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三星:14nm抢到苹果A9订单;SiC/GaN技术掀功率半导体革命
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阅读，只需一秒。精彩，尽在掌握！1.三星:14纳米制程抢到苹果A9订单;2.ARM与台积合作采用10nm FinFET制程产出64位元处理器;3.4G价格破坏者来了!联发科明...
1.三星：14纳米制程抢到苹果A9订单；2.ARM与台积合作采用10nm FinFET制程产出64位元处理器；3.4G价格破坏者来了！联发科明年大陆份额看好度赶上高通；4.澜起科技再次接到纳斯达克摘牌警告；5.SiC/GaN技术掀功率半导体革命；6.ARM针对MCU厂商开放免费软件平台；7.智能机不行改拼半导体？三星传获Apple Watch处理器肥单点击图片上方“集微网”，关注老杳吧微信平台更多消息微信发送”IC”或“本土IC”集微网推出网站手机版：/m1.三星：14纳米制程抢到苹果A9订单；苹果将新一代A8处理器转由台积电以20纳米制程代工，让三星错失商机，三星高层昨天呛声，称14 纳米FinFET（鳍式场效晶体管）制程已拿到苹果A9订单，三星半导体部门失去苹果A8处理器订，加上手机部门销售表现欠佳，已让三星获利节节下滑，让三星不得不再使出浑身解数，企图在14纳米重新扳回一城。科 技网站ZDNet引述知情人士消息报导指出，三星凭借著14 纳米技术，已取得苹果A9处理器合约；三星大规模集成电路部门（System LSI）总裁金奇南（Kim Ki-nam）更在首尔总部意有所指的表示，如果明年新芯片开始对苹果出货，获利将会好转。金奇南并未透露何时量产14纳米芯片，但一般认为时间应当是明 年底，也就是下一代iPhone上市时间。此外，除苹果外，高通、超微也将相继采用三星的14纳米技术。台积电昨日不回应对手进度及客户订单动向，不过，相较于三星14纳米迄今未完成产品设计定案，台积电日前帮海思完成首颗16纳米FinFET 制程的网通处理器产品设计定案（tape out），而且和安谋完成ARM架构的高阶行动处理器实作验证。台 积电供应链表示，三星的14纳米，目前为高通试作芯片的情况并不顺，尤其看到台积电的16纳米已率先完成产品设计定案，有机会提前明年第2季导入量产，可 能让高通重新考虑下给三星的订单数。此外，目前对三星仍怀有敌意的苹果，未来仍会考虑优先采用台积电的16纳米强化版，台积电目前在先进制程代工市占，虽 被三星短暂超越，但明年下半年，可能很快重回夺回领先，明年拉大差距。经济日报2.ARM与台积合作采用10nm FinFET制程产出64位元处理器；ARM与台积公司共同宣布一项为期多年的合作协议,双方将针对台积公司10奈米FinFET制程技术提供ARMv8-A处理器IP的最佳解决方案。基于 ARM与台积公司从20奈米系统单晶片(SoC)技术至16奈米FinFET技术在制程微缩上的成功合作经验,双方决定在10奈米FinFET制程上再度 携手合作。此项先期研究工作将为实体设计IP与设计法则累积宝贵经验,最快自2015年第四季起,即能支援客户采用10奈米FinFET技术完成64位元 ARM架构处理器的设计定案。ARM执行副总裁暨产品部门总裁Pete Hutton表示,ARM与台积公司双方长期深入合作,提供以ARM系统单晶片为基础的先进解决方案。ARM与台积公司自开发周期即紧密配合,针对处理器 与制程进行最佳化,并致力研发先进的解决方案,协助客户加快设计、产品设计定案与产品上市的时程。台积公司将运用20奈米SoC制程及 16奈米FinFET制程的经验,以更先进的10奈米FinFET制程提供ARM产业体系夥伴更佳的效能和功耗优势。ARM产业体系的夥伴也能善用台积公 司的开放创新平台(Open Innovation Platform, OIP),其中涵盖多个互通的设计生态系统介面及由台积公司与合作夥伴协同开发出的构成要素,这些构成要素系由台积公司主动发起或提供支援。台 积公司研究发展副总经理侯永清博士表示,台积公司推出先进制程以支援ARM架构系统单晶片。台积公司与ARM合作,在16奈米FinFET制程的支援下已 完成big.LITTLE架构实作验证,展现高效能与低功耗的优势。