6a10整流二极管参数的参数是什么？

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2016-07-21 09:09 标签： 整流二极管参数表
高频整流二极管的特性与参数_元器件_中国百科网
高频整流二极管的特性与参数
    
　　开关电源中的整流二极管必须具有正向压降低、快速恢复的特点，还应具有足够大的输出功率，可以采用以下三种类型的整流二极管：快速恢复整流二极管；超快速恢复整流二极管；肖特基整流二极管。快速恢复和超快恢复整流二极管具有适中的和较高的正向电压降，其范围是从0.8～1.2V。这两种整流二极管还具有较高的截止电压参数。因此，它们特别适合于在小功率的、输出电压在12V左右的辅助电源电路中使用。
　　由于现代的开关电源工作频率都在20kHz以上，比起一般的整流二极管，快速恢复整流二极管和超快速恢复整流二极管的反向恢复时间莎Ⅱ减小到了毫微秒级，因此，大大提高了电源的效率。据经验，在选择快速恢复整流二极管时，其反向恢复时间至少应该是开关晶体管的上升时间的1／3。这两种整流二极管还减少了开关电压尖峰，而这种尖峰直接影响输出直流电压的纹波。另外，虽然某些称为软恢复型整流二极管的噪声较小，但是它们的反向恢复时间较长，反向电流也较大，因而使得开关损耗增大，并不能满足开关电源的工作要求。
　　快速恢复整流二极管和超快恢复整流二极管在开关电源中作为整流器件使用时是否需要散热器，要根据电路的最大功率来决定。一般情况下，这些二极管在制造时允许的结温在175℃，生产厂家对该指标都有技术说明，以提供给设计者去计算最大的输出工作电流、电压及外壳温度等。
　　肖特基整流二极管即使在大的正向电流作用下，其正向压降也很低，仅有0.4V左右，而且，随着结温的增加，其正向压降更低，因此，使得肖特基整流二极管特别适用于5V左右的低电压输出电路中。肖特基整流二极管的反向恢复时间是可以忽略不计的，因为此器件是多数载流子半导体器件，在器件的开关过程中，没有清除少数载流子存贮电荷的问题。
　　肖特基整流二极管有两大缺点：其一，反向截止电压的承受能力较低，目前的产品大约为100V；其二，反向漏电流较大，使得该器件比其他类型的整流器件更容易受热击穿。当然，这些缺点也可以通过增加瞬时过电压保护电路及适当控制结温来克服。表示出了典型的高速整流二极管的特性与参数。
　　表 典型的高速整流二极管的特性与参数
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整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则
电子爱好者经常要用二极管。二极管具有单向导电性，主要用于整流、稳压和混频等电路中。本文介绍整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则。 　　(一)整流二极管的主要参数　　1.IF& 最大平均整流电流。　　指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值，并要满足散热条件。例如1N4000系列二极管的IF为1A。　　2.VR& 最大反向工作电压。　　指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB)的一半作为(VR)。例如1N4001的VR为50V，1N4007的VR为1OOOV.　　3.IR& 反向电流。　　指二极管未击穿时反向电流值。温度对IR的影响很大。例如1N4000系列二极管在100&C条件IR应小于500uA;在25&C时IR应小于5uA。　　4.VR& 击穿电压。　　指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时，则指给定反向漏电流条件下的电压值。　　5.tre& 反向恢复时间。　　指在规定的负载、正向电流及最大反向瞬态电压下的反向恢复时间。　　6.fm& 最高工作频率。　　主要由PN结的结电容及扩散电容决定，若工作频率超过fm，则二极管的单向导电性能将不能很好地体现。例如1N4000系列二极管的fm为3kHz。　　7.CO& 零偏压电容。　　指二极管两端电压为零时，扩散电容及结电容的容量之和。值得注意的是，由于制造工艺的限制，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。手册中给出的参数往往是一个范围，若测试条件改变，则相应的参数也会发生变化，例如在25&C时测得1N5200系列硅塑封整流二极管的IR小于1OuA，而在100&C时IR则变为小于500uA。　　(二)稳压二极管的主要参数　　1.Vz& 稳定电压。　　指稳压管通过额定电流时两端产生的稳定电压值。该值随工作电流和温度的不同而略有改变。由于制造工艺的差别，同一型号稳压管的稳压值也不完全一致。例如，2CW51型稳压管的Vzmin为3.0V, Vzmax则为3.6V。　　2.Iz& 稳定电流。　　指稳压管产生稳定电压时通过该管的电流值。低于此值时，稳压管虽并非不能稳压，但稳压效果会变差;高于此值时，只要不超过额定功率损耗，也是允许的，而且稳压性能会好一些，但要多消耗电能。　　3.Rz& 动态电阻。　　指稳压管两端电压变化与电流变化的比值。该比值随工作电流的不同而改变，一般是工作电流愈大，动态电阻则愈小。例如，2CW7C稳压管的工作电流为5mA时，Rz为18&O;工作电流为1OmA时，Rz为8&O;为20mA时，Rz为2&O ; & 20mA则基本维持此数值。　　4.Pz& 额定功耗。　　由芯片允许温升决定，其数值为稳定电压Vz和允许最大电流Izm的乘积。例如2CW51稳压管的Vz为3V，Izm为20mA，则该管的Pz为60mWo　　5.Ctv& 电压温度系数。　　是说明稳定电压值受温度影响的参数。例如2CW58稳压管的Ctv是+0.07%/&C，即温度每升高1&C，其稳压值将升高0.07%。　　6.IR& 反向漏电流。　　指稳压二极管在规定的反向电压下产生的漏电流。例如2CW58稳压管的VR=1V时，IR=O.1uA;在VR=6V时，IR=10uA。　　(三)选择二极管的基本原则　　1.要求导通电压低时选锗管;要求反向电流小时选硅管。　　2.要求导通电流大时选面结合型;要求工作频率高时选点接触型。　　3.要求反向击穿电压高时选硅管。　　4.要求耐高温时选硅管。
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