n型硅，强电离的杂质电离能程度与哪些因素有关

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半导体物理学(刘恩科)第七版第一章到第五章完整课后题答案.doc31页
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第一章习题
1．设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为：
Ec= （1）禁带宽度; （2）导带底电子有效质量; （3）价带顶电子有效质量; （4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解：（1） 2. 晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107 V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 解：根据：
得 补充题1 分别计算Si（100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度（提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图） Si在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图1所示： （a）(100)晶面
（b）(110)晶面 （c）(111)晶面
一维晶体的电子能带可写为， 式中a为 晶格常数，试求
（1）布里渊区边界；
（2）能带宽度；
（3）电子在波矢k状态时的速度；
（4）能带底部电子的有效质量； （5）能带顶部空穴的有效质量 解：（1）由 得
（n=0，(1，(2…） 进一步分析 ，E（k）有极大值， 时，E（k）有极小值 所以布里渊区边界为
(2)能带宽度为 (3）电子在波矢k状态的速度 （4）电子的有效质量 能带底部
所以 (5)能带顶部 ， 且， 所以能带顶部空穴的有效质量 半导体物理第2章习题 1. 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么？
答：（1）理想半导体：假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，实际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。
（2）理想半导体是纯净不含杂质的，实际半导体含有若干杂质。
（3）理想半导体的晶格结构是完整的，实际半导体中存在点缺陷，线缺陷和面缺陷等。 2. 以As掺入Ge中为例，说明什么是施主杂质
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