为什么射频溅射电源可以制备绝缘溅射膜?

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用射频溅射如何制备掺杂薄膜?
我想制备掺杂Pt的SnO2气敏薄膜,用氧化锡粉体制备的掺杂靶材效果一般。
有做过相似实验的请指教,如何制备掺杂Pt的Sn靶?如何将Pt的掺杂量控制在1-2%之间?
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您当前位置:真空镀膜机射频溅射镀膜方法与特点&真空镀膜机射频溅射镀膜方法与特点来源:&日期: 17:33:23&&作者:&&汇成真空真空镀膜机射频溅射镀膜方法与特点
在真空室中,设置两个极板并施加频率在50kH以上的高频电,则处于高频电场中的少量电子在高频电场的作用下加速,与气体分子发生碰撞,使气体分子电离而放出电子,这些电子又会被高频电场加速,最终形成高频辉光放电。高频辉光放电的两电极的辉光没有区别,各自有阴极暗区和负辉区,等离子柱在两极之间。高频电源的输入耦合方式有电容耦合方式和电感耦合方式。
平板电极射频溅射的靶通过匹配回路与射频电源相连,当溅射装置内的布置变化时,适当调整匹配回路,使放电阻抗与电源阻抗相匹配,可有效地输入射频功率,为了使放电区限制在靶与基片之间,在沿着垂直于靶的方向上加磁场。延长电子的运动距离,提高放电电流。两极间等离子区的离子轰击靶表面产生溅射,溅射原子在基片上沉积形成膜层。
射频溅射多用13.56MH射频电源,功率为0.3~10kW,溅射气体压强为1~10-1Pa.射频溅射靶需施加高频电压,并需要水冷却,因此绝缘性能要好,其引水管必须有一定的长度,水电阻要足够大。
射频溅射是用于溅射绝缘靶材镀制绝缘薄膜的方法,用射频放电能溅射绝缘材料,其原因是,当靶材为绝缘材料时,放电的等离子区中电子的迁移率远远大于离子的迁移率,电子撞击靶材时在靶的表面积存,使靶表面自动地加上负偏压,等离子区中的正离子受靶负电位的吸引轰击靶表面产生溅射,基片附近的正离子却没有电场加速,因此基片不产生溅射,另外,射频溅射中,通常基片和真空室接地电位,即使有离子轰击基片,因基片和真空室的总面积远远大于靶的面积,这就分散了离子轰击基片的离子流密度,,使基片上的反溅射作用降到很低,从而可以沉积获得膜层:当靶材是,金属等导体时,也在靶的接线端串联1OO~300μF的电容器,使靶带负电位。
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平板电极射频溅射的靶通过匹配回路与射频电源相连,当溅射装置内的布置变化时,适当调整匹配回路,使放电阻抗与电源阻抗相匹配,可有效地输入射频功率,为了使放电区限制在靶与基片之间,在沿着垂直于靶的方向上加磁场。延长电子的运动距离,提高放电电流。两极间等离子区的离子轰击靶表面产生溅射,溅射原子在基片上沉积形成膜层。
射频溅射多用13.56MH射频电源,功率为0.3~10kW,溅射气体压强为1~10-1Pa.射频溅射靶需施加高频电压,并需要水冷却,因此绝缘性能要好,其引水管必须有一定的长度,水电阻要足够大。
射频溅射是用于溅射绝缘靶材镀制绝缘薄膜的方法,用射频放电能溅射绝缘材料,其原因是,当靶材为绝缘材料时,放电的等离子区中电子的迁移率远远大于离子的迁移率,电子撞击靶材时在靶的表面积存,使靶表面自动地加上负偏压,等离子区中的正离子受靶负电位的吸引轰击靶表面产生溅射,基片附近的正离子却没有电场加速,因此基片不产生溅射,另外,射频溅射中,通常基片和真空室接地电位,即使有离子轰击基片,因基片和真空室的总面积远远大于靶的面积,这就分散了离子轰击基片的离子流密度,,使基片上的反溅射作用降到很低,从而可以沉积获得膜层:当靶材是,金属等导体时,也在靶的接线端串联1OO~300μF的电容器,使靶带负电位。
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