如何仿真LDO的matlab突减负载仿真调整率

个人觉得运放的不应该有太大的变化, 有可能是输出管的layout问题,驱动能力不足,导致在300mA带载的时候,整个环路增益下降很多. 检查一下你的输出管metal 宽度 ,via , contact是否有问题.
混在IC界。
&&混在IC界?
& &&&混在IC界!
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更简单明了的方法就是做一下后仿.
混在IC界。
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低频增益有点低,
通常最大负载 300mA下,要 100dB吧,
还有一个可能的原因,就是静态工作点的问题,
静态工作点一定要设置好,
再看一下大负载下有没有MOS 管进入线性区
UID140417&帖子11&精华0&积分105&资产105 信元&发贴收入70 信元&推广收入0 信元&附件收入0 信元&下载支出15 信元&阅读权限10&在线时间7 小时&注册时间&最后登录&
个人觉得运放的不应该有太大的变化, 有可能是输出管的layout问题,驱动能力不足,导致在300mA带载的时候,整个环路增益下降很多. 检查一下你的输出管metal 宽度 ,via , contact是否有问题.
mcumcumcu 发表于
首先谢谢你的回复,我曾经听人说过如果功率管栅极上分布不均匀可能会造成驱动能力不足,进而影响性能,但考虑到这个是MOS管,电压驱动,所以我一直不知道这个影响是否真的存在,谢谢你的提醒了。我画的功率管单管w为300u,估计这样造成分布不均的问题了。
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低频增益有点低,
通常最大负载 300mA下,要 100dB吧,
还有一个可能的原因,就是静态工作点的问题,
静态工作点一定要设置好,
再看一下大负载下有没有MOS 管进入线性区
confiope 发表于
谢谢你的回复,运放的静态工作点我检查过了,没问题,但是因为要考虑整个系统的功耗,带宽,所以100dB付出的代价还是很大的,所以我才在考虑是否就是增益不足的问题,谢谢了。
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电路设计本身开环增益就不够
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<td class="t_msgfont" id="postmessage_dB应该足够了
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目前猜测应该是功率管版图部分的问题,导致功率管Vth过大,进而影响性能,毕竟当时这幅版图是9天时间赶完的,有点急,所以有些东西没有画好
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假定输出电压为3V,输出电流为300mA,则开环输出电阻为30ohm,
闭环输出电阻为 30ohm/80db=3mohm,
输出电流从1到300mA,输出电压变化为 3mohmx300mA=1mV。
上面是粗略计算,输出电阻和环路增益随负载变化会对计算结果产生影响,但是数量级应该差不多的。
因此不是环路增益不够的原因。
另一个可能的原因是如果楼上没有用单独的sense bondwire对输出电压进行检测,那么输出bondwire电阻会对负载调整率产生主要影响:例如假设输出bondwire 寄生电阻为
100mohm,则电流从1到300mA的变化会引起输出电压变化100mohmx300mA=30mV
另一个可能的原因是从输出电压测试点到输出PIN之间有较大的寄生电阻(几十到100mohm量级),它对负载调整率的影响同输出bondwire。
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利用阶跃电流即可,时间在1us左右就可以……
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楼上说的是仿真负载瞬态响应的方法,我仿负载调整率是 同过对负载电阻值扫描 然后对比输出电压的变化~~~续请高人指点
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学习下~~希望有人给出完整回复
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每个人在能力允许范围内做点贡献,各位XDJM就都可以从中受益。
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<td class="t_msgfont" id="postmessage_,4楼的放一起就对了,如果用恒流源觉得还跟现实不相符还可以使用电阻来代替阶跃电流源,做个开关控制几个控制电阻的并联网络
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学习下,希望有高人指点迷经
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不能加一个输出电阻并对其进行参数扫描码??
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我觉得不是这样的。
如果增加的是电阻负载,环路增益下降:gm按照根号提高,Ro直接成比例减小。
如果增加的是电流源负载,环路增益提高:gm按照根号提高,Ro不变。
但是这两种电流增大都会造成输出电压下降。
我觉得输出电压下降是直流工作点变化造成的。也可以理解成大输出电流时,输入需要一个offset(系统性的,不是随机的),在这个offset下,输出才能是设定值。
书上讲的那个东西貌似输出能力无限,输出电阻为0;也不包含系统失调。适合教学,避免把人一下绕晕。
如果你把输出电阻加上,配合有限的环路增益,你就可以看出来输出随着电流变大而降低了。
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G/1+GH环路增益GH的确会影响传递函数吧,Vout降低说明G/1+GH变小了,这个好像看不出来环路增益是变大还是变小吧
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请教各位一个问题,感觉应该是很简单的,不过一直没有想明白,希望大家给我讲个明白,谢谢。
& &&&具体就是LDO也好,DC-DC,还是AC-DC,随着负载电流的变大,输出电压是下降的,按照反馈理论,输出电压等于基准电压 ...
icsb 发表于
主要是LDO的反馈回路的输出电阻,可以看作电压源的内阻。即使假设负载不影响环路增益,那么这个电阻随着负载不变。但是当负载电流增大时,流过这个电阻上的电压就变大,所以输出的电压就变小了。
如果将LDO的负载电阻减到0,就成了理想电压源,就没有负载调整率了。
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G/1+GH环路增益GH的确会影响传递函数吧,Vout降低说明G/1+GH变小了,这个好像看不出来环路增益是变大还是变小吧
miklystone 发表于
这个不知所言。。。。
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我觉得不是这样的。
如果增加的是电阻负载,环路增益下降:gm按照根号提高,Ro直接成比例减小。
如果增加的是电流源负载,环路增益提高:gm按照根号提高,Ro不变。
但是这两种电流增大都会造成输出电压下降。 ...
lylnk 发表于
主要是输出电阻了,和offset无关。
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主要是输出电阻了,和offset无关。
goodsilicon 发表于
10:05 输出电阻应该也是变大的吧?
如果不变,那么输出还是下降的;但是由于是电压负反馈,增益的降低导致输出阻抗的变大,这点没有错吧?
另外,增益的减小是由于功率管那级的电流变大,增益减小,没有错吧?
请大家不吝赐教
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生亦何欢 死亦何苦 怜我世人 忧患实多
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输出电阻应该也是变大的吧?
如果不变,那么输出还是下降的;但是由于是电压负反馈,增益的降低导致输出阻抗的变大,这点没有错吧?
另外,增益的减小是由于功率管那级的电流变大,增益减小,没有错吧?
请大家不 ...
icsb 发表于
凑合。。。。。。
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