薄膜什么是集成电路设计，什么是薄膜什么是集成电路设计

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-03-31 15:31 标签： 薄膜混合集成电路
MARC状态：已编　
文献类型：中文图书　浏览次数：2　
题名/责任者:
/郑福元等编著
出版发行项:
北&#x4:科学&#x51版社,1984
ISBN及定价:
/3.20
载体形态项:
320;26cm
中图法分类号:
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送 书 地：【词语】 薄膜集成电路
【全拼】: 【báo mó jí chénɡ diàn lù 】
【释义】: 集成电路之一。采用薄膜工艺在玻璃或陶瓷基片上制作电路元、器件及其接线，并加以封装而成。薄膜工艺包括蒸发、溅射、化学气相淀积等。特点为电阻、电容数值控制较精确，且数值范围宽，但集成度不高。主要用于线性电路。
1、GB/T薄膜集成电路用氧化铝陶瓷基片
薄膜集成电路
GB/T厚膜、薄膜集成电路型号命名方法
薄膜混合集成电路
没有您要找的相关词语！薄膜相关信息是将整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件以及它们之间的互连引线，全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路。
薄膜混合集成电路(thin film hybrid integrated circuit )
　　在同一个基片上用蒸发、溅射、电镀等薄膜工艺制成无源网路,并组装上分立的微型元件、器件,外加封装而成的混合集成电路。所装的分立微型元件、器件，可以是微型元件、半导体芯片或单片集成电路。
　　按无源网路中元件参数的集中和分布情况，薄膜集成电路分为集中参数和分布参数两种。前者适用范围从低频到微波波段，后者只适用于微波波段。
　　特点与应用 　与厚膜混合集成电路相比较，薄膜电路的特点是所制作的元件参数范围宽、精度高、温度频率特性好，可以工作到毫米波段。并且集成度较高、尺寸较小。但是所用工艺设备比较昂贵、生产成本较高。
　　薄膜混合集成电路适用于各种电路，特别是要求精度高、稳定性能好的模拟电路。与其他集成电路相比，它更适合于微波电路。
薄膜相关信息是将整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件以及它们之间的互连引线，全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路。
薄膜混合集成电路(thin film hybrid integrated circuit )
　　在同一个基片上用蒸发、溅射、电镀等薄膜工艺制成无源网路,并组装上分立的微型元件、器件,外加封装而成的混合集成电路。所装的分立微型元件、器件，可以是微型元件、半导体芯片或单片集成电路。
　　按无源网路中元件参数的集中和分布情况，薄膜集成电路分为集中参数和分布参数两种。前者适用范围从低频到微波波段，后者只适用于微波波段。
　　特点与应用 　与厚膜混合集成电路相比较，薄膜电路的特点是所制作的元件参数范围宽、精度高、温度频率特性好，可以工作到毫米波段。并且集成度较高、尺寸较小。但是所用工艺设备比较昂贵、生产成本较高。
　　薄膜混合集成电路适用于各种电路，特别是要求精度高、稳定性能好的模拟电路。与其他集成电路相比，它更适合于微波电路。
　　主要工艺 　薄膜混合集成电路所用基片有多种，最常用的是玻璃基片,其次是微晶玻璃和被釉陶瓷基片,有时也用蓝宝石和单晶硅基片。为了实现紧密组装和自动化生产，一般使用标准基片。
　　在基片上形成薄膜有多种方法。制造薄膜网路常用物理汽相淀积(PVD)法,有时还用阳极氧化或电镀法。在物理汽相淀积法中，最常用的是蒸发工艺和溅射工艺。这两种工艺都是在真空室中进行的，所以统称为真空成膜法。用这两种方法，可以制造无源网路中的无源元件、互连线、绝缘膜和保护膜。阳极氧化法可以形成介质膜，并能调整电阻膜的阻值。在制造分布参数微波混合集成电路时，用电镀法增加薄膜微带线的厚度，以减少功耗。