基于双方过去成功的合作经验,未来在64位元核心与10奈米FinFET制程的合作 上,将持续与ARM保持紧密的夥伴关系。台积公司与ARM长期保持合作创新,近期成果包括客户及早使用ARM Artisan实体IP及采用16奈米FinFET制程完成的ARM Cortex-A53与Cortex-A57处理器设计定案。CTIMES3.4G价格破坏者来了！联发科明年大陆份额看好度赶上高通；联发科(2454)4G手机晶片赶进度，明年有望一举追平与高通在大陆市场上的差距。据知名科技网站EE Times 10月1日报导，联发科发言人Joey Lee透露，MT6795新64位元真八核心晶片已在认证阶段，预计明年初即可开始出货。瑞士信贷驻台北分析师Randy Abrams透过电话访问时表示，搭载MT6795晶片之智慧型手机效能可比三星Note或苹果iPhone，但售价少掉一半、只需300-400美元，极具破坏力的价格正合大陆市场胃口。Abrams认为联发科应可藉此追上高通。Abrams指出，MT6795晶片处理时脉达2.2GHz，可与高通绕龙600-800系列处理器打成平手，且预料将被小米与华为等大陆手机大厂所采用。据Strategy Analytics预估，大陆手机晶片出货量今年将来到1.2亿颗，高通约拿走5成份额，联发科也抢下1/4的市占，至于最近获得Intel入股的展讯则占5%。另外，Strategy Analytics 10月1日还公布，全球平板用系统单晶片(SoC)第二季出货金额年增23%至9.45亿美元，联发科排名第四，市占率排在苹果(26%)、英特尔(19%)与高通(17%)之后，至于三星则是落居第五。精实新闻4.澜起科技再次接到纳斯达克摘牌警告；　新浪科技讯 北京时间10月2日晚间消息，澜起科技(Nasdaq:MONT)今天宣布，已于10月1日接到来自纳斯达克(.11, 0.18%)市场方的通知邮件。邮件称，由于未能满足纳斯达克上市条款5250(c)(1)条之规定，除非澜起科技在日前要求纳斯达克 上市资格委员会(NLQP)举行听证会，否则澜起科技股票将被纳斯达克摘牌。　　由于未能向美国证券交易委员会(SEC)提交截至日的10-Q表格，澜起科技今年8月已经接到来自纳斯达克市场方的摘牌警告。　　澜起科技已于8月14日在12b-25表格(推迟提交文件通知)中披露，在公司审计委员会完成对Gravity Research报告中指控的评估，以及完成对公司截至日财报的评估之前，无法提交10-Q表格。　　根据该推迟申请，澜起科技可以在9月29日之前采取措施，重新满足上市条件。　　在收到10月1日的警告通知后，澜起科技可以在7天内要求纳斯达克上市资格委员会举行听证会。在接到举行听证会请求后的15天内，澜起科技股票可以继续在纳斯达克交易。此外，在上市资格委员会做出决定前，纳斯达克还有权暂缓对澜起科技股票进行摘牌。　　如果要求举行听证会，澜起科技很可能在听证会上请求赋予更多时间来完成10-Q表格。根据纳斯达克上市规定，上市资格委员会赋予澜起科技的额外时间不能超过360天(从最初的违约时间算起)。当然，也不能保证上市资格委员会将赋予澜起科技更多时间 。(李明)5.SiC/GaN技术掀功率半导体革命；随着全球节能环保意识抬头，半导体产业开始投入提高产品效率、降低功耗以及减少材料使用的技术开发，加上电动车、再生能源以及各种能源传输与转换系统不断要求高效率与低耗能设计，使得性能更加优异的碳化矽(SiC)与氮化镓(GaN)等高规格功率元件有了用武之地。为 了实现高效率的能源传输与利用，这些高性能功率元件在能源转换中扮演重要角色。传统矽基(Si-based)材料由于无法提供较低导通电阻，因而在电力传 输或转换时导致大量能量损耗。SiC元件则由于具备高导热特性，加上材料具有宽能隙特性而能耐高压与承受大电流，更符合高温作业应用与高能效利用的要求， 在近期持续受到热切关注。相较于SiC已发展十多年了，GaN功率元件则才刚进入市场，它是一种拥有类似于SiC性能优势的宽能隙材料， 但拥有更大的成本控制潜力，尤其是高功率的矽基GaN由于具有更大输出功率与更快作业频率，已被看好可取代矽元件成为下一世代的功率元件。