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春季太湖梅梁湾水体中藻类光量子产额的变化规律
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光电成像导论-_第一章___演示文稿汇编.ppt 159页
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光电成像导论-_第一章___演示文稿汇编
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··········
··········
* 在X≤X0范围，表面势垒为 在X≥X0范围， X(x)随x上升， 直到Wa. 图1-38 表面势垒
* 令:Φm＝电子克服表面势垒逸入真空所需要的最小能量，在0K下，金属中一个电子所具有的最大能量为
(2) 电子的逸出功Φm Φm越低，电子的发射能力越强。
(3) 单位时间内，单位面积上发射的电子数
由 (1-79)式可知，单位时间单位面积上到达发射面的电子数为： (1-80)
* 只有当电子能量
的电子才能从表面逸出，即
所以，单位时间内，单位面积上发射的电子数为：
* 因为，只考虑 的电子，于是有
变量代换求积分：
* 再求积分：
将(1-82)式和(1-83)式代入(1-81)式
* （4）Richardson-Dushman’s(理查生－德西曼)公式 金属中发射的电流密度为：
因为： 一般：A&A0,， Richardson-Dushman’s公式写为 (1-89)
* (5) 理查生－德西曼公式的适用条件
推导李查生公式时，曾经假设，除了表面势垒外，对到达发射表面的电子不施加任何外力。
公式的适用条件是“零场”状态，描述的电流密度为“零场发射电流密度”。
(6) 如何从金属获得大的发射电流
表1-7给出了部分金属的参数(略）。 * 例：W的Φm＝4.54eV,室温下的发射电流密度为 2500K下的发射电流密度为 * 1.6.2 半导体的热电子发射 在半导体中，施加于电子的力不同于金属。 金属中，价电子处于势阱的平坦底部，无外力施加于电子，价电子束缚于金属中，可在金属中自由运动，对这些价电子施加的力叫做表面势垒。 半导体中，电子受到晶格周期性势场的支配，用有效质量m*代替电子的惯性质量m，电子可认为具有质量m*的自由电子，这样，可以在金属与半导体之间进行类比。 * 在单位时间内、单位面积上，从金属中发射的电子数为： 类似地：对于半导体 (1-90)
式中，g 为权重因子。
对于s 电子，g=2；对于 p 电子， g=6
* 1. n型半导体的热电子发射 n型半导体中，已知 当n&&p时，
在弱电离条件下：
&& * 因为：
结合式(1-91)和(1-92)，得
* 代入式(1-90)，得 (1-94)
热发射电流密度为： (1-96)
* 或： (1-97)
* 2. P 型半导体的热电子发射 已知
当p&&n时，
弱电离下：
* 将式(1-100)代入式(1-90)，得
* 3. n型与p型的热电子发射比较 (1)j0的比较
n 型半导体，施主浓度 ND 越高，EF 就愈靠近导带，逸出功愈低
p型半导体，NA 越高，EF 越靠近价带，逸出功愈高 * 对于光电阴极，总是希望热发射电流（暗电流）尽可能小， 因此，希望光电阴极是具有重掺杂的p型半导体。 * (2) 用相同材料制成的n型和p型半导体
（约大几个数量级）
只差一个数量级 因此 结论：从降低暗电流的观点，希望光电阴极是一个重掺杂的p型半导体。
热发射电子的初速分布和由发射电子引起的阴极冷却效应 从阴极发射的电子具有一定的初速，且不同的电子初速度也不同，热电子的初速度分布对于电子上靶和靶的平衡电位是十分重要的。 * 1. 热发射电子的初速分布
固体中具有高于能量Wa的自由电子服从boltzman’s分布，单位体积，单位时间内动量在 的电子数
到达发射表面且动量在
的电子数为：
这些电子都具有大于Wa 的能量，近似认为电子穿过表面势垒的透射系数为1，由公式(1-104)描述的电子全部能发射逸出，其动量Px变为Px'，其关系为 且 所以 * 发射电子中，占据 和 为任意的电子数
上式描述了热发射电子的绝对初速度分布
为了计算总的发射电子中具有初速度 电子数的百分比， 写出下式： * (1-107)
该分布属于maxwell分布
* 2、 由于发射电子而引起阴极冷却效应 由一个电子在x方向所带走的动能为： 图1-40 热电子的速度分布
* 变量代换，解得
* 热发射电子从y方向带走的平均动能为
正在加载中，请稍后...又称荧光量子产额
quantum yield of fluorescence
荧光量子效率又称荧光量子产额(quantum yield of fluorescence)和荧光效率。单位时间(秒)内，发射二次辐射荧光的光子数与吸收激发光初级辐射光子数之比值。
基于10个网页-
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感谢您的反馈，我们会尽快进行适当修改！硅中量子产额增益谱的计算(英文)--《固体电子学研究与进展》1989年04期
硅中量子产额增益谱的计算(英文)
【摘要】：
【作者单位】：
【关键词】：
【正文快照】：
硅中量子产额增益谱的计算(英文)@李菁$武汉大学物理系
@尹长松$武汉大学物理
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