【原创】MOSFET的驱动技术详解-电源网
当前位置：
【原创】MOSFET的驱动技术详解
阅读： 67190
回复： 569
楼层直达：
MOSFET作为功率开关管，已经是是开关电源领域的绝对主力器件。虽然MOSFET作为电压型驱动器件，其驱动表面上看来是非常简单，但是详细分析起来并不简单。下面我会花一点时间，一点点来解析MOSFET的驱动技术，以及在不同的应用，应该采用什么样的驱动电路。
期待精彩讲解...
先占个位子等
学习，了解咯
最近正在学习这方面的内容，非常期待您的讲解！
首先，来做一个实验，把一个MOSFET的G悬空，然后在DS上加电压，那么会出现什么情况呢？很多工程师都知道，MOS会导通甚至击穿。这是为什么呢？因为我根本没有加驱动电压，MOS怎么会导通？用下面的图，来做个仿真：
去探测G极的电压，发现电压波形如下：
G极的电压居然有4V多，难怪MOSFET会导通，这是因为MOSFET的寄生参数在捣鬼。
关于MOSFET的寄生参数的描述，可以参考蜘蛛先生的帖子：
这种情况有什么危害呢？实际情况下，MOS肯定有驱动电路的么，要么导通，要么关掉。问题就出在开机，或者关机的时候，最主要是开机的时候，此时你的驱动电路还没上电。但是输入上电了，由于驱动电路没有工作，G级的电荷无法被释放，就容易导致MOS导通击穿。那么怎么解决呢？
在GS之间并一个电阻.
那么仿真的结果呢:
为什么在这里加一个电阻就好了呢？
通过电阻放电了吧
这个东西，要慢慢品味~~
接着往下看
楼主,您好!看了你分析的帖子,非常好!
有个问题想向你请教一下.
现在正在开发一个1000W 的电源,使用IRS2153 做驱动,使用2SA55 做扩流.FET ST20N60W,详细请参照附图.
但不稳定, 电容放电后,在开机,IRS2153 容易损坏.
请多多指点.
你好，我主要是做MOSFET的代理，代理的品牌是韩国信安的。我公司可以提供原厂的技术支持，可否交个朋友。我公司是在深圳。你有手机号码不？一起交流一下，谢谢！
你好，我也是在深圳一家代理公司的呢，算同行吧，有机会做个朋友
有需要二三极管、LDO、HALL IC、MOS及coolMOS、移动电源控制IC及方案、电量计、EEPROM、USB电源开关、音频功放、MOS半桥驱动器、DCDC控制器、LED DRIVER、直流无刷电机驱动方案及元器件等可以联系我，易生，，QQ：，谢谢！
能不能给解释一下 谢谢！
这个要顶，讲的不错，如果把仿真过程也说说就完美了！
不错顶一下！
请问半桥电路中，上管的泄放电阻应该怎么加？是加在上管的GS之间，还是上管的G极和地之间？
能不能给解释一下原因？谢谢！
一般的ic内部是否应该已经内置了这个电阻
相当于下拉电阻么。
sometimes老师，可以讲讲其中的MOS米勒电容的作用不
想完全搞懂MOS的驱动技术不简单啦，此贴开的不错，
大仙，毕设快到时间了，有空帮忙看看吧，太太太谢谢了
在GS间放一个反向二极管可以不呢？
我觉的行！
请问，这里的电阻阻值该怎么选取呢？
这个电阻选取的原则是什么
师长用的什么软件啊
精彩，原来是这样
师长，并电阻参数怎样确定
顶你，这个试验我原来还真做过
sometimes 你好
我想问一下这个G极的波形是仿真出来的还是实测的？
我想仿真下看看，但没成功
请问下& 大师 为什么上面那个电路仿真的时候 会出错呢？？
是不是还要设置什么东西呢？？
*** ERROR *** Singular matrix
This may be due to a floating node or a loop of voltage sources and/or inductors.
In particular, check node/pin Q1.M1#gate. Check also that there is a ground node.
Try setting ".options noopiter"
已经怎么知道弄了！！是设置跳过直流偏置点
请问如何设置跳过直流偏置点呢？
simulator--choose analysis--transient--advanced options--miscellaneous--勾上skip DC bias point
您好，我用了24N50的MOS做實驗，見了270Vdc電壓，按照图示电路接了，可是电压一直升到270V，都没有发现DS有导通啊，还就GS也没有电压，这是为什么呢？是电压低了吗？
我曾经遇到过，就是我电路有故障后把MOS更换了，然后一通电，爆了，后来检查发现是驱动的电阻没有焊上，G开路了所以爆了
我也是，把驱动卸了，看datesheet也没泄放电阻，可能驱动芯片不工作也能放电吧，结果连电流采样电阻都烧焦了。
G开路的危害真的很大
有些管子内置电阻的,如,IRF640
可不可以怎么个内置法？
sometimes 请问你用的是什么仿真软件啊
您好，请问你的仿真软件能和我们共享吗？谢谢，我的邮箱
学习了，谢谢楼主！
刚去看啦，帖子回复的人太多。了解了一下。那个是个好帖子~~~
说的是，，4V电压
你好，你这用的是那个软件画的图啊？
我在 GS 加一个电容 你 怎么样
期待啊%&……
谢谢，学习了
这个主题好，期待楼主的大论。
什么叫驱动能力，很多PWM芯片，或者专门的驱动芯片都会说驱动能力，比如384X的驱动能力为1A，其含义是什么呢？
假如驱动是个理想脉冲源，那么其驱动能力就是无穷大，想提供多大电流就给多大。但实际中，驱动是有内阻的，假设其内阻为10欧姆，在10V电压下，最多能提供的峰值电流就是1A，通常也认为其驱动能力为1A。
那什么叫驱动电阻呢，通常驱动器和MOS的G极之间，会串一个电阻，就如下图的R3。
驱动电阻的作用，如果你的驱动走线很长，驱动电阻可以对走线电感和MOS结电容引起的震荡起阻尼作用。但是通常，现在的PCB走线都很紧凑，走线电感非常小。
第二个，重要作用就是调解驱动器的驱动能力，调节开关速度。当然只能降低驱动能力，而不能提高。
对上图进行仿真，R3分别取1欧姆，和100欧姆。下图是MOS的G极的电压波形上升沿。
红色波形为R3=1欧姆，绿色为R3=100欧姆。可以看到，当R3比较大时，驱动就有点力不从心了，特别在处理米勒效应的时候，驱动电压上升很缓慢。
下图，是驱动的下降沿&
sometimes老兄，您分析的很完美，请问您一个问题
如果一个电源根据功率算出来的是需要7A的MOS，那么
需要多大的驱动电流了，有没能公式了。
同样标称7A的mos，不同的厂家，不同的器件，参数是不一样的。所以没有什么公式可以去计算。
&&&&&&& 你好，老師！有一個問題想請教一下，關於同步整流MOS的驅動，我用的是自驅的，就是從變壓器兩邊取過來的驅動信號，中間加一級圖騰柱的驅動，但是現在我同時驅動三顆3mr的MOS時，拉200W我的圖騰柱就發燙了，接著就蕩機了，請問一下這是不是驅動電流不夠還是太大造成的，要怎么解決啊?