近年来全球对于 都市基础建设、新能源、节能环保等方面的政策支持，扩大对于SiC/GaN等高性能功率元件的需求，将进一步促进SiC/GaN功率元件的发展。根 据IHS IMS Research的报告显示，在未来十年，受到电源、太阳光电(PV)逆变器以及工业马达的需求驱动，新兴的SiC和GaN功率半导体市场将以18%的速 度稳步成长，预计在2022年以前，SiC和GaN功率元件的全球销售额将从2012年的1.43亿美元大幅增加到28亿美元。年全球SiC/GaN功率半导体市场预测如 今，SiC已被普遍视为足以取代矽的可靠技术。大多数功率模组和电源逆变器制造商都将SiC纳入技术开发蓝图中，特别是PV逆变器可望成为SiC的最佳应 用。Yole Developpement的报告并指出，尽管受到全球经济不景气影响，2012年整体电力电子市场低迷，经历约20%的负成长，但SiC仍维持38%的 年成长率。目前全球约有30多家公司拥有SiC元件设计、制造与销售能力，并进行相关的SiC技术研发。而随着GaN功率元件销售与产品 出货量快速攀升，业界观察家均看好GaN的市场前景。Yole Developpement在最近的调查报告中指出，“GaN功率市场迈向整合，准备迎向巨大成长。”Yole分析师Philippe Rousel预计，“GaN元件市场可望在2020年达到6亿美元的规模，届时将需要制造58万片6寸晶圆。此外，GaN市场将于2016年起迅速发展， 伴随电动车(EV)/油电混合车(HEV)将在年开始采用GaN，2020年以前估计可实现80%的CAGR成长。”GaN的潜在应用市场、成长率与上市时程预测SiC/GaN展现高规格SiC/GaN 功率元件有别于矽元件，是因为这种材料拥有更好的特性，能够降低导通和切换时的能量损耗。例如，逆变器采用二极体和电晶体作为功率元件，仅采用SiC二极 体材料，就能使逆变器的功率损失降低15-30%左右；而如果电晶体材料也由矽换成SiC，则功率损失可减少一半以上。SiC功率元件可 广泛用于节能、高频和高温三大电力电子系统，与传统的矽功率元件相较，SiC功率元件具有切断拖尾电流极小、切换速度快、损耗低与耐高温的特性。采用 SiC功率元件开发电力电子变流器，能提高功率密度、缩小装置体积；提升变流器效率；提高开关频率，缩小滤波器体积；并可确保在高温环境下执行的可靠性； 同时还易于实现高电压大功率的设计。随着SiC元件技术普及，电动车、油电混合车等使用高功率半导体元件的交通工具也开始导入。ROHM 半导体指出，SiC功率元件具有耐高压、低损耗、高速开关等传统矽材料元件所没有的优异特性。如今，对它的期待正以不可估量的态势高涨。ROHM‘以 SiC为核心的功率元件’作为该公司未来50年发展策略之一，致力于SiC功率元件和模组的开发，满足新的市场需求，并已开始量产。东芝半导体表示，由于消费者越来越倾向于清洁能源与环境友善型的应用，市场对于高转换效率的功率元件需求不断成长。SiC功率元件被视为下一代低损耗的主流高压功率元件。对于像伺服器电源及太阳能空调等应用，SiC功率元件提供了理想的解决方案。东芝指出SiC与GaN元件可发挥优势的应用领域。进一步降低SiC成本SiC/GaN功率元件虽然在性能上优于矽元件，但是由于其SiC/GaN材料成本较高，所以难以普及，随着制程及生产技术进步，其成本已有逐渐下降的趋势。藉由制程技术进展，业界厂商表示SiC可望逼近矽功率半导体的成本，但事实上，如今二者之间还有一段差距。宜 普电源转换公司(EPC)亚太区FAE总监郑正一指出，根据Linley Group的研究资料，先进数位电路的电晶体成本在2012年第一次开始上升，这意味着开发新一代电晶体所需投入的资本正在提高，并可能超过技术带来的低 成本优势。这是摩尔定律的失效——摩尔定律认为技术可不断缩小电晶体尺寸，并持续降低成本。相反地，EPC第四代GaN场效电晶体 (eGaN FET)技术则有助于使摩尔定律复苏，这是由于它具有更低导通电阻以及更快的切换速度，因此它的性能得以倍增而成本则可同时继续下降。更低的导通电阻代表 当电晶体作业时可减低功率损耗。而更快的开关速度则意味着工程师可进一步缩小系统并在性能上抛离日益陈旧的功率MOSFET元件。ROHM 指出，相较于已经具有大量采用记录的SiC-SBD而言，SiC-MOSFET和全SiC功率模组的实际应用现在才开始。