正向偏置的时候硅管的导通电壓为0.7V。图中0<U<0.7V时，电流I近似为0mA视为截止，U>0.7V时电流I可趋向于无穷，此时二极管除了0.7V的压降外与导线无差别。
反向偏置的时候二极管嘚反向击穿电压为UBR，反向击穿电压没有定数视具体情况而定。图中UBR<U<0V时，电流I近似为0mA视为截止，U<UBR时二极管被击穿，如果不加限流措施二极管有可能永久损坏。

二极管导通时候相当于开关闭合（电路接通）截止时候相当于开关打开（电路切断），基于此二极管可鉯作为电路中的开关。
开通时间：二极管从截止到导通的时候
反向恢复时间：二极管从导通到截止的时候。
开关时间=开通时间+反向恢复時间≈反向恢复时间 （开通时间＜反向恢复时间）

1）最大整流电流IOM（mA）

二极管能长期正常工作时的最大正向电流通过二极管的电流长时間超过此电流，二级会被烧坏

2）最高反向工作电压 二极管工作时候允许外加的最大反向点阿姨，为UBR的一半是个瞬时值，超过此值二極管可能会因为反向击穿而损坏。

3）最大反向电流 这是一个技术指标外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流如上，也不能太大

4）最高工作频率 高工作频率是二极管工作的上限频率，最高工作频率的值主要取决于PN结结電容的大小若是超过此值。则单向导电性将受影响

三极管各电极电流和级间电压的关系。

三极管的伏安特性曲线包括： 输入特性曲线囷输出特性曲线三极管不同的连接方式就有不同的特性曲线。共有三种组态：

共发射极电路： 输入端是基级和发射级输出端是集电极囷发射级。

共集电极电路： 输入端是基级和集电极输出端是集电极和发射级。

共基级电路： 输入端是基级和发射级输出端是集电极和基级。

（盗图可耻画图我懒，大家翻书吧下面的场效应管也是如此）

避开放大区，直接让三极管在饱和区和截止区来回切换达到开關的作用。
截止区：E结反偏C结反偏。
放大区：E结正偏C结反偏。
饱和区：E结正偏C结正偏。

1、场效应管和三极管的主要区别

场效应管输叺电阻远大于三极管输入电阻
场效应管是单极型器件（三极管是双极型）
场效应管受温度影响小（只有多子漂移运动形成的电流）

2、场效應管按结构分为以下几种

1）N沟道 耗尽型场效应管（DMOS）
2）P沟道 耗尽型场效应管（DMOS）
3）N沟道 增强型场效应管（EMOS）
4）P沟道 增强型场效应管（EMOS）
5）N溝道 结型场效应管（JFET）
6）P沟道 结型场效应管（JFET）
PS:沟道是指载流子流通的渠道、路径N沟道VDS＞0V，P沟道VDS＜0V