HOMO/LUMO与 功函数 费米能级或者费米能级价带导带带隙有关系吗

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-02-12 05:04 标签： homo lumo gap
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XPS计算价带位置时，使用的费米能级是怎么得到的？
在Yang yang最新的文章中，用过这张XPS图，其中所说的Fermi Level 是怎么得到的呢？求助各位大神！！！:victory::victory::victory:
QQ图片57.png
你好，请问要用UPS测量功函数的话对样品有什么要求吗？怎么联系你们做测试？
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随时随地聊科研常见化合物的能带带隙（禁带宽度、能隙）与功函数
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为什么n型半导体的费米能级靠近导带（上移），如何理解啊？
对费米能级实在是不是很理解，尤其是杂质半导体中费米能级的改变。望详细解答。
为什么n型半导体的费米能级靠近导带（上移），而p型半导体的费米能级靠近价带（下移）？如何理解啊？
但是这个水应该在价带中啊价带不是已经是满了吗，费米能级与价带之间的那段距离没有能带能填充电子吗
填充是概率性的。低于费米能级越多，填充概率越大；高于费米能级越多，填充概率越小。现在高于费米能级的导带中电子(本来少，但此刻)已经多了，费米能级不跟着往上走，不就矛盾了么。
那你帮我看看我现在的这个dos图，这个2-c说明了什么呢
呃，你懂的，我是搞半导体器件的。第一性原理计算我不懂。
我只是不确定说法“费米能级在价带顶说明价带是满的，导带是空的”是怎么回事。在我们专业的范围内这个好像不成立啊。如果费米能级在价带顶时，价带是满的，导带是空的；那么费米能级在导带底时又该如何？
我觉得费米能级无论在那里，导带都不是空的，价带也不是满的（绝对零度除外，不过不可能）。只是费米能级在价带顶时，价带里空穴较多（当然不会是满的），导带电子较少，应该算是p型掺杂的情况。如果费米能级向带隙中间移动，则是空穴减少，电子增多，二者浓度趋于一致。
上面只是我们专业的角度。至于你这个具体情形还是问本专业人士吧。。。我不确定。ps你是山西的？
是山西的 太原理工，你也是山西？ps是什么呀
PS=Postscript 就是附言,写信写邮件经常用啊，差不多相当于口语里的by the way吧。。。
我家是山西的。不过在上海上学，刚刚答辩完，正要毕业。
哈哈&&老乡 是山西哪里的 专业有交集&&留个qq吧
嘿嘿. 晋城. 你肯定不了解吧. .
敢不成你ID就是QQ号。
你俩说的不是一回事， 第一性原理是计算0 K时基态的电子结构 ，所以费米能级就在价带顶（电子填充的最高能级，导带为空）， 炮神说的是实际情况，有限温度， 电子由于热激发总会有部分进入导带，所以费米能级在导带和价带中间，费米能级是个统计概念，有限温度时费米能级不是一个真实存在的能级（对半导体和绝缘体）。
你那个图不太理解。。。最上面那个挺正常的， 是不是你放到一块儿的原因，以第一副图的Ef为基准了？
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【求助】费米能级的位置
我计算单壁半导体碳纳米管的时候得到费米能级在价带顶部(0eV)，功能化后可以发现带隙变窄了，但是费米能级还是在价带顶部。能不能算到费米能级与导带和价带之间的相对移动呢？
嗯，谢谢。那请再详细一点好吗？我还是不知道怎么做！
到dos.castep文件中可以看到费米能级的值，以级价带顶和导带底的值，自己比较一下就可以得到相对移动了。
太谢谢了！
好像还是不对啊!
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