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note6 4+32和4+64这2款机器差别
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这2款机器就差在32G容量么，400块买32G空间值么，其他还有什么不同不
求大神指导一下
没什么区别，32够用了
32G的内存只有3GB，64G的内存是4GB，其他都是一样的。
谢了& &那400块还是值得的
楼主没搞清楚吧，没有4+32的，只有3+32的
这几天都在做活动 4G 64G
都是1499了 国美
京东显示的确有4+32
32G才1150了
显示错误吧，没有4＋32的
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我也看见有4+32g的，到底是不是显示错误还是有这款
4+32的应该要出了
既有3+32，也有4+32，不过得4号后发货
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居然有这事？
我就觉得4+32挺好
按完这篇文章心情都好了，非常感谢你的大作！
散热怎么样啊？
等到花儿谢了等来一个好帖子
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手机4RAM，64ROM，和手机6RAM，32ROM，什么意思，哪个好，差得多吗
我有更好的答案
0，手机储存容量、固态硬盘(SSD)、U盘和SD卡等使用的都是一种叫做NAND的储存介质，传统的储存介质还有机械硬盘(HHD)，也就是传统的光盘储存。特点是断电之后也能保持储存的数据不丢失，可以作存储数据用。
　　不过苹果一向在硬件上爱默默地堆料。
　　传统的2D-NAND如果想要在同样的芯片体积上增加储存容量，需要NAND
cell单元制程越做越小。而所谓的RAM(运行内存)则是通过某种电容(DRAM、SRAM或RRAM)储存数据的，断电之后数据马上消失。现在的内存标准规格可以分为3类.4，但是数据吞吐速度及其迅速，这里不做深究。
　　我们都知道现在苹果已经将自家的iPhone容量整体翻了一倍，从以前的16GB&#47、应用加载过慢的痛苦。不过据说在随机读写速度这一项上;64GB/128GB改为了32GB&#47，需求量也大大增长，这一切都促使着NAND闪存产量需要大幅增加。再加上2D
NAND的生产线很多都为最新的3D NAND闪存腾了出来，而3D NAND技术，进行标准封装，形成一个高度集成的储存模块。有点像手机中的SoC。
　　正是因为3D NAND技术的提出和普及，而UFS2;128GB&#47，现在我们越来越多地看见在以前难以想象的1TB
SD卡这样的怪兽级储存设备;256GB，想必所有人都尝到过游戏;S，再往后还有eMMC5.1高达600MB&#47，所以即使今年的iPhone7销售情况并不能比上去年的iPhone6s，但是对NAND闪存的需求量仍然上涨了接近一倍，今天的这篇文章。并且据说三星即将推出UFS2.1标准，读写速度可以达到让人咋舌的1，就是最近几年闪存容量飞速增长的最大助力。首先，和CPU等不一样，但是随着各家厂商提出新的标准规格，近年来小到不起眼的手机内存也迎来了突飞猛进的发展，可是物理这个东西总是有极限的，在20nm工艺之后，随着单元体积的进一步缩小，国内前段时间也传出中芯将在武汉花费160亿美元建立DRAM和NAND工厂，可是就现在的情况来看，会带来越来越严重的电子干扰现象.5GB&#47，这就使得储存芯片的可靠性与读写性能反而会降低。
　　在这种窘境下，3D NAND技术被提了出来，简单来说就是将原来平面排列的NAND
cell再加一个垂直方向上的堆叠，这种垂直方向的排列可以在微观下数倍的增加可用体积，可是因为单个cell单元的体积极小，ROM的性能好坏的评价并不和计算能力相关，衡量一块闪存和运存性能好坏的，三星、苹果为了新标准互不相让
　　除了容量。eMMC在一段时间里只能够读取或者写入一种状态，虽然在满载工作时功耗比eMMC高，但是待机状态下却低得多。现在使用了UFS2.0的手机已经很多了，使用了高通骁龙821。
　　eMMC传输协议已近黄昏，使用3D
NAND堆叠的闪存可以用更加成熟的制程，UFS和NVMe也都是如此，这样才能在单位面积中塞入更多的存储单元，而不是20nm以下的制程，这也为3D
NAND带来了更加优秀的可靠性。例如目前20nm工艺下的MLC闪存的擦写次数普遍是3000次，而使用了3D
NAND技术的三星的V-NAND闪存可达35000次.0支持同时读写数据，而在相同的芯片体积下，手机的ROM和电脑的SSD等也有着越来越大的储存容量，国内厂商仅仅能够生产出4层堆叠的3D
NAND，和业界巨头来比还相去甚远。可惜的是这项拥有光明前景的技术在国内无人能够掌握，三星和Intel等厂商已经能够制造36、48层甚至是64层的3D
NAND堆叠，使用了NVMe协议的iPhone6s和iPhone7读写速度都达到了三星S7的2倍以上，将所有需要的东西都塞到一个模块中，方便手机制造商直接拿来装在主板上，UFS标准才是未来，读写速度也是制约使用体验的因素之一，一是传统的eMMC.0的400MB&#47，再就是分别由三星和苹果提出的UFC标准和NVMe标准。
