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14nm、10nm、7nm工艺竞争白热化
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三星高管被捕：偷卖14/10nm工艺机密给中国
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三星如今在半导体工艺方面一路精进，14nm无比卓越(GF/AMD就靠它活着)，10nm也近在眼前，不过现在却发生了一件严重的泄密事件。据报道，韩国警方近日逮捕了三星System LSI部门的一位李姓高管，原因是他将该公司的半导体技术机密卖给了某中国公司，而对方是三星电子的直接竞争对手(具体是谁未公开)。
据说，此人出卖了三星14nm、10nm工艺的机密信息，而三星还没有公开披露任何有关10nm Exynos处理器的消息，但据说明年初的新旗舰Galaxy S8会首次使用。报道称，三星已经起诉了这位高管，检察部门也将展开更深入的调查。
本文来源：驱动之家MyDrivers
责任编辑：俞晨飞_NT2780
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三星高管偷卖给中国的14/10nm工艺：到底是怎样的机密？(2)
09:20:11 &新材全球网 & &
然而，三星抢先命名为&14nm&！三星的出现，扰乱了市场的命名的惯例。10nm在14nm上逐渐赶上英特尔的三星，在10nm的研究上，几乎和强大的竞争对手英特尔站在了同一起跑线上。然而，10nm的研究，似乎并不顺利。按照英特尔的计划，10nm预计在2015年就能推出，由于14nm工艺的跳票，打乱了时间节点，并且10nm的研究中可能遇到了不小的难题。目前，英特尔10nm工艺已经开始试产，并且表示将在2017年上半年量产10nm，在下半年发布10nm产品。反观三星，虽然在去年展示了10nm的晶圆，并表示将在2017年量产10nm工艺，但是到目前为止，几乎没什么动静。与三星同为竞争对手的台积电却是非常高调，宣布将在今年底开始量产10nm。这一点也是可以理解，毕竟与三星同为晶圆代工，谁先胜出，谁就能得到更多的代工业务。不过，有专业人士透露，台积电的16纳米等于英特尔的20纳米、10纳米等于英特尔的12纳米……在这一方面，台积电也是积极承认。纳米工艺的进步，使得我们在同样大小的芯片上，能够感受更强大的性能；在运行速度更快的同时，也更加省电；这些更小的晶体元件，只需要更低的导通电压，能效也会随之提升；最为重要的是，组件越小，同一片晶圆可切割出来的芯片就可以更多。即使更小的工艺需要更昂贵的设备，其投资成本也可以被更多的晶片所抵消。未来，7nm、5nm甚至更小的纳米制造工艺也会相继出现。虽然有专家分析，目前10nm工艺或许将成为硅材料晶体管的物理极限，但英特尔等厂商不会停止不前，因为，他们对于&极限&的追求是永无止境的。
传统文化传统文化传统文化三星高管偷卖给中国的14/10nm工艺：到底是怎样的机密？
据外媒报道，韩国警方近日逮捕了三星System LSI部门的一位李姓高管，原因是他将该公司的半导体技术机密（三星14nm、10nm工艺）卖给了某中国公司，而对方是三星电子的直接竞争对手(具体是谁未公开)。
 三星14nm工艺非常卓越，GF、AMD等厂商对其非常依赖。掌握了这项工艺，甚至更先进的10nm工艺，也就掌握了未来芯片行业的话语权。
 一直以来，三星在半导体工艺方面技术精湛，一路高歌猛进，虽然在这方面英特尔处于绝对的王者地位，但三星的突起还是令其感到了不小的压力。 
 
 14/10nm究竟是什么？
 这还得从处理器的基本组成说起。一般来说，一颗微处理器是由不同材料制成的许多“层”堆叠起来的电路，里面包含了晶体管、电阻器、以及电容器等微小元件。
 这些微小元件用肉眼很难看清楚，因为它们的尺寸非常之小，并且数量之多，密集的让人难以想象。
 