嗯，那实际影响开关速度的是Qg值还是输入输出的电容（输入电容小，Qg也小可以这量理解吗？）？Qg和输入输出电容有什么量化的关系吗？
驱动电阻的大小需要实际调试，太小开关速度快，影响EMI，太大又影响效率，
我遇到过，太大的话mos发热，为什么呢？
我把驱动电阻从100欧加到150欧，mos管饿gs击穿了
这个跟MOSFET的Qgs有关
那么驱动的快慢对MOS的开关有什么影响呢？下图是MOS导通时候DS的电压：
红色的是R3=1欧姆，绿色的是R3=100欧姆。可见R3越大，MOS的导通速度越慢。
下图是电流波形
红色的是R3=1欧姆，绿色的是R3=100欧姆。可见R3越大，MOS的导通速度越慢。
可以看到，驱动电阻增加可以降低MOS开关的时候得电压电流的变化率。比较慢的开关速度，对EMI有好处。下图是对两个不同驱动情况下，MOS的DS电压波形做付利叶分析得到
红色的是R3=1欧姆，绿色的是R3=100欧姆。可见，驱动电阻大的时候，高频谐波明显变小。
但是驱动速度慢，又有什么坏处呢？那就是开关损耗大了，下图是不同驱动电阻下，导通损耗的功率曲线。
红色的是R3=1欧姆，绿色的是R3=100欧姆。可见，驱动电阻大的时候，损耗明显大了。
结论：驱动电阻到底选多大？还真难讲，小了，EMI不好，大了，效率不好。
所以只能一个折中的选择了。
那如果，开通和关断的速度要分别调节，怎么办？就用以下电路。
有问题想请教下楼主，最近在调试全桥电路，发现当输入电压加到100V的时候驱动波形就不对了，Vgs会出现一个跌落，如示波器截图所示，输入电压再升高一些就会出现桥臂直通的情况，同一桥臂的两个管子就烧掉了。我是利用光耦A3120来驱动桥臂的四个开关管的。希望得到您的帮助，谢谢了！
你的波形呢？
有可能是驱动能力不够
不好意思，第一次来咱们论坛，还没搞清楚如何上传图片，等下就上传上去。究竟怎样定义电源的驱动能力呢？A3120的电流驱动能力是2A，电压源用的是实验室那种很笨重的直流源，其电流输出能力为3A，应该够驱动MOSFET了吧？最近我也在学习有关MOSFET的特性及驱动技术，看得有些头大，希望能够得到您的帮助。
这个是我的实验截图，3通道的是Vgs的波形，为什么会出现这么大的跌落呢？请帮忙给分析一下。
你这个跌落有点厉害，能把驱动电路贴出来么？还有你测试的时候，把探头的地线回路弄小点。
就是这样直接拿高速光耦3120进行驱动的，感觉好像简陋了些，呵呵。直接把光耦副边的地接到高端MOSFET的S端。当全桥输入比较低的时候驱动是正常的，当输入电压升高，功率加大后就会出现上面所述的问题。
你首先要检测一下C5的电压，看有没有跌落，其次，可以适当减少R7的阻值，察看R7输入电压的上升斜率是否足够快。还有你的mos是什么型号的？
MOSFET用的是英飞凌的47N60C3 coolmos。15V供电我是拿实验室的那种很笨重的辅助电源提供的，它面板上有电压提示，我发现随着主电路功率的提高，辅助电源面板上显示的读数就降下来了，而且在不停地波动，难道是辅助电源功率不够？这电源能够提供3A的输出电流，貌似应该足够了呀。HCPL3120能够提供2A的驱动电流。我增大门极驱动电阻会不会好些呢？增大这个电阻会抑制Vgs的震荡，但同时会增加导通时间，增大开通损耗。
从功率的角度来说，3A绝对够了。0.3A都够了。但是要看你这个电源的动态好不好，所以你还是要用示波器去测试电容上的电压波形。2A的驱动电流稍显不够，但理论上，不会出现这么大的跌落；当然还要看你的电源线长不长。
恩，经您这么一说我发现电源线确实拉得挺长，这样的话就引入了不少的电感，这是不是就是所谓的震铃现象啊？加大门极驱动电阻是不是会好些呢？
如果你的供电出了问题，加大电阻是没有用的。
我想可能是驱动高端mosfet的时候要用自举驱动吧，或者两路驱动芯片的供电要隔离，不能用同意个电源。否则会出问题
我也碰见了你同样的问题全桥低压的时候一且正常，输入高压的时候就不对了啊！你是怎么解决的啊？我该想的办法都想了啊可就是查不到问题所在！
我半桥的也碰到了，很奇怪，这难道是种普遍的现象？
加低压没事，电压上升，明显驱动信号在变差，供电电源也越来越不稳，直至崩溃。但非常偶尔的一两次，直接加高电压，一切正常！但想重现，电关掉后再开，老毛病又来了。
没办法，板把所有理论上要加的一样也不省全部加上而且取值保守，什么校正电阻啦，泄放电阻啦，反抽二极管啦，续流二极管啦等等。加高压时电源终于稳定住了，但驱动信号明显没有力气，封值小，上升下降边沿爬行缓慢，导致死区又难以保证，最终还是炸管子。。。
我现在也碰到这个问题了，半桥Buck电路，开关速度越快，输入母线电压越高，越容易发生这种现象。
你们解决这个问题了么？是怎么解决的，可否共享一下，非常感谢！
这个问题最终解决了吗？如何解决的？
请问你们遇到这个问题以后是怎么解决的，现在我的全桥驱动功率加大以后开通时候也有很大的振荡啊！
进来学习了，各位大神辛苦了~
请问C5的电压有跌落怎么解决？
R7的上升速率和Vg的跌落有关系？
你把Rg加大为50R就会解决了
应该是cool　ｍｏｓ
请问一下，D1是什么作用
快速关断用的
同意，关断的时候就不经过Rg了
我的理解是上管Q1导通瞬间会给下管漏极一个很大的电压冲击，由于Cgd的原因，下管的栅极电压会突然升高，导致下管导通。下管Cgd快速充电，Vg电压降低，下管关闭。电压越高时，现象越明显，甚至烧管。
光耦的开关速度很一般般,特别是关断的速度;
看似RG很小,但高速开关的时候驱动电路就不够力了;
还有一点,半桥对管,上下控制通断之间要加一个死区时间;
这是进入了电流断续模式了，电感太小或负载太轻导致
请教楼主，第两个图片的R3和R4是否都应该对换一下才对呢？
这两个电阻的值在这里不表示什么，只是一个电路结构而已。
R4和R8会不会偏大啊？
这个值当然是不恰当的，这里只是表示一个电路，值不表示意义。
"开通快,关断慢",或者是"开通慢,关断快".一般这个要怎么把握呢?
主要调整驱动二极管的方向来实现。
大侠，可以说详细点吗？我是新手，有点不理解。。。
打搅您一下，在这里您提到开通和关断有时会分别调节。请问，为什么会出现“导通和关断分别调节”呢，。开通快，关断慢；开通慢，关断快；各有什么特点么？
请教下，这两个电路分别有什么作用？
是啊 想知道啊
请问能说一下调节原理吗???