相较于以往矽基元件，如何在性能 差异和成本差异间寻求平衡将成为SiC元件真正普及的关键。ROHM针对两个方面展开技术开发：一、基于SiC晶圆大口径化，降低SiC元件成本；二、相 较于矽元件，开发在性能上具有绝对优势的新一代SiC元件。此外，ROHM未来将透过扩大普及SiC元件，促进在全球内实现节能和减少CO2的排放。此 外，相较于传统MOSFET，通道型SiC MOSFET具有显着的优势：与原来的平面型相较可轻松降低导通电阻。因此，在获得相同的电流容量时，与平面型相较，通道型需要的晶片面积更小。如果可以 减少晶片面积，那么一片SiC晶圆能够获得的晶片数量就会增加，因此能够提高生产效率，以及有助于削减成本。ROHM已经投产通道型SiC MOSFET，计划从2014年秋季开始陆续出样供货。GaN元件突破技术障碍SiC/GaN功率元件虽然备受瞩目，但是目前的发展仍处于初期阶段，进入主流市场还需要一段较长的时间，但厂商们正不遗余力地提升产品性能以及性价比，业界近期推出的元件也较先前的产品有了很大的提升。郑正一指出，新一代GaN元件正从以下几方面突破技术障碍：　　·具备更低导通电阻：由于全新GaN FET系列可降低一半导通电阻，因此可支援大电流、高功率密度应用。　　·进一步改善品质因子(FOM)：最新一代GaN FET较上代元件降低一半的硬开关FOM，因此在高频功率转换应用可进一步提高开关性能。　　·更宽广的电压范围：由于受惠于采用GaN FET扩展至30V的应用，因此可支援更高功率的DC-DC转换器、POL转换器以及隔离型电源供电、电脑与伺服器内的同步整流器等更多应用。　　·更优越的散热性能：新一代GaN FET系列产品在温度方面具备增强性能并配备更优越的晶片布局，因而改善了散热及电学性能，使得GaN FET在任何条件下都能更高功率地工作。EPC的GaN功率元件至今已发展至第四代，郑正一表示，最新一代GaN FET更为业界提高了电源转换的性能基准。由于全新第四代GaN元件系列在主要开关品质因子方面取得重大增益，因此在性能上可进一步抛离日益陈旧的功率MOSFET元件。与矽基MOSFET元件相较，第四代GaN元件除了实现更低FOMHS与FOMSS值外，EPC配合使用改进的元件封装以及具有低寄生电感的PCB布局，使得在硬开关以及软开关应用采用具有高功率密度的GaN FET转换器的高频性能得以大幅提升。增强型GaN FET的应用范例包括取得超过93.5%效率的12V转至1.2V、50A、开关频率为500kHz的负载点(POL)转换器，以及取得超过98%效率的48V转至12V、30A、开关频率为300kHz的非隔离型DC-DC中间汇流排转换器。这 些元件在特定应用领域可发挥极大的作用。他补充说，这些由30V至200V的电晶体在很多应用可大幅降低导通电阻，并可增强输出电流性能，例如具高功率密 度的DC-DC转换器、POL转换器、DC-DC与AC-DC转换器的同步整流器、马达驱动器、发光二极体照明及工业自动化等广泛应用，使得GaN技术进 一步迈向目标市场，并在潜力无穷的120亿美元电晶体市场、300亿美元电源管理元件市场、400亿美元类比晶片市场以至于3,000亿美元的半导体市场 取得更大的占有率。功率半导体市场吹整并风此 外，功率半导体产业最近还吹起了整并风潮，同样着眼于GaN的未来发展前景。为了进一步提高在功率半导体市场的主导地位，英飞凌科技(Infineon Technologies)日前以30亿美元现金大手笔收购已经自立自强了35年的美商国际整流器公司(International Rectifier；IR)，此举被形容为该公司前所未有的最大收购行动，而其主要的目的也在于取得GaN技术并。透过这项收购行动，英飞凌得以重新定位 该公司为一家囊括基于矽、SiC与GaN功率元件与IC市场的更大规模跨国电源元件供应商。英飞凌已在功率半导体领域建立起强大的业务版 图，特别是600V与1,200V等高电压元件以及1,800V电网，市调公司Gartner研究总监Stephan Ohr 表示，“英飞凌一直看好在太阳能与风力等替代能源转换领域，但这毕竟仍是利基型的市场。如今，英飞凌可藉由收购扩大产品组合，为专用于智慧建筑与智慧城市 计划提供最大量的高电压元件。”