 这些小元件整齐的排列在一块“板子”上，它们相互之间都有缝隙，这个缝隙实质就是元件与元件之间的距离，这个距离一般用毫微米进行衡量。后来纳米概念诞生后，就一直沿用“纳米”（nanometers）来描述这个距离。
 也就是说，14/10nm其实就是芯片上元件间的间距，这个间距越小，排列在芯片上的元件就越多。这意味着性能更加强大，能效表现更为优异。
 这也是英特尔、三星等一直追求14nm、10nm甚至是7nm的原因。
 
 14nm的诞生
 在2014年，当大部分厂商还在研究22nm的FinFET工艺时，英特尔已经推进到了14nm工艺。在芯片行业的推进上，英特尔可以说是独步天下。
 从2007年的45nm工艺，到2009年的32nm工艺，到2011年的22nm工艺，再到2014年的14nm工艺，无与伦比的先进制造工艺，让全球厂商为之眼红。
 然而，看似风光的英特尔，在推进过程中也遇到不少难题。据英特尔称，他们本该2013年底时就会推出14nm的测试芯片，并于2014年开始量产，但实际比原推进计划晚了几个季度。由于14nm工艺良品率初期低得要命，直到2014年第二季度末才达到量产标准。
 
 三星的14nm工艺
 在2014年底，也就是英特尔的14nm工艺推出没几个月，三星就直接宣布进入14nm工艺。
 这前所未有的举动在业界瞬间轰动了起来，甚至连英特尔都坐不住了。要知道，在这之前，英特尔的制造工艺在业内是处于绝对领先的地位的。
 
 三星此举让同为竞争对手的台积电也自愧不如，但随后又爆出猛料，称台积电前员工加入三星后，将自家的28nm工艺泄露给了三星，这对于三星14nm工艺进度起了至关重要的作用。
 这样说也无可厚非，毕竟三星可是跳过了20nm，直接进入了14nm工艺，并且据台积电称，三星的14nm工艺带有台积电的技术特性。
 看来，三星的14nm工艺并不纯正。
 
 除此之外，台积电高管还爆料，最早采用FinFET的16纳米工艺，原本计划跟随英特尔，称为20纳米FinFET。因为该工艺的电晶体最小线宽(half-pitch)与量产的前一代20纳米传统电晶体工艺差不多，只是换上全新的FinFET电晶体。
 然而，三星抢先命名为“14nm”！三星的出现，扰乱了市场的命名的惯例。
 10nm
 在14nm上逐渐赶上英特尔的三星，在10nm的研究上，几乎和强大的竞争对手英特尔站在了同一起跑线上。
 然而，10nm的研究，似乎并不顺利。
 按照英特尔的计划，10nm预计在2015年就能推出，由于14nm工艺的跳票，打乱了时间节点，并且10nm的研究中可能遇到了不小的难题。
 目前，英特尔10nm工艺已经开始试产，并且表示将在2017年上半年量产10nm，在下半年发布10nm产品。
 
 反观三星，虽然在去年展示了10nm的晶圆，并表示将在2017年量产10nm工艺，但是到目前为止，几乎没什么动静。
 与三星同为竞争对手的台积电却是非常高调，宣布将在今年底开始量产10nm。这一点也是可以理解，毕竟与三星同为晶圆代工，谁先胜出，谁就能得到更多的代工业务。
 不过，有专业人士透露，台积电的16纳米等于英特尔的20纳米、10纳米等于英特尔的12纳米……在这一方面，台积电也是积极承认。
 
 纳米工艺的进步，使得我们在同样大小的芯片上，能够感受更强大的性能；在运行速度更快的同时，也更加省电；这些更小的晶体元件，只需要更低的导通电压，能效也会随之提升；最为重要的是，组件越小，同一片晶圆可切割出来的芯片就可以更多。即使更小的工艺需要更昂贵的设备，其投资成本也可以被更多的晶片所抵消。
 未来，7nm、5nm甚至更小的纳米制造工艺也会相继出现。虽然有专家分析，目前10nm工艺或许将成为硅材料晶体管的物理极限，但英特尔等厂商不会停止不前，因为，他们对于“极限”的追求是永无止境的。
 

 
 