请问sometimes老师，这两个电路的工作原理是什么样的？
在驱动电阻上并联 串联的电阻和二极管 为什么可以加速导通或者加速关断，求说明
这个总结不错~~
老师你好，那我想问一下如果驱动电阻为零的话会是什么情况呢？
sometimes大哥，您能把Vds与Ids与Vgs的仿真曲线放在一张图中吗？我想知道vds和ids是不是同时变化的，为什么书上讲的大部分情况下，ids升到最高时，vds才开始变化。这样对效率会不会影响很大？怎么改善？
假如电路是理想的，的确会如书上所讲。只有在整流管电流下降到0，开关管上的电压才开始下降。但是实际上，由于 漏感，线路寄身电感等参数的影响。有所不同。
您好，我照着您的电路仿真了一下，但是Vds和ids却是同步变化的，请问为什么实际情况下会出现ids先变化，vds后变化的情况？&
所有的器件，完全理想化。
同步变化就对啦
请问你是用的什么仿真的
sometimes老师，看了您的帖子，非常受教。我有个关于使用MOSFET的PFC电路的问题，想请教您一下：
MOSFET选用的是FCH76N60N,芯片用的是IR1152，问题是电源输入电压较低或/和负载较大时在电感、开关管、二极管上的电流每次零点附近都会有很大的尖峰电流，这是怎么回事？有什么办法可以解决？
详细情况您可移驾到这里参考：
这个尖峰很难消掉的;
当然把RG加大后这个尖就没了,但电路的开关速度严重下降,而且发热厉害;不值得这样做;
可以试试TVS管稳压(消收掉尖峰电压),和快恢复二极管续流;
如果开关的速度很快,这个尖能量很强;还是不容易消掉.
老师厉害，软件仿真非常棒
好！标记下次来细看！
分析完美，刚上手在实验室搞半天没懂。
你用的什么仿真软件了？saber？
楼主用的是simtriex/simplis仿真的
对仿真很感兴趣，跟楼主学习。
米勒效应是什么东西啊？？
米勒效应（Miller effect）是在电子学中，反相放大电路中，输入与输出之间的分布电容或寄生电容由于放大器的放大作用，其等效到输入端的电容值会扩大1+K倍，其中K是该级放大电路电压放大倍数。虽然一般密勒效应指的是电容的放大，但是任何输入与其它高放大节之间的阻抗也能够通过密勒效应改变放大器的输入阻抗。 米勒效应是以约翰·米尔顿·密勒命名的。1919年或1920年密勒在研究真空管三极管时发现了这个效应，但是这个效应也适用于现代的半导体三极管。[1]
降低米勒效应的措施
　　可以采用平衡法（或中和法）等技术来适当地减弱密勒电容的影响。
　　平衡法即是在输出端与输入端之间连接一个所谓中和电容，并且让该中和电容上的电压与密勒电容上的电压相位相反，使得通过中和电容的电流恰恰与通过密勒电容的电流方向相反，以达到相互抵消的目的。
密勒效应的不良影响
　　密勒电容对器件的频率特性有直接的影响。
　　例如，对于BJT：在共射（CE）组态中，集电结电容势垒电容正好是密勒电容，故CE组态的工作频率较低。 对于MOSFET：在共源组态中，栅极与漏极之间的覆盖电容Cdg是密勒电容，Cdg正好跨接在输入端(栅极)与输出端(漏极)之间，故密勒效应使得等效输入电容增大，导致频率特性降低。
密勒效应的好处
　　① 采用较小的电容来获得较大的电容（例如制作频率补偿电容），这种技术在IC设计中具有重要的意义（可以减小芯片面积）；
　　② 获得可控电容 (例如受电压或电流控制的电容) 。
有一点疑问，R3=1欧姆与R3=100欧姆时，最后的G极驱动电压怎么会一样呢，R3应该会分压才对啊，R3=100欧姆时最后的电压应该相对较小啊？？？
驱动其实就是给mos管的Cgs电容充电，电阻小了充的速度就快，电阻大了充的速度就慢，但是最终都会充到你驱动电压的值。
学习了，谢谢楼主，支持
sometimes老师，那个驱动电路和主电路要共地吗？如果不共地电平会浮动，但是我加下拉电阻怎么也不行呢
按照此说法，是不是驱动电阻靠近MOS比较好；而非靠近驱动IC
这个很关键，是驱动线过长
沙发，板凳都没了，站着听
好贴，找个沙地躺着听！
顶。。。仔细听讲
今天再来听课，谢谢
楼主用的什么仿真软件？看起来功能很强大，还可以仿真EMI 频谱，
是否有破解版可以学习一下
楼主分析的很好& 自带小板凳坐着听
这个是simetrix，网上应该有demo版本的。
前来报到学习
报到学习。
sometimes，请问这个软件跟EWB有什么区别呢？入门难不？
MOSFET的自举驱动.
对于NMOS来说，必须是G极的电压高于S极一定电压才能导通。那么对于对S极和控制IC的地等电位的MOS来说，驱动根本没有问题，如上图。
但是对于一些拓扑，比如BUCK（开关管放在上端），双管正激，双管反激，半桥，全桥这些拓扑的上管，就没办法直接用芯片去驱动，那么可以采用自举驱动电路。
来听课的,楼主继续.........
来听课喽，这个完全是蜘蛛先生的姊妹篇，两帖遥相呼应、相得益彰！谢谢楼主!
楼主请您继续讲下去，我们都等着听课呢，呵呵！
看下图的BUCK电路：
加入输入12V，MOS的导通阀值为3V，那么对于Q1来说，当Q1导通之后，如果要维持导通状态，Q1的G级必须保证15V以上的电压，因为S级已经有12V了。
那么输入才12V，怎么得到15V的电压呢？
其实上管Q1驱动的供电在于 Cboot。
看下图，芯片的内部结构：
Cboot是挂在boot和LX之间的，而LX却是下管的D级，当下管导通的时候，LX接地，芯片的内部基准通过Dboot（自举二极管）对Cboot充电。当下管关，上管通的时候，LX点的电压上升，Cboot上的电压自然就被举了起来。这样驱动电压才能高过输入电压。
当然芯片内部的逻辑信号在提供给驱动的时候，还需要Level shift电路，把信号的电平电压也提上去。
Buck电路，现在有太多的控制芯片集成了自举驱动，让整个设计变得很简单。但是对于，双管的，桥式的拓扑，多数芯片没有集成驱动。那样就可以外加自举驱动芯片，48V系统输入的，可以采用Intersil公司的ISL21XX，HIP21XX系列。如果是AC/DC中，电压比较高的，可以采用IR的IR21XX系列。
下图是ISL21XX的内部框图。
其核心的东西，就是红圈里的boot二极管，和Level shift电路
ISL21XX驱动桥式电路示意图：
驱动双管电路：
驱动有源钳位示意图：
当然以上都是示意图，没有完整的外围电路，但是外围其实很简单，参考datasheet即可。
请问老师& 我在做开关磁阻电机& 看见你驱动双管的电路& 想问一下ISL2110怎么实现驱动双管&& 图二&& 希望老师指点指点&
讲得很好，受益了&
LZ 是那个电压对电容充电啊& 会冲到多少负啊 有是怎么冲的& 能不能解释一下啊
&好东西啊！认真的看到这里。正好我司有一个电路和这完全一样，但是最近出现了10%的不良率，这个driver IC 的Dboot--Boot之间的二极管击穿。（我用的HIP6603，自举电容0.1uF）
同过CBOOT的的升压？？
是不是自举升压的道理呢？
楼主您好，说道自举电路，我想请教一般自举电容和二极管应该如何选择？有什么特别要求吗？谢谢！
自举电容主要在于其大小，该电容在充电之后，就要对MOS的结电容充电，如果驱动电路上有其他功耗器件，也是该电容供电的。所以要求该电容足够大，在提供电荷之后，电容上的电压下跌最好不要超过原先值的10%，这样才能保证驱动电压。但是也不用太大，太大的电容会导致二极管在充电的时候，冲击电流过大。
对于二极管，由于平均电流不会太大，只要保证是快速二极管。当然，当自举电压比较低的时候，这个二极管的正向压降，尽量选小的。
请问您有没有用过IR2110或IR2111芯片，在高频时，自举电容和二极管应该如何选择？谢谢！
电容没什么，磁片电容，几百n就可以了。但是二极管，要超快的，而且耐压要够。电流不用太大，1A足够。
当频率达到300khz，这个电容用不用要求为高速电容呢
这个电容是不是用钽电容会好一些？
经典呀,接着讨论
那么自举电容该怎样计算呢？我的经验是不同的PCB布线自举电容就不同。。。
他的驱动很差，出现了二次导通，那种大块电源我用过，处理高频信号最好在输出并联大的电解电容
楼主有没有好的驱动PMOS的电路？
您是说我提出的那个问题是吧？感谢您的回复。目前只是在做原理验证的样机，所以就用这个来当辅助电源了，后期的实物肯定要另行设计辅助电源。我这就去照您所说的方法调试一下。
期待更精彩的、、、
做记号 回去拿板凳
是指的那个自举电容么，怎么高频要用大电容呢
请问楼主，怎么用pwm控制mosfet管导通与关断？怎么样才能写出pwm控制程序？
我觉得这个应该到单片机那里问才对
用单片机写简单的PWM程序很简单。用定时器可以了。有的单片机本身就有PWM功能。
单片机的驱动口功率都是比较小的，能达到1A/12V的驱动能力的单片机PWM口有吗？或许对驱动端口外部电路做一些修改能达到要求
pwm属不属于单片机呢？有没有程序呀？谢谢。
PWM可以用单片机做出来也可以用模拟IC做出来，比如555.
