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《光电技术》测试题及参考答案
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光电器件的LIV特性测试
&& LIV&(&Light-Current-Voltage&)即光电特性通常是验证激光二极管、探测器性能的—种普遍和重要的方法。&在晶圆、切割、管芯、封装后老化测试过程中，为降低生产成本同时又增加产品吞吐量，快速可靠精确的，LIV.系统对制造光电器件厂是非常需要的。
&& 光电器件LIV测试主要指对发光器件和光探测器进行&测试，单独的探测器像PIN和APD二极管测试系统&比较简单，通常LIV测试主要指针对激光二极管（LD)&或模块进行的测试。LD测试阶段主要分为Bar测试、Chip测试和Burn-in测试，不同的生产阶段需要搭&配不同的测试设备来完成测试。
&& 半导体激光二极管（Laser.&Diode&)或简称半导体激光器，它通过受激辐射发光，是一种阈值器件。处于高能级E2的电子在光场的感应下发射一个和感应光子一模一样的光子，而跃迁到低能级.E1,这个过程 称为光的受激辐射。
&& 由于受激福射与自发辐射的本质不同，导致了半导体激光器不仅能产生高功率辐射，而且输出光发散角窄，非常适合于作高速长距离光纤通信系统的光源。一般用注入电流值来标定阈值条件，也即阈值电流,。
&& I-V特性是选择半导体激光器的重要依据。在选择时，应选阈值电流尽可能小，对应P值小，而且没有扭&折点的半导体激光器。这样的激光器工作电流小，工&作稳定性高，消光比大，而且不易产生光信号失真。 '
&& 根据LD工作原理，通常技术人员要用到电流源来驱&动LD工作，产生光的同时用光功率计测量光功率来 ，
完成LIV特性测试。在不同的测试阶段例如Chip测&试，技术人员将电流源、电压表、电流表、开关、同&步触发单元、光功率计集成起来才能完成测试，同时&老化测试前后需要将每个管芯或模块的测试数据进行&比对，大大增加了系统的复杂程度，影响了测试稍度&和数据可靠性。
&& 方案特点
&& o溪谷科技开发的LIV测试系统采用了精密源测量单元为核心，结合测试软件CycleStar以及第三方设备积分球探测器完成LD的LIV测试。系统结构筒单、精度高、可靠性好、速度快，提髙生产效率的&同时也增加了测试精度和可靠性，并且降低了测试成本
& o超宽范围驱动电流源.(10fA&~&3A),覆盖不同功率&器件，支持脉冲LIV和连续LIV测试，I-V扫描测&量8秒内大于400点
&&o直接同步测量光功率无需而外触发单元；测试可升级自动化：配合开关夹具和步进电机，可以批量测试
& o功能可扩展：配合光谱分析仪、示波器、误码仪等，&可完成TOSA，BOSA等光电器件的静态和动态参数性能测试
&& 系统构成
&& 系统主要由双通道源精密源测置单元、积分球探测器、&夹具及软件组成。用SMU的CH1作为LD的电流驱动源同时监测正向导通压降V和工作电流I，LD激发&出来的光经由积分球探测器转化成光电流进入SMU&的CH2通道，根据积分球探测器功率电流转换系数&乘以SMU&CH2实际测得的光电流计算出实际对应的光功率。CH1和CH2内部自动同步触发，从而完成LIV测试。有些LD模块内部管芯旁会有一个监视&探测器PD和温度控制TEC元件，PD主要用于监测.&LD的背光工作电流，可以采用SMU单通道源表来测&量背光工作电流。TEC元件可以用闭环控温仪器来实&现对LDM的温度控制。
&& 系统通信采用以太网或GP旧接口控制，软件可对每个管芯的LIV.特性参数进行测试并保存统计结果，参&数包括驱动电流电流.I、正向压降VF、光功率Po、&阈值电流Ith、拐点IKink、背光电流Idark.等参数；&裉据管芯种类型号设置不同的测试条件并保存成文&件方便调用；保存每个管芯的原始测试数据，可比对老化前后的测试数据结果；按照产品序列号参数生成&EXCEL报表和指定的打印格式进行打印。
&& 系统可以结合开关夹具和步进电机，可针对生产线封装好的管芯或模块进行批量测试，极大地提高产能和测试结果的一致性。
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当前评论文章【光电器件的LIV特性测试】
电子邮箱：光电器件介质薄膜电特性检测中的特殊问题及解决办法--《半导体情报》1991年05期
光电器件介质薄膜电特性检测中的特殊问题及解决办法