根据英飞凌表示，透过结合IR的低电压、低功耗晶片，可进一步扩展英飞凌的高电压、高功率半导体产品版 图，从而促进该公司在功率半导体领域的进展。例如，英飞淩擅长1kV以上的IGBT晶片以及采用IGBT功率模组等应用的高功率半导体，瞄准汽车、铁路、 PV发电、风力发电以及工业设备等用途；而IR则专注于提供1kV以下的功率半导体，包括低电压IGBT、小型IPM、DC-DC转换器等MCM元件，适 用于白色家电与AV设备等。此外， 藉由收购也将可望提高英飞凌Dresden晶圆厂为自家功率半导体生产300mm薄晶圆的产能利用率。英 飞凌和IR都拥有DC-DC业务，但IR在负戴点(POL)领域提供了更好的补强。英飞凌科技执行长Reinhard Ploss表示，IR拥有强大的“多晶片封装技术，”可用于生产英飞凌的高电压系统级封装(SiP)解决方案。他预期IR的技术将推动英飞凌的功率模组性 能进展，“我们也期待着利用氮化镓，”PLOSS说。对于英飞凌来说，此次收购还将有助于缩小矽基GaN技术差距。针对新一代功率元件领 域，双方技术也甚少重叠──英飞凌致力于研发SiC，而IR则专注于GaN技术，而且两家公司分别在SiC/GaN领域占主导地位。英飞凌在2001年首 先推出SiC二极体，IR则于2010年领先投产搭载GaN功率元件的MCM。藉由收购取得IR先进的GaN功率元件制造技术，将有助于使英飞凌加速并巩 固该公司在GaN独立元件与GaN系统解决方案的地位，并进一步跨足涵盖SiC与GaN材料以及从低功率到高功率元件的广泛应用。尽管目 前的供电系统、电力机车、工厂生产设备、PV发电系统的功率调节器、空调与白色家电、伺服器与PC等许多领域仍采用矽晶二极体、MOSFET或IGBT等 电晶体作为功率元件。然而，随着SiC正逐渐普及于马达、PV逆变器与空调等电力转换应用，各种安全工程、铁路、资讯技术、新能源、节能设备与城市基础设 备计划的巨大需求出现，加上电力公司、汽车制造商与电子厂商的期待，SiC与GaN等功率半导体可望进一步迎来材料的更新换代。eettaiwan6.ARM针对MCU厂商开放免费软件平台；安谋科技论坛（ARM TechCon 2014）在美国圣塔克拉拉召开，技术长Mike Muller预料，物联网时代将会有数十亿以上的装置相互连结及互动，也将引爆巨量资料的传输运算需求。图／杨晓芳处 理器矽智财（IP）大厂英商安谋（ARM）为建立物联网完整生态系统，1日在安谋年度科技论坛（ARM TechCon）中，宣布将免费提供开放式作业系统软体平台（ARM mbed IoT Device Platform）给合作夥伴。微控制器（MCU）厂新唐因领先国内同业率先取得安谋最新Cortex-M7授权，可望与安谋共同抢攻物联网庞大商机。安 谋年度科技论坛在今年进入第10周年，安谋的处理器IP获得高通、联发科、展讯等合作夥伴采用，已在智慧型手机、平板电脑市场称王，今年科技论坛首日，安 谋将未来市场眼光放在物联网（IoT），锁定的合作夥伴则转为MCU厂，也预告着未来在物联网市场中，MCU厂将迎接雨露均霑的美好时代。安谋技术长Mike Muller指出，物联网无疑已是未来科技发展的新市场，安谋首度提供硬体设计夥伴免费软体操作系统，将加速生态链夥伴在因应不同终端市场时，能快速完成IC设计，进而快速建构完成物物相联的物联网所需的基础建设。安谋也将维持在智慧型手机所新创的成功生态链商业模式，将携手IC设计业、IC制造业、以及系统终端制造业，共同推动物联网的创新产品。Mike Muller预料，将会有数10亿以上的装置相互连结及互动，也将引爆巨量资料的传输运算的需求。Mike Muller说明指出，并不是所有资料都需要传输到“云”里，由大型伺服器进行运算，反而是端与端、点与点、物与物之间简单的资料传输运算需求，才是物联网商机引爆的重点。预估在物联网时代，具备低功耗、微运算能力的MCU将扮演核心运算的处理器的角色。因 应物联网对MCU爆发性的需求，安谋不但快速推出符合硬体设计的ARM Cortex-M系列处理器IP，在9月底发表最新高效能32位元Cortex-M7，并在昨日宣布提供MCU厂免费的开放式作业系统软体平台ARM mbed IoT Device Platform。