有没有单片机式的PWM呀?
只有集成PWM端口的单机片，想利用PWM口，就编写相关程序去使用就行了。
直接用定时器，或者频率不高直接用延迟也行啊。最好直接用PWM，AVR或者是430 单片机功能更强大的更不用说了都能支持，对于驱动能力单片机的IO口驱动能力不大，但是可以直接驱动光耦，再驱动小三级管。对于MOSFET一般需要多大的驱动能力啊？
ISL6558作PWM可以不？
楼主，请教您个问题。一般用MOS管驱动电机要注意哪些细节问题啊。
详细的讲讲隔离驱动吧，在正激拓扑中，我常见到驱动信号连接到一个推挽对管，然后连接一个2R左右的电阻及一个电容然后连接到变压器的初级端，在变压器的次级端输出驱动信号给MOS，这种驱动方式的优点？变压器初级串联的电阻及电容如何设计？
隔离驱动。当控制和MOS处于电气隔离状态下，自举驱动就无法胜任了，那么就需要隔离驱动了。下面来讨论隔离驱动中最常用的，变压器隔离驱动。
很好很实用的东西，对我们这样的只知道要加下拉电阻不知道其作用的人来说很好懂，期待旅长更多看似很基础实际很受用的课程
请问在大功率的系统中如果有几个开关管并联，还能用上文介绍的那些高端驱动芯片来驱动吗？
可以的，但是你要选择驱动能力强的IC。
看个最简单的隔离驱动电路，被驱动的对象是Q1。&
请教一下用MOSFET驱动电机要注意哪些东西
其实MOS只是作为开关管，需要注意的是电机是感性器件，还有电机启动时候的冲击电流。还有堵转时候的的启动电流。
老师各个方面冠军啊
驱动源参数为12V ，100KHz， D=0.5。
驱动变压器电感量为200uH，匝比为1：1。
红色波形为驱动源V1的输出，绿色为Q1的G级波形。可以看到，Q1-G的波形为具有正负电压的方波，幅值6V了。
为什么驱动电压会下降呢，是因为V1的电压直流分量，完全被C1阻挡了。所以C1也称为隔直电容。
下图为C1上的电压。
其平均电压为6V，但是峰峰值，却有2V，显然C1不够大，导致驱动信号最终不够平。那么把C1变为470n。Q1-G的电压波形就变成如下：
驱动电压变得平缓了些。如果把驱动变压器的电感量增加到500uH。驱动信号就如下图：
驱动信号显得更为平缓。
"其平均电压为6V，但是峰峰值，却有2V，显然C1不够大，导致驱动信号最终不够平。"
请问这句话怎么理解，C1如果增大的话，由于对C1的存放电，驱动信号到G极后应该会更平滑，上升及下降都会变慢吧？ 但看你的仿真图好像更好了？
串接R、C的取值如何计算？或者选择？
C1大的话，C1上的电压就会比较平稳，波动比较小，那么对驱动的影响就会变小。
楼主， 我做了一个全桥的驱动，上面的不是平的，而是有一圆弧型的包包，再斜斜的下来，最后有一小段是平的，加大电容 怎么调都是这样， 是怎么回事呀？ 请赐教！！谢谢！
这个可能和你的驱动变压器的漏感有关系。
C1大电压就平稳？楼主能否讲解一下吗？谢谢
学习了，谢谢楼主，好人！！！！
学习并关注中
从这里可以看到，这种驱动，有个明显的特点，就是驱动电平，最终到达MOS的时候，电压幅度减小了，具体减小多少呢，应该是D*V,D为占空比，那么如果D很大的话，驱动电压就会变得很小，如下图，D=0.9
发现驱动到达MOS的时候，正压不到2V了。显然这种驱动不适合占空比大的情况。
从上面可以看到，在驱动工作的时候，其实C1上面始终有一个电压存在，电压平均值为
V*D，也就是说这个电容存储着一定的能量。那么这个能量的存在，会带来什么问题呢？
下面模拟驱动突然掉电的情况：
可见，在驱动突然关掉之后，C1上的能量，会引起驱动变的电感，C1以及mos的结电容之间的谐振。如果这个谐振电压足够高的话，就会触发MOS，对可靠性带来危害。
那么如何来降低这个震荡呢，在GS上并个电阻，下图是并了1K电阻之后波形：
但是这个电阻会给驱动带来额外的损耗。
如何传递大占空比的驱动：
看一个简单的驱动电路。
当D=0.9的时候
红色波形为驱动源输出，绿色为到达MOS的波形。基本保持了驱动源的波形。
同样，这个电路在驱动掉电的时候，比如关机，也会出现震荡。
而且似乎这个问题比上面的电路还严重。
下面尝试降低这个震荡，首先把R5改为1K
确实有改善，但问题还是严重，继续在C2上并一个1K的电阻。
绿色的波形，确实更改善了一些，但是问题还是存在。这是个可靠性的隐患。
再看一遍，又是一次收获
对于这个问题如何解决呢？可以采用soft stop的方式来关机。soft stop其实就是soft start的反过程，就是在关机的时候，让驱动占空比从大往小变化，直到关机。很多IC已经集成了该功能。
可看到，驱动信号在关机的时候，没有了上面的那些震荡。
sometimes：大哥驱动波形有毛刺一般是那里的问题？
写的太好了，好好看看学习!