【摘要】：本文提出了InP系光电器件介质薄膜电特性检测中所遇到的两个特殊问题:管芯倒装在镀铟铜基座上测量时铟层凹陷致使介质薄层边缘短路;芯片解理条边缘金属须搭连产生短路。还介绍了问题的分析过程和解决办法。
【作者单位】：
【关键词】：
【正文快照】：
1问皿的提出 在试制长波长分布反馈式激光器【‘】的过程中,所测介质膜的电特性参数一度处于极不稳定状态,严重地阻碍了工艺流程的正常流通。主要间题是:同样的淀积工艺条件,却会得出差异甚远的结果。这使工艺参数的调节难以进行。从统计的测试结果看,利用图1(a)所示结构检测
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【参考文献】
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王圩,张静媛,田慧良,缪育博,汪孝杰,马朝华,王丽明,吕卉,高俊华,高洪海;[J];半导体学报;1989年10期
【共引文献】
中国期刊全文数据库
王圩,张静媛,汪孝杰,田慧良,缪育博,张济志,王宝军;[J];半导体学报;1992年05期
【二级参考文献】
中国期刊全文数据库
郑育红,缪育博,田慧良,姒元宬,张静媛;[J];半导体学报;1988年03期
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;[J];电脑爱好者;2011年07期
薛书文;;[J];半导体光电;2011年04期
肖向荣;;[J];中国地市报人;2011年07期
文静;文玉梅;李平;李恋;;[J];光电子.激光;2011年07期
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马秀莲;;[J];科教文汇(下旬刊);2011年07期
刘晓坤;;[J];现代交际;2011年05期
;[J];网络与信息;2011年07期
徐海冰;;[J];科技传播;2011年15期
王寒梅;;[J];商业文化(上半月);2011年08期
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周黎红;;[A];江苏省教育学会2006年年会论文集（英语专辑）[C];2006年
杜有功;;[A];浙江省临床合理用药和药剂学术研讨会论文集[C];2007年
孔凡场;王永潭;;[A];中国水力发电工程学会电力系统自动化专委会2008年年会暨学术交流会论文集[C];2008年
黄少敏;;[A];福建省第十三届水利水电青年学术交流会论文集[C];2009年
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胡峰;;[A];建设工程理论与实践（第二辑）[C];2005年
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陈兴汉;李燕青;潘勇;王云春;;[A];第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（2）[C];2007年
黄少敏;;[A];福建省第十一届水利水电青年学术交流会论文集[C];2007年
孙光贵;;[A];2007年湖南省社科联“学会发展相关问题研究”论文集[C];2007年
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船夫;[N];人民邮电;2011年
耀文;[N];中国电子报;2011年
李舒瑜;[N];深圳特区报;2005年
颜贵斌;[N];人民武警报;2011年
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肖庆钊;[N];解放日报;2001年
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向民;[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2004年
董怡为;[D];南京农业大学;2007年
龙永福;[D];华东师范大学;2003年
董树荣;[D];浙江大学;2003年
王成;[D];中国科学院研究生院（长春光学精密机械与物理研究所）;2005年
刘英麟;[D];中国科学院研究生院（长春光学精密机械与物理研究所）;2004年
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林琦;[D];长春理工大学;2010年
张巧明;[D];西南大学;2012年
刘亚青;[D];华中科技大学;2004年
雷衍连;[D];西南大学;2010年
