求TO-220封装的大功率led mos管mos管 电流要在100a以上，电压50v

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2015-08-10 05:25 标签： 大功率mos管驱动电路
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联&&系&&人：郑先生 (销售工程师)
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主营产品：
品牌:华晶型号:1N60 封装:TO-92，TO-251 极限电压:V极限电流:A用途: 类型:绝缘栅型场效应管 沟道类型:N沟道
深圳市威敏特实业有限公司2N60
天坤国际（香港）实业有限公司2N60
一级代理：美国BOURNS（邦斯）、华晶1N60、Semitel、Willsemi(韦尔半导体)、SKY
公司承诺所有售出产品质量绝对保证，全程提供专业方案支持，使用过程中有任何疑问请咨询，质量问题包退包换。
1N60所有产品均原装正品，且备有现货，
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华晶MOS管(场效应管)2N60：
封装形式有：SOT-23,TO-92,TO-251,TO-126,TO-252,TO-220A,TO-220F
华晶高压系列2N60 MOS全线采用飞思卡尔(FREESCALE)生产线技术，IR代工厂出品，产品余量设计充足，华润集团投资30亿RMB，国内一流照明企业首选产品，是您提质量，降成本的好方案
低压MOS ：
SKY2301**, SKY2302**, SKY9435GP, SKY8205GW, SKY3401**, AO3400A
AO3400, AO3402, AO3416, AO3414, AO3415, AO3415A, AO3401, AO3403, AO3407, AO34　07A, AO3409,
华晶常用优势料号1N60,2N60,4N60,4N65,5N60,6N60,7N60!!!!!
1N60,　1N80,　2N10,　2N60,　2N65,　3N25,　3N50,　3N80,
4N60,　4N65,　4N80,　4N90,　5N20,　5N60,　6N60,　7N60,　7N65,
8N60,　8N65,　8N80,　9N90,　10N60,　10N65,　12N50,　12N60,　12N65,　13N50,　20N60，75N75
IRFU214BA3HD(TO-251),IRF630A8H(TO-220A),IRF640A8H(TO-220A)
IGBT：BT15N120(3P),　BT15N120ANH(3P)
威敏特主营产品如下：
BOURNS微调电位器：3296W，X，P型 、3362P，X，W型，3266W，3386P、3006P、3313J、3314G ,J、3224W、3590S、3224J等系列
2.BOURNS自恢复保险丝：贴片1206系列，1812系列，各种插件系列
华晶2N60 MOS管：低压系列、500V系列、600V/650V系列、800V系列、900V系列
SEMITEL：一次性快断慢断保险丝全系列（0402、0603、1206封装）
美国Semitel全线产品：
ESD静电防护元件：MLSEP12A-0402，MLSEP24B-0603，MLSEP08A-2510
ESLP1005V05，ESLP1608V05，ESLP2510V05
瞬态抑制二极管(TVS):静电防护系列、大功率TVS管、超低电容值TVS
大功率TVS a品系列：
1.5KE，SMAJ,& 1.5SMC,& P4KE,& P4SMA,& P6KE, P6MB, SMBJ,& SMCJ系列
整流桥：MB2S、MB4S、MB8S、MB10S、MB12S
电感：高频电感系列、功率电感系列、EML/RFI
LED驱动电源、热敏电阻、电阻、电容
个性化推荐 电议电议100元1元1元23元315元17元电议1860元电议3800元1元电议电议98元44元1元电议1元3500元电议电议500元1元1元电议276元电议9元
深圳市威敏特实业有限公司&&&
(销售工程师)
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TO-220电动车控制器MOS管
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绝缘栅(MOSFET)
HF/高频(射频)放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:L/功率放大,封装外形:P-DIT/塑料双列直插,材料:GE-N-FET锗N沟道
￥0.10/PCS
种类:温度开关,沟道类型:其他,用途:电子,体积:小型,保持电流:1,最大电流:5,电压特性:低压,熔断速度:T/慢速,最大电压:250,动作温度:65,自动复位功能:有,形状:插片式
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:S/开关,封装外形:P-DIT/塑料双列直插,材料:GE-N-FET锗N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:L/功率放大,封装外形:CER-DIP/陶瓷直插,材料:N-FET硅N沟道
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种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:S/开关,封装外形:SMD(SO)/表面封装,材料:GE-N-FET锗N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:耗尽型,用途:S/开关,封装外形:SMD(SO)/表面封装,材料:GE-N-FET锗N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:L/功率放大,封装外形:P-DIT/塑料双列直插,材料:N-FET硅N沟道
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:耗尽型,用途:MOS-HBM/半桥组件,封装外形:LLCC/无引线陶瓷片载,材料:P-FET硅P沟道,最大漏极电流:5,低频噪声系数:5,极间电容:5
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:耗尽型,用途:MOS-HBM/半桥组件,封装外形:SMD(SO)/表面封装,材料:GE-P-FET锗P沟道,最大漏极电流:5,低频噪声系数:14,低频跨导:12
种类:绝缘栅(MOSFET),沟道类型:N沟道,导电方式:增强型,用途:MOS-FBM/全桥组件,封装外形:P-DIT/塑料双列直插,材料:N-FET硅N沟道
大功率场效应管求大神推荐P沟道 电流 电压大概在80A 80V左右的TO-220封装的MOS管_百度知道
求大神推荐P沟道 电流 电压大概在80A 80V左右的TO-220封装的MOS管
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ME80N75T，75V，93A，TO-220封装。。。
这是P沟道吗 ？
给你推荐的是N沟道的。。。。前面的P沟道被我直接忽略掉了。。不好意思
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