ut2302-sot23 5丝印大全跟cj2302s有什么区别

绝缘栅(MOSFET)
A/宽频带放大
SMD(SO)/表面封装
ALGaAS铝镓砷
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:A/宽频带放大,封装外形:CHIP/小型片状,材料:ALGaAS铝镓砷,跨导:详见规格书,最大漏极电流:详见规格书,开启电压:30
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:A/宽频带放大,封装外形:CHIP/小型片状,材料:ALGAAS铝镓砷
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:P沟道,导电方式:耗尽型,用途:A/宽频带放大,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,材料:ALGaAS铝镓砷,最大漏极电流:标准,跨导:标准,开启电压:标准,夹断电压:标准,低频噪声系数:标准,极间电容:标准,最大耗散功率:标准
¥11.00/PCS
沟道类型:其他,材料:硅(Si),集电极最大耗散功率PCM:8,击穿电压VCBO:600,封装形式:直插型,集电极最大允许电流ICM:40,极性:NPN型,截止频率fT:8,结构:点接触型,封装材料:金属封装,是否提供加工定制:是,应用范围:放大
¥5.80/PCS
沟道类型:其他,材料:硅(Si),集电极最大耗散功率PCM:5,击穿电压VCBO:650,封装形式:直插型,集电极最大允许电流ICM:20,极性:NPN型,截止频率fT:8,结构:点接触型,封装材料:金属封装,加工定制:是,击穿电压VCEO:600,应用范围:放大
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:SW-REG/开关电源,封装外形:CHIP/小型片状,材料:GE-P-FET锗P沟道
¥7.60/PCS
沟道类型:其他,材料:硅(Si),集电极最大耗散功率PCM:5,封装形式:直插型,集电极最大允许电流ICM:20,极性:NPN型,截止频率fT:8,结构:点接触型,封装材料:金属封装,加工定制:是,击穿电压VCEO:1200,应用范围:放大
¥1.50/PCS
沟道类型:其他,类型:通信IC,批号:06+,封装:SOT23-6
沟道类型:其他,类型:单片机,批号:2011,是否提供加工定制:否,封装:SOT-23-3
沟道类型:其他,类型:电源模块,批号:2011,是否提供加工定制:否,封装:DIP
sot23场效应管
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结型(JFET)
HF/高频(射频)放大
CHIP/小型片状
GE-N-FET锗N沟道
进口/台湾国产
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:耗尽型
进口/台湾国产
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型
进口/台湾国产
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:SW-REG/开关电源,材料:N-FET硅N沟道,最大漏极电流:4.5A,开启电压:2-4,夹断电压:500
进口/台湾国产
种类:结型(JFET),沟道类型:N沟道,导电方式:耗尽型,用途:DC/直流,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,材料:GE-N-FET锗N沟道,最大漏极电流:,,,跨导:,,,开启电压:,,夹断电压:,,低频噪声系数:,,极间电容:,,最大耗散功率:,
进口/台湾国产
种类:结型(JFET),沟道类型:N沟道,导电方式:耗尽型
进口/台湾国产
种类:结型(JFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:SW-REG/开关电源,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,材料:N-FET硅N沟道
进口/台湾国产
¥0.10/千克
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:MOS-ARR/陈列组件,封装外形:SMD(SO)/表面封装
进口/台湾国产
种类:结型(JFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:SW-REG/开关电源,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,材料:N-FET硅N沟道
进口/台湾国产
¥0.10/千克
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:L/功率放大,封装外形:SMD(SO)/表面封装
进口/台湾国产
¥0.10/千克
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:P沟道,导电方式:增强型,用途:V-FET/V型槽MOS,封装外形:SMD(SO)/表面封装,材料:P-FET硅P沟道
sot23场效应管,mos场效应管,n沟道场效应管,贴片场效应管
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