终于理解那里的电容电阻是干什么用了，不过那个二极管是做什么用呢，用于续流吗，我仿真，发现没有那个二极管，波形也就基本没有了
哈哈，看到下面大师的解释了
看到你们帖子，感觉自己真的很渺小啊~~
应该是跟R5形成一个快速放电的回路吧
看电流方向应该是给C2放电的吧……
sometimes大牛，如果IC没有soft stop功能，怎么解决好啊？
有什么可靠性的隐患呢？？
你好，当我把R2的值从10该到1k后，mos管的波形发生了很大的变化啊，是因为驱动电阻增大后导致mos管开关速度慢的原因吗？还是别的原因啊？ 另外我把驱动电压去掉后得出的图形和你的不太一样啊，是为什么？求解！谢谢！&
这个电路的神奇之处就是采用了D1的电平平移电路，使负电平平移到接近0V!相对而言提高了正向电平（绝对值电平是不变的）。进一步发挥的话D1可以改为两个背靠背的稳压二极管，比如上管为15V,下管为5V,这样可以提供+15V，-5V的驱动电平驱动IGBT.当然次级加上一个由P三极管组成的放电回路就更好了。
“这个电路的神奇之处就是采用了D1的电平平移电路，使负电平平移到接近0V!“
这句话该怎么理解呢？
您能再多说几句吗？
其实就是倍压电路加能量守恒，羊毛出在羊身上。
比如占空比D=0.9，输入电压Vin=10V，那么此时原边的隔直电容上的直流压降为D*Vin=9V，原边绕组上的压降为1V。
当输入电平为低的时候，原边隔直电容9V加在原边绕组上，感应到副边为下正上负，通过二极管D1给电容C2充电，C2充满后为左负右正，9V。
当输入电平变高时，原边绕组电压为1V，上正下负，感应到副边，使副边绕组压降跳变到上正下负，1V。由于电容C2两端电压不能突变，要保持9V的压差，所以C2右端的电压变为1+9=10V。
hsym_101584，谢谢你的讲解啊！
听你这麽说不论输入电压是高电平还是低电平mos管的驱动信号都是高电平，只不过是输入信号时高电平时mos管的驱动信号是10v，低电平时是9v。那么mos管什么时候关断呢？
当驱动为0时，副边为上负下正，D1就导通，这样GS电压就基本为0，自然就关断了
这个C2是自举电容吗？
你好，说实在没看你的帖子前我没有注意到这一现象，后来仔细看了下，果真是把mos管的波形负电平提高到了0v，你说是D1的电平平移导致的，本人不太明白，望详细解释下，谢谢！
学习了，好帖！
老师请问为啥要加二极管，不加二极管不行吗？
真是好文章。十分感谢！！！
之前看过可是没有注意，现在正在想怎么经过电容电压值就降低了，再来看一遍，明白了，O(∩_∩)O
这里式电感还是变压器啊。老师？
你好，关于隔离驱动这一块不是很理解，你能不能详细讲解下，为什么驱动电压会变成负的？谢谢！
楼主，你好，这个电路在V1在低电平的时候，电感不是要复位吗，请问回路在哪？请指点下！谢谢!
请问旅长，我这隔离驱动波形上面的突起和下面的台阶是什么原因造成的啊
调整驱动变压器感量或漏感。
请问一下，电阻R1和C1该怎么取值？
对于半桥，全桥的驱动，由于具有两相驱动，而且相位差为180度，那么如何用隔离变压器来驱动呢？
采用一拖二的方式，可以来驱动两个管子。
下图，是两个驱动源的波形：
通过变压器传递之后，到达MOS会变成如下：
请教一下驱动变压器一次侧加的电容，除了隔直以外是否有相位上的考量，其次，电容分别放在变压器的两端是否回有所不同？还请指导，谢谢
版主，用的什么仿真软件，可以共享吗？
好贴 & &多谢前辈指点
按128贴贴图得到的MOS管波形如下，MOS管发热较严重，请教什么原因。谢谢！&
新人刚到，sometimes老师讲的太好了。。。。。持续学习中！感谢sometimes老师
精彩 谢谢楼主
我也刚试过反接保护电路，1000W的JJ用的一个190N08,源极S接板子负极输入端，漏极D接的负电源，手控开关控制190N08的G极，正极直接变压器，接上电源后，过了几秒钟，还没有按开关JJ就工作了，这说明场管直通了，后来把DS调过来接上还是一样，真是奇怪！刚看到楼主的贴子，原来是要在场管的G S间并一个电阻才可解决，真是受教了！
讲的基本比较粗浅&& 还是一些元件厂商的技术指南上讲的比较详细&
你是不是还有好的东东，拿出来分享一下，不能指责楼主，而是谢谢
这个。。。
& 我好像没有哪怕是一点的指责的意思吧& 我要陈述的是 想要深入 还得自己去钻研 多看些厂商的技术资料&& 写的都很不错的&& 至少比国内很多的书要专业
你是希望写的更全面点是吧，最好有实例。我也有同感觉，不过哪工作量太大了。这个真得够顶级的科普加理论了。
你说的没错了，这里基本以描述现象为主，具体的细节，参数，计算，需要大量公式，参考书籍，资料才能有所收获了。
楼主， 我做了一个全桥的驱动电路，不像您描述的上面的波峰因为电容的关系斜斜的下来。而是有一个圆弧包鼓起再斜斜的下来，而在最后还有一小段是平的。是什么回事呀？？ 请赐教！
师傅领进门，修行在个人啊！楼主辛苦了！谢谢！！！
谢谢sometimes老师，让我对MOS管驱动有一种顿悟的感觉。好好。。。真心感谢。。。
好帖，这样的帖子应该支持！！
GS并联1K电阻，太小了吧？
根据情况和需要来定,LZ的只是为了说明抛砖引玉.
这才是好贴,详细,从简入深,比那些什么教授专家书上的只见参数烂公式,没有详解的好多了,大力支持继续开元件级的贴.
留个记号学习
**此帖已被管理员删除**
WSR841 IGBT驱动器_09B-1.pdf
wsr841wsr517-01R& 300A1200V半桥IGBT驱动板原理图.pdf
wsr841wsr517-01R& 300A1200V半桥IGBT驱动板PCB.DDB
MOSFET在开通和关断时候有一个米勒平台，哪位老师能详细讲讲米勒平台的工作原理呀？这个平台为什么会出现？出现的原理是什么？谢谢。
好贴.楼主辛苦了.请教个问题?这个近似测试的VGS波形为什么会抖一下呀?是什么原因导致的.谢谢.&
请看这个帖子，了解MOS的寄生参数，就知道了
谢谢.楼主.