姚宗妮;[D];西北大学;2010年
李峻蔚;[D];华东师范大学;2009年
窦如凤;[D];南京理工大学;2009年
王冬黎;[D];郑州大学;2004年
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京公网安备75号简易LED光电特性测试装置设计 - 测试测量技术专区 -
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简易LED光电特性测试装置设计
14:20:28　　
LED（Light-Emitting-Diode），即发光二极管，以其高效、节能、环保、寿命长、可靠性高等优点正在逐步取代传统的白炽灯、荧光灯，成为新一代照明光源。各国政府均大力扶持白光LED的发展，美、日、欧盟等发达国家皆由政府成立专项积极推行。随着LED应用范围的扩大，用户对产品质量也有了更高的要求，不仅要求其发光亮度和波长等光特性具有一致性，对其正向工作电压和电流等电特性也有严格的要求。因此，研究LED光电参数的测试仪器，对提高产品质量、降低生产成本具有着重要的意义。　　专用的LED光电特性测试设备结构复杂，特别是光学特性测试要用到光谱仪、光度计等，虽然仪器有着精度高的特点，但仍然具有结构复杂、成本高、体积较大，携带和使用很不方便，系统稳定性受到限制等缺点，因此这种仪器只能停留在大型分析测试实验，应用范围难以扩展。
　　研制一种小体积、低价格，精度虽不很高，但能满足一般性要求的LED光电测量仪器成为目前仪器发展的一个趋势。
　　虽然LED的光电特性参数很多，但对大多数用户来说，主要是关心LED伏安特性及LED发光亮度与电流的关系，因此本文所设计的系统主要是完成这两项参数的测试，另外通过简单的软硬件扩展，还可测试得到LED的相关色温、主波长、光强分布等参数，用于LED的特性研究及驱动电路的设计等应用开发。
　　2.系统原理与组成
　　整个系统主要由STM32微处理器，光学测量模块，恒流驱动模块，LCD液晶显示模块，按键控制模块等组成，如图1所示。
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　由按键或LCD上的触摸屏控制STM32微处理器，内部的D/A转换器产生控制电压，该电压控制外部的恒流驱动电路产生LED工作所需的恒定电流加到待测LED上，LED上产生的电压降经信号放大调整电路后被STM32内部的A/D转换器采集，从而测得LED的伏安特性。另外，通过光学测量模块测量LED发出的光线转换成数字信号，由STM32采集处理，从而测得LED的发光亮度等光学特性。
　　2.1 STM32微处理器
　　微处理器是整个控制系统的核心，它控制恒流驱动电路输出设定的电流，采集LED的电压，测量光学测量模块的数据，进行数据处理，控制算法运算，显示控制等。为了保证系统的实用性和易扩展性，本控制系统采用意法半导体推出的“增强型”系列STM32F103RCT6，32位ARM Cortex-M3内核，工作频率最高可达72MHz，内置高速存储器（高达128K字节的闪存和20K字节的SRAM），丰富的增强I/O端口和联接到两条APB总线的外设，16路12位的ADC和2路12位的DAC，3个通用16位定时器和一个PWM定时器，还包含标准和先进的通信接口：多达2个I2C和SPI、3个USART、一个USB和一个CAN，在存储容量和运算速度方面满足要求。在本设计中，采用STM32自身的ADC和DAC模块，极大的降低了系统成本。
　　2.2 恒流驱动电路
　　恒流驱动电路的核心是V / I转换电路，如图2所示，Vin是STM32内部D/A输出的电压，RL是负载，即待测的LED，Rs为电流取样电阻，用于控制输出电流的大小，U1是大功率运算放大器。
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由公式2 可见， 输出电流与负载无关，在固定取样电阻Rs的情况下，输出电流与输入控制电压成正比。但在应用中要注意，两个输入电阻R3和R4及两个反馈电阻R1和R2必须严格匹配，否则会带来较大误差。Rs也要采用精密功率电阻。另外也可以在系统调试时在软件中做补偿校准以确保输出电流精度。
　　图2中的运算放大器OPA548是一种高电压、大电流型功率运算放大器，具有优良小信号放大性能，用其驱动多种负载非常理想。电源电压（+VS~-VS）60V，可单电源或双电源工作。输入阻抗高，偏置电流小。可连续输出3A大电流（峰值电流高达5A），而且内部具有过温和电流过载保护，用户可以根据需要进行精密的限流设计2.3 光学测量模块.
