trench MOSfet 有哪些加密机厂商有哪些

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2015-06-25 07:01 标签： trench warfare
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ESD保护栅结构Trench+MOSFET设计制造.pdf52页
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ESB保护栅结构的TrenchMOSFET设计制造
功率MOSFET是将微电子技术和电力电子技术融合起来的新一代功率半导体
器件。因其具有输入阻抗高、开关速度快、输出电流大和热稳定性好、安全工作
区宽等优点，在电源保护、电源开关、De／DC变换器和同步整流等电子设备中得
到广泛应用。
本文给出了?种带有ESD保护栅结构的TrenchMOSFET的设计流程。和普通
通MOSFET显著提高。本文的目的是在达到设计目标的同时尽量减少光刻版的层
数，降低单位面积的导通电阻，从而有效控制成本。
展、应用以及市场前景等。第二部分是理论基础，介绍了Trench
的理论知识，提出了在栅极区制造ESD保护结构方法，此方法可以有效控制芯片
面积。第三部分是工程实践，首先通过经典理论公式推导出外延片规格；终端结
构使用场板、多晶硅场限环和截止环的复合结构；ESD保护二极管先P型掺杂再
N型注入的顺序使N注入可以和N+源区同时形成，减少了光刻版的数量；接下来
装数据对模拟条件进行校准和调整，最终的结果完全满足了预期的设计目标。
关键词：TrenchMOSFET，ESD保护，模拟，HBM
者：殷允超
指导教师：黄秋萍
andmanufactureof
gate protected
ThnchMoSFET
PowerMOSFETsareall
classofdiscretedevicesfora
varietypower
conversion becauseof
applications highinputimpedance，highswitchingfrequency，
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Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET Gen IIIP沟道功率MOSFET具有极低导通
日 作者：电源门户网 来源：电源门户网 编辑：苏笑然
　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，扩充其采用超小PowerPAK? SC-70封装的TrenchFET? Gen III P沟道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的，占位面积只有2mm x 2mm，在-4.5V和-10V栅极驱动下的导通电阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。　　对于电源管理中的负载和电池开关，以及智能手机、平板电脑、移动计算设备、硬盘驱动器和固态驱动的同步降压转换应用里的控制开关，-12 V SiA467EDJ提供了13m?(-4.5V)的极低导通电阻。-20V SiA437DJ的导通电阻为14.5m?(-4.5V)，-30V SiA449DJ和SiA483DJ的导通电阻分别只有20m?(-10V)和21m?(-10V)。另外，SiA437DJ和SiA467EDJ的电流等级高达30A，承受很大的涌入电流，可用于负载开关。　　器件的低导通电阻使设计者能在其电路中实现更低的压降，更有效地使用电能，并延长电池寿命，同时这些器件的超小PowerPAK SC-70封装可以节省宝贵的电路板空间。对于小型负载点(POL)DC/DC和其他同步降压应用，MOSFET的P沟道技术不需要使用电平转换电路或“自举”器件，简化了栅极驱动的设计。　　SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ进行了100%的Rg测试。这些MOSFET符合JEDEC JS709A的无卤素规定，符合RoHS指令2011/65/EU。　　SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十四周。　　VISHAY简介　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、MOSFET和红外光电器件）和无源电子元件（电阻器、电感器、电容器）的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 。&
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[行业动态]飞兆半扩展PowerTrench MOSFET系列
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飞兆半扩展PowerTrench MOSFET系列
　　提升功率密度和轻载效率是服务器、电信和AC-DC电源设计人员的主要考虑问题。此外，这些开关电源(SMPS)设计中的同步整流需要具有高性价比的电源解决方案，以便最大限度地减小线路板空间，同时提高效率和降低功耗。有鉴于此，半导体公司(Fairchild Semiconductor)扩展PowerTrench& 系列来帮助设计人员应对电源设计挑战。本文引用地址：
　　这些产品属于中等电压产品系列成员，是结合低栅极电荷(QG)、低反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管的优化功率开关产品，可以实现快速开关。这些器件备有40V、60V和80V额定电压型款，由于采用优化的软反向恢复体二极管，减少了缓冲器电路的功耗，与竞争解决方案相比，可将电压尖刺减少多达15%。
　　这些器件采用具有电荷平衡功能的屏蔽栅极结构，从而达到较高的功率密度、较低的振铃和更好的轻载效率。通过使用这项技术，新器件获得了较低的品质因数(QG & RDS(ON))，同时降低驱动损耗来提高功率效率。
　　这一系列的首批器件包括采用Power56封装的40V FDMS015N04B和80V FDMS039N08B器件，以及采用TO-220 3引脚封装的60V FDP020N06B和80V FDP027N08B器件。　　
　　特性和优势
较小的封装尺寸(Power56和TO-220 3引脚封装)，具有最大的热性能/系统尺寸比
较低的QG以降低栅极驱动损耗
低QGD/QGS比，防止不必要的误导通，提高系统可靠性
低动态寄生电容，减少高频应用的栅极驱动损耗
100% UIL测试
满足RoHS要求
　　新增的PowerTrench& 器件丰富了半导体中等电压范围MOSFET产品阵容，作为齐全的PowerTrench技术产品系列的一部分，它能够满足现今电子产品的电气和散热性能要求，在实现更高能效水平方面发挥重要的作用。
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