在有源钳位，不对称半桥，以及同步整流等场合，需要一对互补的驱动，那么怎么用一路驱动来产生互补驱动，并且形成死区。可用下图。&
波形如下图：
好贴啊，顶
好贴，多谢分享奉献！顶起~~~
LZ继续，努力学习中
是这样的 我们经常看到这样的电路！
D3 D4的方向应该是一样的吧？谢谢楼主精彩讲解！
老师您好，请问你有具体介绍这个死区电路的资料吗，介个看不懂
MOSFET的并联驱动，由于MOS经常采用并联的方式工作，那么驱动又该如何设计呢？
坐等版主更新
还是这样？
第一张图可用。
我不建议MOS并联使用&&&&&&&&&&&&&&
MOS 并联使用需要注意些什么问题？
下面那个我试了下,结果2个MOS都放了鞭炮
下面这个没有下拉电阻啊？还试？
luojun,你好 ，“下面这个没有下拉电阻”什么意思呢?希望解答下，谢谢！
你好，我主要是做MOSFET的代理，代理的品牌是韩国信安的。我公司可以提供原厂的技术支持，可否交个朋友。我公司是在深圳。你有手机号码不？一起交流一下，谢谢！
MOS并联，对驱动的一致性要求就很高了，如果导通，关断时间不一致，会导致其中一个MOS开关损耗剧增。所以在软开关电路上，用MOS并联问题比较少，但是硬开关电路，就要小心了。下面用仿真来看现象，假设两个MOS并联，而且MOS的参数完全一样。
但是驱动走线的寄生参数有很大不同。
R2，R4，L1，L2都为驱动走线的寄生参数。那么下图为，导通时候，两个mos的电流
基本上还算一致。
接下去，把两个驱动电阻并联起来一起去驱动两MOS，
再看导通时候的电流波形：
两管子的电流波形，均出现剧烈震荡。
&请问下为什么后级驱动，没有驱动信号，还可以烧管？ 一开就烧
老大，你这有没有这个仿真软件的的教程啊！
老大厉害啊
我的是这样的，能工作，驱动频率300HZ,请楼主讲讲这样有什么缺点？&
这种并联方法，动态均流较差，我实测过
版主，为什么两个驱动电阻并联就会出现震荡呢？
您好，我看到蜘蛛大哥的帖子中提到了可以将一个大FET和一个小FET并联，让大FET先关后开，将大FET的开关过程搞软，降低其开通损耗，不是很明白，想请sometimes大哥分析仿真一下这种情况。
两个fet并联，先开的那个mos要承受开通损耗，因为一个开通之后，mos的ds电压降到0，之后另外一个管子开通，就是0电压开通了，后关的那个要承受关断损耗。
所以这样做可以让开关损耗全部由小FET来承受，但只这种只不过分散了损耗而已。
这样做对效率的提高没有实质性的帮助吗？
这个应该说会对驱动有好处，在驱动大管子的时候，由于没有米勒效应，可以降低驱动损耗，并且对驱动能力要求不高。
但是对于主电路的损耗，我觉得没有太大用。
发了2编。。。网速慢。。我以为没发起。。。不好意思。。
原来并联管子有这么多学问，，好贴
你的寄生参数都跟第一种不一样
MOS的均流可以用二极管搭配电阻替代驱动电阻来较好的实现。
我想问问sometimes大侠关于双NMOS的半桥结构的驱动问题
问题是这样的:&
电路如图,半桥的上下管都是NMOS,上管栅极驱动采用18V电源,下管栅极驱动采用12V电源,当上管驱动是关闭的情况下(也就是上桥臂驱动的PNP管打开,NPN管关闭),下管进行PWM驱动,这个时候上管的栅极也会出现一个比较小幅度的PWM,但是尖峰比较大,大概有4V,这导致很小的一段时间上下管导通,耗散非常大
我猜想可能是通过下管的栅漏电容CGD给耦合到上管的栅源电容上去了,想问问如何解决这个问题,谢谢了
在GS并个电阻，改善你的驱动走线，可能你的驱动线太长了，降低你的开关速度，也能减低尖峰。
楼主你好，我是一个新手，现在有一个用IGBT做开关电源的课题，按推荐的主电路搭建，但是通电后D在很小的情况下而输出就已经较高了，调到60V左右，IGBT就发出了异常的声音，于是就不敢想上调了！同事说用示波器观察一下Vge吧，示波器的地端刚接上IGBT的E极就打火放炮了，烧掉了一个EXB841，于是也不敢调试了，前级用的是SG3525，后边用的是EXB841，请楼主指点一下，或是哪位大侠有什么好的建议或有好的原理图给分享一下，我在这里谢谢大家了！！！！
关于示波器接地就放炮这问题可以参考一下：看对你有帮助没
拜读楼主好贴。深入浅出，有图有真相。好贴啊。感谢楼主。
都是老师啊
期待后续深入的讲解
期待详细讲解PMOS的使用方法以及驱动。
NMOS大家相对熟悉一些。
楼主： 你用的是什么仿真软件
软件是simetrix
请问下楼主 我这个电路图&
还有以下是驱动波形& 在同一个周期内的&
请问我想要用DSP来弄& 请问如何驱动呢？？
开关频率100KHZ 输入电压电流 250V 4A 输出电压电流400V 2.5A
最好能有电路图给我解说下
谢谢楼主！！！
sometimes:兄弟您好，请教一个问题，最近我准备用L6599做一台300W的电源。MOSFET准备用IRF460，L6599的LVG与HVG提供0.3A的输出电流和0.8A的灌入电流。您看是否要加图腾柱，或驱动IC?
0.3A驱动能力驱动460太吃力，建议你加驱动芯片
sometimes:兄弟，首先谢谢你的回复，我们的MOSFET加驱动一般是在什么情况下加？或者说有没有什么公式之类的计算？
其实没有什么万能的公式，但是可以做一定的计算，关键是你的MOS的结电容，DS电压，驱动电压，以及你你期望的开关速度，可以大致计算出驱动电流需要多少。
Pmos的驱动：
下图为Pmos
Pmos要求GS的电压是负的，也就是G的电压要比S的低，才能导通。那么，如果SD承受高压，G只要比S的电压低一点就能导通，但是一旦SD导通，G必须维持负压才能导通。
而GS的耐压是很低的，这就很麻烦了。一般在电源中最常见的Pmos应用，就有有源钳位
有源钳位的Pmos，是S级接地的，那么要保持导通，G级必须要有负压才行。那么如何产生负压呢，可以采用下图驱动方式：
那么波形可见：
简单的就把负载放在S极。
4148是不是画反了？？没画反的话怎么产生一个负电压呢？？
假如反过来的话，又怎么会出现负压？
占空比翻转如何解决？
楼主继续，顺便问一问题。一开机MOS就坏了，换一个又正常是怎么回事
试试在gs间并连个电阻试试 &10k左右的 & 可能上电瞬间 &结电容看做短路 &造成了mos的导通 & &可能形成的短路造成的 & &自己猜测的 &嘿嘿 & &
好贴，顶！
来占个座，木事常来看看。。。。
楼主能够介绍一下一些常见的驱动电路就更好了！
谢谢楼主！
楼主，帮忙看一下这个电路，在MOS管的输出电压很小，导致此电路不能起到升降压的目的
大家帮我看下，我这个波形正常吗？
怎么会都点小毛刺，
楼主，你好！我想请教一个问题，在附件的图中，稳压管用的8.2V，产品在批量试产时用一家的MOS管可以正常使用，换另外一家MOS管的会出现冷爆现象，不良大概在1%左右。请楼主给点建议和方向，谢谢
请教一个我很长时间都没有搞明白的问题，就是
用自举电路驱动MOS的时候，我发现有好多厂家在处理自举电路PCB的时候，都有这么一个现象，就是自举电容的负极（也就是和上桥MOS的源极相连的极）到上桥MOS的源极之间的连线用蛇形线，不知道这样做的左右是什么？
我也有这个问题，期待版主的解答啊
不会引入电感吧？？
好帖！学习～～
MARK! 学习！
呼，来迟了，我再回去搬个板凳来先~~~
谢谢楼主！
请教：如果知道D级电压和开关管的输入电容;应如何估算G极的驱动电阻？谢谢！
來晚了.排隊學習中...
很好的帖子，介绍的很具体。
来晚了& 好贴学习学习
欢迎楼主继续讲座！期待中.....