　　薄膜材料 　在薄膜电路中主要有四种薄膜：导电、电阻、介质和绝缘薄膜。导电薄膜用作互连线、焊接区和电容器极板。电阻薄膜形成各种微型电阻。介质薄膜是各种微型电容器的介质层。绝缘薄膜用作交叉导体的绝缘和薄膜电路的保护层。各种薄膜的作用不同，所以对它们的要求和使用的材料也不相同。
　　对导电薄膜的要求除了经济性能外，主要是导电率大，附着牢靠，可焊性好和稳定性高。因尚无一种材料能完全满足这些要求，所以必须采用多层结构。常用的是二至四层结构,如铬-金(Cr-Au)、镍铬-金(Ni Cr-Au)、钛-铂-金(Ti-Pt-Au)、钛-钯-金(Ti-Pd-Au)、钛-铜-金(Ti-Cu-Au)、铬-铜-铬-金(Cr-Cu-Cr-Au)等。
　　微型电容器的极板对导电薄膜的要求略有不同，常用铝或钽作电容器的下极板，铝或金作上极板。
　　对电阻薄膜的主要要求是膜电阻范围宽、温度系数小和稳定性能好。最常用的是铬硅系和钽基系。在铬硅系中有镍-铬(Ni-Cr)、铬-钴(Cr-Co)、镍-铬-硅(Ni-Cr-Si)、铬-硅(Cr-Si)、铬-氧化硅(Cr-SiO)、镍铬-二氧化硅（NiCr－SiO2）。属于钽基系的有钽(Ta)、氮化钽(Ta2N)、钽-铝-氮(Ta－Al－N)、 钽-硅(Ta-Si)、钽-氧-氮(Ta-O-N)、钽-硅-氧(Ta-Si-O)等。
　　对介质薄膜要求介电常数大、介电强度高、损耗角正切值小,用得最多的仍是硅系和钽系。即氧化硅(SiO)、二氧化硅(SiO2)、氧化钽(Ta2O5)和它们的双层复合结构：Ta2O5-SiO和Ta2O5-SiO2。有时还用氧化钇(Y2O3)，氧化铪(HfO2)和钛酸钡(BaTiO3)等。
　　为了减小薄膜网路中的寄生效应，绝缘薄膜的介电常数应该很小,因而采用氧化硅(SiO)、二氧化硅(SiO2)、氮化硼(BN)、氮化铝(AlN)、氮化硅 (Si3N4)等，适合于微波电路。
只能集成电阻和电容，电感没有办法集成，它只能用线圈
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这个不是我熟悉的地区IEC -1991 半导体器件.集成电路.第22部分第1节:符合性能审批程序的薄膜集成电路和混合薄膜集成电路空白详细规范 - 标准资料免费下载 - 标准资料网
IEC -1991 半导体器件.集成电路.第22部分第1节:符合性能审批程序的薄膜集成电路和混合薄膜集成电路空白详细规范
【英文标准名称】:Spart22:section1:blankdetailspecificationforfilmintegratedcircuitsandhybridfilmintegratedcircuitsonthebasisofthecapabilityapprovalprocedures【原文标准名称】:半导体器件.集成电路.第22部分第1节:符合性能审批程序的薄膜集成电路和混合薄膜集成电路空白详细规范【标准号】:IEC-1991【标准状态】:作废【国别】:国际【发布日期】:1991-11【实施或试行日期】:【发布单位】:国际电工委员会(IEC)【起草单位】:IEC/SC47A【标准类型】:()【标准水平】:()【中文主题词】:电气工程;混合集成电路;门电路;控制技术;数字集成电路;半导体;规范;集成电路【英文主题词】:hybrdigitelectricalengineering【摘要】:【中国标准分类号】:L56【国际标准分类号】:【页数】:25P;A4【正文语种】:英语
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替代情况：被NY 代替
发布部门：中华人民共和国农业部
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出版社：农业出版社
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所属分类： 环境保护
环境质量标准
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