　　本设计中采用新型的颜色传感器TCS3200进行LED光学特性的测量，能够同时测量LED发光中所含的三基色亮度。TCS3200是TAOS公司推出的可编程彩色光到频率的转换器。它把可配置的硅光电二极管与电流频率转换器集成在一个单一的CMOS电路上，同时在单一芯片上集成了红绿蓝（RGB）三种滤光器，是业界第一个有数字兼容接口的RGB彩色传感器。
　　TCS3200的输出信号是数字量，可以驱动标准的TTL或CMOS逻辑输入，因此可直接与微处理器或其他逻辑电路相连接。由于输出的是数字量，并且能够实现每个彩色信道10位以上的转换精度，因而不再需要A/D转换电路，使电路变得更简单。图3是TCS3200的引脚和功能框图。
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　当入射光投射到TCS3200上时，通过光电二极管控制引脚S2、S3的不同组合，可以选择不同的滤波器；经过电流到频率转换器后输出不同频率的方波（占空比是50%），不同的颜色和光强对应不同频率的方波；还可以通过输出定标控制引脚S0、S1，选择不同的输出比例因子，对输出频率范围进行调整，以适应不同的需求。
　　因为STM32工作频率较高，因此将S0和S1直接接高电位，使输出比例因子为100%.S2和S3利用STM32的引脚进行控制，颜色传感器的输出信号用STM32编程实现测频。
3.测量数据运算及处理
　　STM32的软件系统设计中主要包括液晶显示，按键处理，DAC控制，ADC控制，颜色传感器控制及计数测量，这些模块都比较简单，在此不再赘述，下面主要介绍一下LED光学特性测量的数据运算及处理程序。
　　物体颜色的定量度量是一个涉及观察者的视觉生理、视觉心理、照明条件以及观测条件等诸多因素的复杂问题。CIE（国际照明委员会）从1931年开始发布了一系列色度学系统，规定了一整套颜色测量的原理、数据和计算方法，形成了奠定现代色度学基础的CIE标准色度学系统。
　　根据CIE的推荐，光源的色度可采用三刺激值X，Y，Z和色品坐标表色系统表征。
　　可以用下述公式将RGB值转为XYZ值：
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通过颜色传感器TCS3200测量构成光源色度的三基色的比例，得到R，G，B值，经过计算就可以得到光源色度的三刺激值X，Y，Z和色品坐标x，y，z.有了色品坐标，就可以根据CIE1931标准色度系统得到光源的亮度，主波长，色纯度，相关色温等参数值。式3中的Y值相应于人眼中对亮度的响应，可用于计算LED发光亮度。
　　从色品坐标要得到相关色温（CCT，Correlated Color Temperature）有很多种方法，其中近似公式法运算简单，便于实现，精度也可满足一般要求，当3000K《CCT《15000K时，采用如下公式：
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4.实验结果
　　应用上述电路，设计了简易的LED光电特性测试装置，并用一些红、绿、黄、蓝、白等各色LED进行了测试，结果如图4.图4（a）为不同颜色LED的伏安特性曲线，图4（b）为不同颜色LED的发光亮度与电流的关系。从图中可以看出，LED电流随电压变化很快，而发光亮度与电流基本上是线性关系。这可以作为设计LED驱动电路的参考依据。另外，用Keithley2612高精度源表对伏安特性进行了校准，用照度计对亮度测试进行了校准。实验结果表明，通过硬件调整和软件补偿，结果误差可以控制在5%以内，达到实用目标。
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13:32:33　　
颜色LED的伏安
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光电器件特性实验（光电二极管、光电三极管，光敏电阻）