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据外媒报道，韩国警方近日逮捕了三星System LSI部门的一位李姓高管，原因是他将该公司的半导体技术机密（三星14nm、10nm工艺）卖给了某中国公司，而对方是三星电子的直接竞争对手(具体是谁未公开)。
传言称，14nm工艺非常卓越，GF、AMD等著名厂商对其非常依赖。掌握了这项工艺，甚至更先进的10nm工艺，也就掌握了未来芯片行业的话语权。
一直以来，三星在半导体工艺方面技术精湛，一路高歌猛进，虽然在这方面英特尔处于绝对的王者地位，但三星的突起还是令其感到了不小的压力。
14/10nm究竟是什么？
这还得从处理器的基本组成说起。一般来说，一颗微处理器是由不同材料制成的许多“层”堆叠起来的电路，里面包含了晶体管、电阻器、以及电容器等微小元件。这些微小元件用肉眼很难看清楚，因为它们的尺寸非常之小，并且数量之多，密集的让人难以想象。
这些小元件整齐的排列在一块“板子”上，它们相互之间都有缝隙，这个缝隙实质就是元件与元件之间的距离，这个距离一般用毫微米进行衡量。后来纳米概念诞生后，就一直沿用“纳米”（nanometers）来描述这个距离。
也就是说，14/10nm其实就是芯片上元件间的间距，这个间距越小，排列在芯片上的元件就越多。这意味着性能更加强大，能效表现更为优异。
这也是英特尔、三星等一直追求14nm、10nm甚至是7nm的原因。
14nm的诞生
在2014年，当大部分厂商还在研究22nm的FinFET工艺时，英特尔已经推进到了14nm工艺。在芯片行业的推进上，英特尔可以说是独步天下。
从2007年的45nm工艺，到2009年的32nm工艺，到2011年的22nm工艺，再到2014年的14nm工艺，无与伦比的先进制造工艺，让全球厂商为之眼红。
然而，看似风光的英特尔，在推进过程中也遇到不少难题。据英特尔称，他们本该2013年底时就会推出14nm的测试芯片，并于2014年开始量产，但实际比原推进计划晚了几个季度。由于14nm工艺良品率初期低得要命，直到2014年第二季度末才达到量产标准。
三星的14nm工艺
在2014年底，也就是英特尔的14nm工艺推出没几个月，三星就直接宣布进入14nm工艺。
这前所未有的举动在业界瞬间轰动了起来，甚至连英特尔都坐不住了。要知道，在这之前，英特尔的制造工艺在业内是处于绝对领先的地位的。
三星此举让同为竞争对手的台积电也自愧不如，但随后又爆出猛料，称该公司前员工加入三星后，将TSMC自家的28nm工艺泄露给了三星，这对于三星14nm工艺进度起了至关重要的作用。
这样说也无可厚非，毕竟三星可是跳过了20nm，直接进入了14nm工艺，并且据台积电称，三星的14nm工艺带有台积电的技术特性。
看来，三星的14nm工艺并不纯正。
除此之外，台积电高管还爆料，最早采用FinFET的16纳米工艺，原本计划跟随英特尔，称为20纳米FinFET。因为该工艺的电晶体最小线宽(half-pitch)与量产的前一代20纳米传统电晶体工艺差不多，只是换上全新的FinFET电晶体。然而，三星抢先命名为“14nm”！也就是说，三星的出现，扰乱了市场的命名的惯例。
在14nm上逐渐赶上英特尔的三星，在10nm的研究上，几乎和强大的竞争对手英特尔站在了同一起跑线上。
然而，10nm的研究，似乎并不顺利。
按照英特尔的计划，10nm预计在2015年就能推出，由于14nm工艺的跳票，打乱了时间节点，并且10nm的研究中可能遇到了不小的难题。
目前，英特尔10nm工艺已经开始试产，并且表示将在2017年上半年量产10nm，在下半年发布10nm产品。
反观三星，虽然在去年展示了10nm的晶圆，并表示将在2017年量产10nm工艺。但是到目前为止，几乎没什么动静。
与三星同为竞争对手的台积电却是非常高调，宣布将在今年底开始量产10nm。这一点也是可以理解，毕竟与三星同为晶圆代工，谁先胜出，谁就能得到更多的代工业务。
不过，有专业人士透露，台积电的十六纳米等于英特尔的二十纳米、十纳米等于英特尔的十二纳米……在这一方面，台积电也是积极承认。
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