很好！学习了。
好帖啊，顶起来！大家各抒己见。
我想请问各位同仁，驱动变压器的匝比多少为合适啊？芯片为：TL494或SG3525,半桥线路，功率500-800W,频率33K左右，开关管：IRF460、G40N60.
这两个芯片直接与驱动IC配套使用都行，别看上面那些落后的信息。变压器是个关键东西，一定要好
做个记号！
MARK，好贴，顶。。强烈建议以后多开这样的基础贴。工作了，才发现自己基础很差啊。
很精彩，留个记号
很精彩，留个记号
先搬个板凳！
空载试验，我的全桥驱动波形在全桥输入DC电压较低时一切正常，但是在全桥DC输入增加后就会出现驱动波形紊乱的情况（如上图所示）。如果全桥DC输入继续增加，这种情况就会加剧直至从示波器上看不到方波的驱动信号，烧毁全桥！不知道是为什么啊？不知道前辈能帮我解答一下吗？？万分感激啊！！
我以前做的都好着呢就是最近突然出现这样的问题，PCB，元件型号都没有任何的改动，现在做的都是在复制以前的工作，可就是出现这样的的问题了！不知道该怎么解决啊！急死人了！
驱动采用变压器隔离的方法，驱动变压器的次边有四个绕组分别驱动全桥的4四个桥臂
这张图有实际意义，衍变一下可以可以很好的在大功率全桥电源里做驱动
看帖感觉高手把手里的好的电路和思路很少讲出来，不过能够讲上面这么多对做电源的朋友已经很有帮助了，大家提出问题的时候，有些高手回答问题的思路就非常顶尖，是我们可以着重学习的地方。。当然，内容的实质性得看个人消化能力
主回路采用MOS管并联的方法
正常时变压器次边的驱动波形
你的是开环么？
闭环不行，我就改成开环，把所有的反馈量全切除了！还是这样！
电路故障时驱动变压器原边的驱动波形
以上就是我驱动以及全桥的电路图，还有驱动正常和异常情况下的波形！现在就是我在全桥输入电压较低时一切都正常，但是将全桥输入增加后驱动波形就会像上面那样出现杂乱的波，而且全桥输入越大这种现象越严重，直至看不到完成的驱动波形，全桥后的功率变压器也会声音越来越大，持续增加全桥输入就会烧全桥！不知道是为什么啊？哪位前辈能帮我分析一下！万分感谢！
我的PCB，元件型号什么的都没动过，以前做的都好着，就是最近新做的就突然出现这样的问题！
从波形看，有驱动丢失的现象。查一下控制芯片的驱动输出。
有可能你得控制芯片被干扰了。
我用示波器测了3525输出脚（11和14脚）的信号，在故障时也完全不对了啊！看不到规则的方波信号了！
我最近也在解决类似的问题，你把校正电阻Rg加大，该27R, 或47R试试，最好再并一个反抽二极管，一般用1N4148就行，使用肖特基更好
所有并联MOS G极均配置校正电阻然后再并在一起.前面图腾柱前也加上校正电阻及对地泄放电阻。
校正电阻& ?
是放在那里的电阻？
楼上的校正电阻指的应该就是栅极驱动电阻吧？？
什么意思？？能画个图给我说说嘛？还有图腾柱上加校正电阻对地电阻？怎么加啊？？最近这个问题把人愁坏了！感激您啊！
能给讲讲吗？？感谢！
可惜你已经转行做贸易了，你上面讲的措施完全正确，我现在实际的电路证明就是这样的！一语点中要害，高手。
我用的主芯片是ISL6753，故障时，下管驱动的输出没有了。一直想不明白原因是什么。
好貼，支持
讲得实在是太好了。
刚进门观赏中
跟进观赏！！！
记号,慢慢学习.
非常感谢了，建议来一个扫盲帖 呵呵
不错，非常支持！！！
sometimes您好，我设计了一个AC220V输入，直流300V输出的1500W开关电源。采用的是移相全桥软开关设计，驱动采用两片2110芯片，主功率管采用的是4个FQL40N50。用示波器测量驱动波形很好，开通的上升沿时间为100NS，驱动限流电阻为2欧姆。上下桥死区时间为1US.但电源空载工作时MOS管的散热片就很热，必须用风扇吹，要不然用手摸都烫手，温度很高。加载后工作也正常，测量变压器原边波形正常，输出也正常，求教下，空载损耗的大的原因可能是什么啊，怎么解决啊.谢谢
我之前也碰到了类似的问题，后来发现是我的开关频率不稳定，一直在跳动。看下PWM IC 的震荡脚的三角波是否稳定，消除振动就OK了！
能发个图上来吗？大家一起分析一下！
你空载时候发热厉害估计是因为：空载时候进入死区1us两个管都关断的瞬间，磁能难以释放，MOS管上承受高压吸收了能量。而带载时候进入死区磁能在副边整流后可以输出的，不会有高压。
**此帖已被管理员删除**
标注。。。。
好帖！标记下
整理得很好。
我来晚了& ...好帖啊 太感人了，
楼主好，请教个问题。
我正在调半桥电路，原理图如下，现在碰到了一个问题：变压器次级的mosfet不加上去，电路正常；次级的mosfet一加上，马上就烧掉了初级的两个mosfet，电路根本就不工作了。这是为什么？
你这个电路是半桥同步整流，接受次级MOSfet后烧掉初级MOSfet，是因为mos共通了，调试同步整流一定要做好驱动的时序,才能防止共通坏管
请教下，你说的这个时序是指S1和Sr1的时序？具体应该满足什么样的关系？能不能详细讲解下。
抱歉这么晚才回复。。。。
你好！可以具体讲解下吗？谢谢
所谓同步整流，前后一定要同步才行，
师长好，同步整流时序像上面这个情况要不要死区呢？一般多大
你好，我用的也是半桥，但是测试的时候发现有问题，我只加上两个电容时候中间的电压是一半，也符合理论值，但是我加上MOS管之后再测就发现两个电容之间的电压成了输入电压了，没有分压了，这是什么原因呢？谢谢
在S1通的时候，Vin就通过S1直接加到了C1上啊
大哥，你好，能不能帮我看下我的电路问题呢？&
我最近在调试基于Marx原理的电路，采用的是mosfet开关ixfx26n120p,驱动器是ixys公司的4A驱动器 ixdn604。驱动输出为：
我采用的是4节电路，当充电电压较低，即负载输出电压较低时，输出正常，但是但输出电压达到1.5KV以上时，输出波形就不稳定，如图所示：
请问这是什么原因呢？
我的电路也有这样的问题 想请教 什么原因 谢谢 sometimes大哥
我来听课啦 ~\(≧▽≦)/~
我来看看学习的。
厉害，， CPU
完整看了一遍
本人拜读此贴久矣，现请教楼主，及各位大侠：本人现在做一个驱动50V电机的应用，没有频率要求，不用PWM调速，只是简单的正反转控制。我选择了H桥驱动，选用分立器件没用IR2100那种驱动控制芯片，但是画图中还是遇到很多困难，比如三极管的选型，低端三极管基极的电压，三极管控制MOS管，MOS管G极处的分压点，等等，贴上我画的图，请各位大侠不吝指正！尤其有几点问题，图中三极管射极需不需要加电阻？对于提供MOS管G极10V电压，我的分压点对不对？（图中A+B+A-B-均为5V单片机引脚直接控制端）
你有没有注意 MOSFET 驱动电阻 到底是多少？
太大，无法正常工作
把图中20K的电阻全都不用就好了
最近在调一个PFC电路，后面是接半桥输出，发现多次输出保护重启以后PFC MOS会损坏，测量波形发现没有什么不妥。PFC使用的是MC33262，图示是Vds的波形，猜想是不是所谓的震铃损坏的。请教下楼主。&
等待版主来指点迷津！
感谢楼主悉心讲解，收益颇多！
很精彩，学到不少知识。
非常感谢楼主！
感谢楼主，学到不少东西，如果早看到，我也不会因为G极悬空烧掉mosfet的，哎
S哥，你是用的啥仿真软件啊 ？ Saber还是protues啊
本人要 加强MOS基础学习
好贴………………顶上
顶一个，再慢慢消化！
期待楼主的大作
好贴，顶一个。谢谢老师。该贴是我看到的最易吸收的强帖。
静下来，专心听楼主讲解。
留着分析 很好谢谢
讲得很详细，楼主可以去大学讲课了
留个爪印留个爪印。
**此帖已被管理员删除**
很好的帖子呀。
现在的coolmos采用的都是什么工艺？有什么优缺点呢？
sometimes老师，请问你昨天讲课的PPT文件在哪里能找到？可以发一份给我么？ ,谢谢。
好东西，最近正在学习中!