一、实验目的
1、了解光敏电阻的光电特性、光谱响应特性、频率特性等基本特性，测出它的伏安特性曲线和光照特性曲线。
2、了解光敏二极管的基本特性，测出它的伏安特性和光照特性曲线。
3、了解硅光电池的基本特性，测出它的伏安特性曲线和光照特性曲线。
4、了解光敏三极管的基本特性，测出它的伏安特性和光照特性曲线。
5、了解光纤传感器基本特性和光纤通讯基本原理。
二、实验原理
1、光敏电阻
在光照作用下能使物体的电导率改变的现象称为内光电效应。本实验所用的光敏电阻就是基于内光电效应的光电元件。当内光电效应发生时，固体材料吸 收的能量使部分价带电子迁移到导带，同时在价带中留下空穴。这样由于材料中载流子个数增加，使材料的电导率增加，电导率的改变量为
在（1）式中，e为电荷电量，△p为空穴浓度的改变量，△n为电子浓度的改变量，μ表示迁移率。
当两端加上电压U后，光电流为：
式中A为与电流垂直的表面，d为电极间的间距。在一定的光照度下，△σ为恒定的值，因而光电流和电压成线性关系。
光敏电阻的伏安特性如图2所示，不同的光照度可以得到不同的伏安特性，表明电阻值随光照度发生变化。光照度不变的情况下，电压越高，光电流也越大，而且没有饱和现象。当然，与一般电阻一样光敏电阻的工作电压和电流都不能超过规定的最高额定值。
图2 光敏电阻的伏安特性曲线
图3 光敏电阻的光照特性曲线
当光电器件电极上的电压一定时，光电流与入射到光电器件上的光照强度之间的关系称为光照特性。光敏电阻的光照特性则如图3所示。不同的光敏电阻的光照特性是不同的，但是在大多数的情况下，曲线的形状都与图3的结果类似。由于光敏电阻的光照特性是非线性的，因此不适宜作线性敏感元件 ，这是光敏电阻的缺点之一。所以在自动控制中光敏电阻常用作开关量的光电传感器。
光敏电阻对入射光的光谱具有选择作用，即光敏电阻对不同波长的入射光有不同的灵敏度。光敏电阻的相对光敏灵敏度与入射波长的关系称为光敏电阻的光谱特性，亦称为光谱响应。图4为几种不同材料光
敏电阻的光谱特性。 对应于不同波长，光敏电阻的灵敏度是不同的，而且不同材料的光敏电阻光谱响应曲线也不同。
图4 光敏电阻的光谱特性
图5 光敏电阻的频率特性
实验证明，光敏电阻的光电流对光照强度的变化有一定的响应时间，即光敏电阻产生的光电流有一定的惰性，这种惰性通常用时间常数表示。光敏电阻自光照停止到光电流下降至原值的63%时所经过的时间称为光敏电阻的时间常数。大多数的光敏电阻时间常数都较大， 这是它的缺点之一。 不同材料的光敏电阻具有不同的时间常数（毫秒数量级）， 因而它们的频率特性也就各不相同。 图5为硫化镉和硫化铅两种不同材料的光敏电阻的频率特性，即相对灵敏度KI与光强变化频率f之间的关系曲线。
此外，光敏电阻和其它半导体器件一样，受温度影响较大。总之，光敏电阻具有光谱特性好、允许的光电流大、灵敏度高、使用寿命长、体积小等优点，所以应用广泛。
2、光敏二极管与光敏三极管
2.1光敏二极管与光敏三极管结构
光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的，其管芯是一个具有光敏特征的PN结，具有单向导电性，因此工作时需加上反向电压。无光照时，有很小的饱和反向漏电流，即暗电流，此时光敏二极管截止。当受到光照时，饱和反向漏电流大大增加，形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。光敏二极管结构见图
6。光敏三极管是具有NPN或PNP结构的半导体管，结构与普通三极管类似。
图6 光敏二极管结构图
2.2光敏二极管与光敏三极管特性
光电二三极管在一定偏压，当没有光照的情况下，即黑暗环境中，所测得的电流值即为光电二、三极管的暗电流。
⑵伏安特性
在一定光照条件下，光电二、三极管的输出光电流与偏压的关系称为伏安特性。
图7光敏二极管的伏安特性曲线
图8光敏三极管的伏安特性曲线
