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中压大电流MOS/高压MOS场效应管
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中压大电流MOS
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STP50N06/IRFZ44N
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IRF3207/IRF1404
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STP10N10/2SK2504/FDS3672/IRFR3410
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高压MOS场效应管
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SOI上双极压控MOS场效应管的研究
【摘要】：
概述了现代微电子器件发展的现状，电路集成度的不断提高，加工工艺特征尺寸的不断减小，器件尺寸进入了亚微米、深亚微米阶段，出现了许多不良效应。详细分析了一种新型半导体器件——双极压控场效应晶体管(BJMOSFET)的结构特点、工作原理，这种器件拥有BJT和MOS两者的优点。并对其直流特性、频率特性、开关特性和温度特性进行了详细的理论分析和计算机模拟，得出了该器件优于现有器件：饱和漏电流较大，频带更宽，开关特性也有一定改善，温度稳定性更好。更适于SOC的生产开发。从结构、工艺、功耗等方面提出了器件的设计方法，特别是针对目前集成电路低压、低功耗发展的要求，从器件本身的阈值电压、制备器件的材料和器件的衬底方面进行了详细的分析，得出了一些结论，为器件的实际生产提供了理论指导。介绍了SOI材料的几种制备技术及SOI材料的主要应用领域。提出了SOI BJMOSFET的结构。通过与体硅BJMOSFET比较，讨论和分析了SOI BJMOSFET的优点：无闩锁效应、抗软失效能力强、寄生电容大大降低、热载流子效应减弱、减弱了短沟道效应、工艺简单等。联系SOC低压、低功耗发展的要求，得出了SOI BJMOSFET在器件发展中的重要地位，对器件的研究和发展具有重要的指导意义。
【关键词】：
【学位授予单位】：湖南大学【学位级别】：硕士【学位授予年份】：2003【分类号】：TN43【目录】：
Abstract4-7
第一章 概述7-13
1.1 微电子器件现状7-9
1.2 BJMOSFET的提出及其特点9-10
1.3 研究方法10-11
1.4 BJMOSFET特性的计算机模拟11
1.5 体硅BJMOSFET的不足及解决11-13
第二章 BJMOSFET的基本理论与特性13-23
2.1 BJMOSFET的基本结构与工作原理13-15
2.2 BJMOSFET的直流特性15-18
2.3 BJMOSFET的频率特性18-20
2.4 BJMOSFET的开关特性20-21
2.5 BJMOSFET的温度特性21-22
2.6 小结22-23
第三章 BJMOSFET特性的计算机模拟23-40
3.1 BJMOSFET的直流特性模拟23-26
3.2 BJMOSFET击穿电压和阻断能力的分析26-27
3.3 BJMOSFET的频率特性模拟27-31
3.4 BJMOSFET的开关特性模拟31-33
3.5 BJMOSFET的温度特性模拟33-39
3.6 小结39-40
第四章 BJMOSFET设计40-51
4.1 结构设计40
4.2 工艺设计40-42
4.3 低压低功耗设计42-49
4.4 小结49-51
第五章 绝缘衬底上硅技术51-59
5.1 SOI材料的制备方法52-56
5.2 SOI材料的应用领域56-57
5.3 小结57-59
第六章 SOI BJMOSFET59-66
6.1 SOI BJMOSFET的结构与工艺流程59-61
6.2 BJMOSFET的优良特性61-65
6.3 小结65-66
参考文献70-72
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