你好，看到你的那个MOSFET驱动的帖子受益良多，想向您请教个问题。
我要做脉冲电源，低压大电流的那种，（电压在12V左右，峰值电流在20A，占空比小于50%，频率100K以下），开关电源部分我们是购买VICOR的成品，后面加一个调制器实现脉冲功能。
我们通过TC4426驱动P沟道MOSFET管，实现开关，TTL电平控制TC4426。之所以用P沟道的，因为脉冲电源的负载要接地良好直接和外壳相连，不能用断开地线的方式实现开关控制，而TC4426的供电电压较低，输出电压是12V时，无法驱动N沟道MOSFET。
面临问题：
1. P沟道MOSFET内阻大，想用N沟道mosfet，但TC4426的供电电压也只有15V，无法驱动N沟道的MOSFET，N沟道G极的控制电压比，P沟道G极控制电压高，那么是不是输出的前后沿N沟道的MOSFET也差点呢？
2. 产品需要很好的上升沿和下降沿，30nS或者更少，我们现有的方法就是TC4426和MOSFET之间没有电阻，实现好的上升沿，但是这样做的上升沿和下降沿30nS是极限了，而且上升沿会有抖动，抖动可能会伤害实际负载，怎么减小抖动，又有好的上升沿呢？
3.在使用时，脉冲输出的峰值电流肯定是大于直流电源的限流保护的，我们再直流电源的输出端并联和很多电容实现储能，但需要多少电容才算够了呢？直流电源需要多少功率呢？这些有没有什么经验公式呢？
4. TTL电平控制TC4426，TC4426驱动MOSFET，一个TC4426就驱动一个MOSFET，多路之间隔离使用，和多个TC4426并联驱动多个MOSFET并联，哪种前后沿会好些呢？
5. 如果脉冲电压需要30V，峰值电流在10A左右，有什么办法呢？一般的MOSFET栅极电压最大是20V的，而且一般驱动器供电电压也小于20V。
6. 关于这种低压大电流的脉冲电源，有没有什么书籍呢？似乎大家都讨论高压脉冲电源，低压的很少有人讨论啊,一般大家在哪里讨论低压脉冲电源？
楼主讲的太好了,学习
讲得太好了
怎么不继续讲下去，，好贴
学习了，正在做双管正激
用什么芯片做的双管正激
我来的太晚啦！远远的站在后面听。讲的真好！
关于版主说的再DS端加电压，测试G机波形的说法，使用软件模拟确实能看到G极4.0V电压。
但是，大家实际拿个MOS，测试下G极波形，就与版主说的不一致了，起机时会有电压上冲至4.0V，但是很快掉下来（持续时间25~30ms），有心的朋友可以自己去测试下。
这一篇相当不错。。。。。
学习，观摩~~
这个必须顶
百看不厌的帖子，，今天重温一下
有时间再细一看。
好帖& 学习了
留下足迹方便下次来寻！
很有意思,再研究啊
很精彩的讲解！
&老师，我想做一个BLDC控制器，上臂6个IPP030N10N，下臂7个，PWM频率20KHZ，想要损耗尽量小。用什么驱动芯片好？栅极电阻选多少范围的比较好？用得上负压关断吗？
我想把开启做到500nS以内，驱动芯片选IR2010可以吗？用单片机加光耦加MOS驱动芯片
受益匪浅，感谢！
真是好东西
新人，踩个脚印
大仙，有时间帮我看看吗？毕设快到时间了太太太谢谢了
回复都这么难 . . .. .. 真坑爹捏
好课题，好好听课
师长同志，你好，我用的变压器驱动MOS管，为什么会出现那个小台阶，是什么原因造成的呢，能否帮忙分析一下&
同问？？？
为何好久不见大师讲课了...
这就是传说中的米勒平台
学习了，呵呵
老师 我现在在做电机驱动 用到了MOS 管并联的驱动电路 但是波形一直很不理想 想请教请教您 上边这6个波形是加上电机后GS的波形 &震荡很大 MOS管发热很大 &前一段时间 我把驱动电路 6路都加上磁珠 基本上白搭。 我还为控制电路做了磁屏蔽 也是无济于事 。看来问题真的是管子本身了 我本来想省点事没想到还是省不了啊。。。 一会我把电路图上传
这个是我做的驱动电路 PWM频率为10KHZ 管子是P75NF75 & &10个并联
后来我把每个管子的栅极都加上电阻并上二极管也没什么效果 &G极电阻的阻值我都加到150欧了
我现在也在弄MOS管并联，应该每个MOS管都要有独立的驱动电阻，这样可以抑制震荡，还有就是驱动的走线了。
你试试把2欧姆电阻分别接到每个mos的栅极 & 别两个mos管公用一个驱动电阻 & &那样会产生振荡 & & 而且你那个电阻用2欧姆的mos的栅极电荷上升速率会很快 & &可能会出现emi问题 & 感觉10欧姆都可以 & 个人见解 &嘿嘿
**此帖已被管理员删除**
新手需要的就是这种帖，感谢楼主！
期待精彩讲解.
收藏了慢慢品味
好帖子，学习了！
老师一直非常棒！
讲解的好详细！我需要好好来学习。
留个记号，慢慢看！谢谢大师的好帖！！
那请问下，我用IR2104自举驱动MOSFET做buck电路，为什么感觉有出现短路的情况
&军长 帮忙解决一下这个问题~
新手，慢慢看吧
专家好，帮我分析一下这个芯片是什么类型的芯片
原理图中A,B两点输入正负电压，均可使MOS1导通，
要实现的功能是，MOS1导通时，输出逐渐增大，使马达缓启动，通过10K电位器可以调节马达转速，
K1，K2为继电器，正电压驱动K1，负电压驱动K2.
请告诉帮我分析一下，那个芯片是什么，是吗还是驱动芯片?
如果看不出，也根据要实现的功能，帮我推荐类似芯片，谢谢
关于电源网
我们的服务
服务时间：周一至周五9:00-18:00
电源网版权
增值电信业务经营许可证：津B2-
网博互动旗下网站：