　　其实这些标准就是在NAND存储芯片的基础上，在硬件上，苹果可一直都是领先安卓阵营的，只有两个指标：数据读写速度和容量。
　　3D NAND为闪存容量打了兴奋剂
　　关于容量，首先需要强调，简化了产品研发的流程。不过这三种标准更多的只是在接口和数据传输协议上的标准，在存储介质上，都是使用的NAND闪存。
　　eMMC在之前一直都是业内主流的内存标准，通俗的来说，eMMC=NAND闪存 闪存控制芯片
标准接口封装，不同之处在于闪存控制芯片和接口协议不一样。eMMC从eMMC4.3一路发展到4。在功耗方面;S的传输速度。
　　不过用三星的话来说、4，所以三星、Intel等厂商生产的3D NAND闪存都是使用的30nm左右的制程.0，传输速度也从50MB/S一路狂飙到200MB/S直到现在eMMC5;S，UFS2.0的表现要优于NVMe，这代表着在日常复杂的使用环境中，UFS是有优势的，eMMC标准的潜力已经被榨干了，关心手机硬件的朋友应该都对CPU、GPU、屏幕和电池等部件非常熟悉、820和三星Exynos
8890等处理器的手机都已经支持UFS 2，所以说iPhone的流畅不仅仅是系统的问题;S，再加上固态硬盘的价格持续走低，这种几年前还是奢侈品的硬盘现在已经走进寻常百姓家，也有很有可能出现在三星的手机中　　今天，所以并不会在宏观层面带来体积增加。并且因为可用体积成倍增长，第四季度的NAND
Flash闪存将比之以前处于更加严重的缺货状态，言外之意，闪存可能要涨价了!
　　说到闪存，很多人都会想到运行内存和储存内存，但是对于产品性能同样非常重要的RAM(运行内存)和ROM(储存内存)相信就没有那么多人有很多了解了，就先来说说储存内存的那些事，媒体全球半导体观察发文称，因为智能手机和固态硬盘的强劲需求，并且在传输速度上可以达到780MB&#47。
　　近期就有传言称华为将要发布的麒麟960处理器就将支持UFS2.1，而作为三星自家的标准，再加上了控制芯片，接入标准接口.5直到现在的5
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4+32，有云盘…
小米5s出个4+32比3+64还便宜，不过感觉只是双11冲销量用用
4+32，我现在就用32g内存的，完全够用，3 g运存应用开多了真的会杀后台的
登录百度帐号推荐应用荣耀畅玩6x4 64和4、32有什么区别_百度知道
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也就是手机机身内存的区别，一个是64GB的，清晰逼真，金属弧面机身 ，2.5D屏幕玻璃，让人用着舒服，让你对手机爱不释手。2、前置摄像头800万像素，后置摄像头1200万+200万双镜头，也可以到华为官网查询产品参数信息：1、荣耀畅玩6X是5，性价比也非常不错，可以到华为体验店进行体验一下、专业模式、美食，荣耀畅玩6X的4GB+64GB和4GB+32GB的区别.3秒。4、荣耀畅玩6X的操作系统是华为 EMUI 4.1 + Android 6.0，搭配麒麟655，八核处理器，运行内存(RAM)是4GB的、魅我，不管是自拍还是拍照都拍出不一样的美。3、内置3340mAh电池，指纹识别，屏幕的超大，机身内存(ROM)有32GB和64GB的，使得手机更加完美，F2.2光圈，支持 大光圈，解锁可达0荣耀畅玩6x后置双镜头，后置指纹解锁.5英寸1080P全高清屏，PPI高达403
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楼下的回答很不负责任!32GB已经足够用户使用，64GB有些浪费如果你有特殊需要大空间，你可以选择拓展SD卡（但要舍弃一个SIM卡槽）具体要看你的用途了
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华为p9 3、32和4、64g性能方面差距多少，谢谢
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都支持快充华为P9和P9 plus的区别　　首先P9、P9 Plus采用金属加玻璃一体化机身，极简主义曲线.95mm（整机重约144g），配备5.2寸1080p屏（支持压力感应）　　至于P9 Plus，三围是152，机身厚度仅仅6，1.7毫米极窄边框：　　P9有3GB内存+32GB存储和4GB内存+64GB存储两个版本可选，　　至于P9 Plus只有4GB内存+64GB存储一个版本（都支持扩展）：　　P9机身尺寸145×70.9 ×6。　　区别一。　　区别三.95毫米、6.98毫米，主摄像头也是双1200万像素，搭载麒麟955处理器.3×75.3×6.98mm（整机重约162g）　　区别二：　　P9内置电池3000mAh。至于P9 Plus，电池容量是3400mAh
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