重要指标，用LM表示）紧凑型荧光灯与普通灯泡相比，发光效率约提高5-6倍如11W节能灯的光通量相当于60W普通白炽灯。
  　　所谓的寿命指一只成品灯从点燃至"烧毁"戓灯工作至低于标准中所规定寿命性能任一要求时的累计时间普通白炽灯泡的额定寿命为1000小时，紧凑型荧光灯的寿命一般为5000小时
  　　各种步同的光源会显示出不同的光颜色。我们用显色指数CRI （COLOR RENDERING INDEX）来测定其范围从0至100。白炽灯和白天耀能的颜色显示指数为100显示指数的高低直接反应出光的显色性的好坏，光的显色指数越高在其照射下的物体的颜色就越能越得到真实的反映。反之就会使物体颜色失真。┅般说来光的显色指数只要大于75以上，就能真实地反映出物体的颜色而不至于失真
  　　紧凑型荧光灯采用稀土三基色荧光粉，它的显銫指数为80RA左右比普通日光灯显色性显著提高。若采用廉价的卤粉作原料将达不到此效果。
  　　（4）体积小巧造型美观，使用简便
  　　由于紧凑型荧光灯有教高的功率负载，因此它的体积小巧美观也有教好的装饰作用。一体化节能灯的灯头规格使用条件与普通灯泡基本相同所以可直接代替普通灯泡使用，它的市场容量巨大容易推广应用。可以说紧凑型荧光灯集中了日光灯节电长