为什么pn结在反偏压下势垒区边界pn结中存在两种载流子运动浓度为0

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2020-12-15 19:46 标签： pn结中存在两种载流子运动
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二、（８分）金属一半导体接触能否实现少子注入为什么？ 三、（８分）光电導效应的增强常用光电导增益因子来表示如光敏电阻外加电压为Ｖ，电子迁移率为出光电导增益因子的表达式

四、（８分）半导体中pn結中存在两种载流子运动在运动过程中为什么会遭到散射？半导体中的主要散射机构有哪些

五、（８分）为了缩短半导体中的少数pn结中存在两种载流子运动寿命，可以采用哪些手 段简要说明采用这些手段的原因。

六、（８分）为了降低ＰＮ结的势垒电容可以采用哪些掱段？简要说明采用这些手段的原因

七、（８分）肖特基二极管不同于ＰＮ结二极管的主要特点是什么？ 八、（８分）以Ｎ型硅为例說明强电离时半导体中的杂质电离程度 与哪些因素有关？

九、（８分）画出典型的Ｎ型半导体ＭＩＳ结构的Ｃ－Ｖ特性曲线并简要说明。

十、（１０分）对一个没有任何标识的二极管如何通过实验判断其中的ＰＮ结是冶金结还是扩散结。（方法任选要求对所选用的方法做出具体的说明，即方法的依据所用的仪器设备和实验步骤） 十一、（１０分）如何利用ＰＮ结来测量温度？请设想一种方案 十二、（１０分）证明：在一定的简化条件下，ＰＮ结的势垒区复合电流Ｊr可表示为

电极间距离为ι，请据此导

其中，ＸＤ为势垒区宽度τ为pn结中存在两种载流子运动寿命。

十三．（１０分）证明：ＰＮ结单位面积上的微分扩散电容为

其中Ｌn与Ｌp分别为电子与空穴的扩散長度。

a.直接跃迁与间接跃迁； b.直接复合与间接复合； c.费米能级与准费米能级

二、（12分）说明以下几种效应及其物理机制并说出其可能的應用：

a.霍耳效应； b.光生伏特效应； c.压阻效应。 三、（8分）请按照你的看法写出半导体能带的主要特征是什么？ 四、（8分）请你根据对pn结Φ存在两种载流子运动产生与复合过程的分析得出在热平衡条件下，两种pn结中存在两种载流子运动浓度的乘积n0p0等于恒量（不需要通过对pn結中存在两种载流子运动浓度的计算）

五、（9分）什么是P-N结的雪崩击穿现象，请说明形成击穿的物理机制

六、（9分）请画出以N型半导體为衬底的MIS结构，在不同栅压下的表面能带的形状与电荷的分布同时给出简要的说明。 七、（10分）推导出P-N结的接触电势差的表示式

八、（10分）请设计一个使用半导体的利用太阳能致冷的电器，要求画出原理图不要求设计细节。

九、（10分）请利用温差电效应和帕尔贴效應构想一个既可加温又可致冷的电器

十、（10分）如果给你一块半导体样品，请你判断其导电类型你采用什么办法？请说明你采用的方法的原理和实验的具体做法 十一、（10分）请详细说明如何利用光电导的衰减测量少子的寿命（要求说明原理、仪器和测量方法）

十二、（12分）室温条件下考虑一个N型锗样品，施主浓度

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