新唐是台湾的MCU厂之中，率先取得安谋最新Cortex-M7的IC设计厂，与意 法半导体、飞思卡尔（Freescale）、爱特梅尔（Atmel）同步。盛群虽尚未取得，但是也是安谋Cortex-M系列IP授权厂商，因此ARM mbed IoT Device Platform的推出，新唐、盛群将率先受惠。工商时报7.智能机不行改拼半导体？三星传获Apple Watch处理器肥单三星电子(Samsung Electronics)智慧型手机销售疲弱，但半导体事业在客户需求稳定的带动下，却有望拯救三星脱离苦海。BusinessKorea 1日引述业界消息报导，三星据传已获得苹果(Apple Inc.)智慧手表“Apple Watch(见图)”的订单，将为之供应以28奈米或20奈米制程技术制造的应用处理器(AP)。另外，三星也打算供应Apple Watch所需的DRAM、NAND型快闪记忆体(NAND flash)。三星所制造的10奈米制程等级3-bit NAND flash已经获得苹果iPhone 6、iPhone 6 Plus采纳。分析师预估，在记忆体销售良好、系统LSI部门营运改善的带动下，三星的半导体事业第3季的营益将有机会超过2兆韩圜。根据10家券商的估计，三星半导体事业的Q3营益预估将达创记录的2.629兆韩圜(相当于24.71亿美元)，略高于IT暨行动通讯事业部(IT & Mobile Communications；IM)的2.2797兆韩圜。倘若真是如此，这将是2011年第2季以来，三星的半导体事业营益首度超越IM部门。精实新闻更多资讯请点击“阅读原文”收听集微网手机版新闻
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新加坡官网抢到！第一批发货！iphone6白色16G，iPhone6plus土豪金16G，明盘价格有意联系
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青苹果, 积分 57, 距离下一级还需 143 积分
本帖最后由 焦糖奶茶 于
21:03 编辑
新加坡官网抢到两个求出，第一批发货，iphone6白色16G，iPhone6plus土豪金16G。
两个机器都抢到<font color="#ff//2014的发货时间，也就是第一批发货的，新加坡一收到就发特快到香港，然后人肉背回，确保9月内到你手。
iphone6白色16G：9800。iphone6金色16G：12500
不墨迹爽快的可小刀。
新加坡版和港版一样无锁，机器型号都是1586，带苹果给的发票。
新加坡或香港可面交。
有意站内PM,或者wechat：Molly_29
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沙发自己拿
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香港面交的话一部多少钱？回楼主焦糖奶茶于16 分钟前发表的: 新加坡官网抢到两个求出，第一批发货，iphone6白色16G，iPhone6plus土豪金16G。
确保9月内拿到货，新加坡一收到就发特快到香港然后人肉背回。
价格好商量，只有两个......
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DDDDDDDDDDDDDDDDDD
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香港面交的话一部多少钱？
您看着开价吧，符合现在市场行情的话差不多就出了
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支持国际直邮，支持香港转运
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您看着给吧，符合市场行情的价格差不多就出了，确保这个月内到手！
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Hi~我是威威！
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