⑶光照特性
光敏传感器的光谱灵敏度与入射光强之间的关系称为光照特性，有时光敏传感器的输出电压或电流与入射光强之间的关系也称为光照特性，它也是光敏传感器应用设计时选择参数的重要依据之一。
图9 光敏二极管的光照特性曲线
图10光敏三极管的光照特性曲线
⑷响应时间特性
光敏晶体管受调制光照射时，相对灵敏度与调制频率的关系称为频率特性。减少负载电阻能提高响应频率，但输出降低。一般来说，光敏三极管的频响比光敏二极管差得多，锗光敏三极管的频响比硅管小一个数量级。
实验证明，光电器件的信号的产生和消失不能随着光强改变而立刻变化，会有一定的惰性，这种惰性通常用时间常数表示。即当入射辐射到光电探测器后或入射辐射遮断后，光电探测器的输出升到稳定值或下降到照射前的值所需时间称为响应时间。为衡量其长短，常用 时间常数τ的大小来表示。当用一个辐射脉冲光电探测器，如果这个脉冲的上升和下降时间很短，如方波，则光电探测器的输出由于器件的惰性而有延迟，把从10%上升到90%峰值处所需的时间称为探测器的上升时间，而把从90%下降到10%所需的时间称为下降时间。
⑸光谱特性
不同材料制成的光敏二极管与光敏三极管有着不同的光谱特性，它反映了光敏二极管与光敏三极管对不同波长的光反应的灵敏度是不同的。把反应最灵敏的波长，叫做该光敏二极管或光敏三极管的峰值波长。
三、实验内容
1、光敏电阻特性实验
1.1光敏电阻伏安特性测试实验
（1）按原理图11接好实验线路，将光源用的标准钨丝灯和光敏电阻板置测试架中，电阻盒以及转接盒插在九孔板中，电源由DH-VC3直流恒压源提供。
（2）通过改变光源电压或调节光源到光敏电阻之间的距离以提供一定的光强，每次在一定的光照条件下，测出加在光敏电阻上电压U为+2V、+ 4V、+6V、+8V、+10V时5个光电流数据，即
出此时光敏电阻的阻值，同时算。以后逐步调大相对光强重复上述实验，进行5～6次不同光强实验数据
（3）根据实验数据画出光敏电阻的一组伏安特性曲线。
图11光敏电阻伏安特性测试电路
图12 光敏二极管特性测试电路
1.2光敏电阻的光照特性测试实验
（1）按原理图17接好实验线路，将光源用标准钨丝灯和检测用光敏电阻置测试架中，电阻盒以及转接盒插在九孔板中，电源由DH-VC3直流恒压源提供。
（2）从U=0开始到U =12V，每次在一定的外加电压下测出光敏电阻在相对光照强度从“弱光”到逐步增强的光电流数据，即：同时算出此时光敏电阻的阻值，即：。
（3）根据实验数据画出光敏电阻的一组光照特性曲线。
2、光敏二极管的特性实验
3.1、光敏二极管伏安特性实验
（1）按原理图12接好实验线路，将光电二极管板置测试架中、电阻盒置于九孔插板中，电源由DH-VC3直流恒压源提供，光源电压0～12V（可调）。
（2）先将可调光源调至相对光强为“弱光”位置，每次在一定的照度下，测出加在光敏二极管上的反偏电压与产生的光电流的关系数据，其中光电流 (l.00KΩ为取样电阻R），以后逐步调大相对光强（5～6次），重复上述实验。
（3）根据实验数据画出光敏二极管的一组伏安特性曲线。
3.2、光敏二极管的光照度特性实验
（1）按原理图19接好实验线路。
（2）反偏压从U=0开始到U=+l2V，每次在一定的反偏电压下测出光敏二极管在相对光照度为“弱光”到逐步增强的光电流数据，其中光电流 (l.00KΩ为取样电阻R）。
（3）根据实验数据画出光敏二极管的一组光照特性曲线。
4、光敏三极管特性实验
4.1光敏三极管的伏安特性实验
图13 光敏三极管特性测试实验
（1）按原理图13接好实验线路，将光敏三极管板置测试架中、电阻盒置于九孔插板中，电源由DH-VC3直流恒压源提供，光源电压0～12V（可调）。
（2）先将可调光源调至相对光强为“弱光”位置，每次在一定光照条件下，测出加在光敏三极管的偏置电压
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