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DDR4内存与DDR3内存的区别
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关于DDR4内存，也就是第四代电脑内存，相信还有很多同学对它很陌生，今天亦是美网络小编就给大家谈谈DDR4内存在参数、规格等方面有哪些改进，从内存的发展历史来看，历代内存都是向着高频、低功耗的方向发展的，DDR4也不例外，运行带宽更大、耗电量更少（工作电压更低），价格也比较适中。
工作频率方面：DDR4内存的工作频率从2133MHZ起步，最高可达4266MHZ，相比DDR3内存的工作频率有了很大的提升。
功耗方面：DDR4内存的工作电压进一步降低至1.35V，甚至最低可达1.2V，相比DDR3内存的1.5V电压着实降低了不少。
关于内存频率和功耗，大家基本都晓得，下面的内存科普技术大家就不一定知道了，不管怎么样，你先硬着头皮看完了再说。
新技术应用：DDR4内存采用了差分信号技(DiffrentialSignaling)术和三维堆叠技术(3DS)。
DDR4内存既采用了传统的SE信号，还采用了差分信号技术，传统的SE信号传输机制在高频率下信号容易受到干扰，而差分信号技术采用两条线路来传送一个信号，大大增加了抗干扰能力。
三维堆叠技术使得DDR4内存单颗芯片的容量得到了大幅提升。
在上一代DDR3内存中，内存和控制器之间的连接时通过多点分支总线来实现的，这种设计的缺点是当数据传输量一旦超过了通道的承载能力，无论怎么增加内存容量都无法提升内存的性能。
而DDR4内存采用点对点总线，每个通道只能支持唯一的一根内存，这样做简化了内存模块的设计，更容易达到更高的频率。同时，这也使得DDR4内存外观发生了变化，DDR4内存的金手指触点从DDR3的240个增加到了284个，由于每个触点间的间距由1mm缩减到了0.85mm，因此DDR4内存的长度并没有发生变化，为了增强在高频率下工作的稳定性，DDR4内存的金手指为弧形，不但可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽点有足够的接触面，还可以让凸起部分和插槽产生足够的摩擦力。
怎么样？看了上面的介绍，头都大了吧？呵呵，其实亦是美网络小编写这些内容也头大，以上属于科普内容，大家只需了解了即可。
下面给大家讲如何选购DDR4内存以及需要注意的事项：
1、购买内存前，首先查看自己的电脑主板是否支持DDR4内存，有没有相应的DDR4内存插槽。
2、选购内存肯定要首选一线内存供应商了，威刚、金士顿、金邦等品牌都不错，不过小编最喜欢的还是威刚内存咯。
3、选择购买平台时尽量选择大的可靠的购物平台，比如京东、天猫等商城，价格也不相差太多。
4、内存容量和频率的选择，目前DDR4内存的容量有4G、8G的，DDR4内存的频率有2133MHZ、2400MHZ、2666MHZ、2800MHZ等。
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还在纠结买DDR3还是DDR4内存，差别看这里！
随着价格的不断降低，目前DDR4 2400 8GB内存的价格已经与DDR3 1600 8GB基本相当，在这样的情况下应该如何选择内存呢？接下来我们通过测试成绩来解答这一问题。研究平台及方法介绍在本次研究中，我们选择的是两款市场上主流的内存产品：金士顿 骇客神条Fury DDR3 1600 8GB和金士顿 骇客神条Fury DDR4 2400 8GB，两款产品都是属于金士顿骇客神条Fury系列，目前价格都是249元。金士顿 骇客神条Fury DDR3 1600 8GB &容量/速度/CL值/工作电压：8GB/DDR3 .5V参考价格：249元DDR3 1600 8GB内存信息金士顿 骇客神条Fury DDR4 2400 8GB容量/速度/CL值：8GB/DDR4 2400/15时序/工作电压：15-15-15-35/1.2V参考价格：249元DDR4 2400 8GB内存信息需要注意的是，为了保证测试成绩的准确性。我们使用的主板是映泰 Hi-Fi B150Z5，这款主板的特点是同时支持两代内存，在主板上不同的内存插槽用不同的颜色进行区别，其中黑色的是DDR4内存插槽，褐色的是DDR3内存插槽，是很容易进行区分的。不同内存插槽用不同颜色区分，黑色是DDR3，褐色的是DDR4在实际的研究环节中，我们分为三个部分进行测试：第一部分：考查该平台在使用DDR3和DDR4内存时的内存性能对比，我们用的是Sisoftware Sandra 2014、AIDA64以及WinRAR 5.31 64bit三款测试软件；第二部分：考查该平台在使用不同内存时的核芯显卡性能表现，用的是基准测试软件3DMark和游戏《生化危机5》；第三部分：在平台上安装独立显卡，再用基准测试软件3DMark、游戏《生化危机5》《失落的星球2》考查该平台的游戏性能。项目1：内存性能测试延迟高是DDR4内存普遍存在的问题，在本次研究中，无论是用Sisoftware Sandra 2014还是AIDA64测出内存延迟，DDR4 2400 8GB的延迟都高于DDR3 1600 8GB。但是凭借着频率上的优势，DDR4 2400 8GB有明显的优势，几乎是对对手实现了碾压。从这个测试可以看出，尽管DDR4 2400 8GB内存延迟较高，但是这对性能的影响非常有限，在本次测试用的Sisoftware Sandra 2014、AIDA64以及WinRAR 5.31 64bit三款测试软件中，成绩均大幅领先于同容量的DDR3 1600 8GB内存。由此可见，在运行WinRAR 5.31 64bit等对内存性能要求较高的软件时，使用DDR4 2400 8GB的表现更好。项目2：核芯显卡平台性能测试由于核芯显卡在运行时会调用内存作为显存，因此内存性能对于核芯显卡的性能影响很大，这一点在项目2的测试中表现得很明显。同样是凭借着频率更高的优势，当平台使用DDR4 2400 8GB内存时，在3DMark Fire Strike模式中获得了961分，比使用DDR3 1600 8GB内存时仅得到的780分，提升幅度达到了23.2%。在游戏《生化危机5》中，平台使用DDR4 2400 8GB内存时画面平均帧速为40.6fps，比使用DDR3 1600 8GB内存时仅得到的31.8fps，提升了27.6%。使用性能更强的DDR4 2400 8GB时，整个核芯显卡平台的性能表现明显更好。项目3：独显平台性能测试看到这里可能玩家心里还是会有一个疑问：对于独显游戏平台来说，使用DDR4 2400 8GB内存时的性能表现究竟如何呢？通过项目3，就来解开大家的疑问。与之前的核芯显卡平台相比，在独显平台上，使用DDR4 2400 8GB内存时的性能提升并没有那么大。比如在3DMark Fire Strike Extreme模式中，DDR4 2400 8GB内存平台的分数仅多了134分，提升幅度仅2.6%。而在游戏《失落的星球2》和《生化危机5》中，DDR4 2400 8GB内存平台的成绩分别提升了4.2%和8.7%，提升的幅度并不算大。编辑总结：DDR4 2400 8GB更值得选择以前之所以不少玩家选择坚守DDR3内存，主要原因在于久经市场考验的DDR3内存价格更低，性价比更高。但是随着DDR4内存价格的猛降，用DDR3 1600 8GB的钱完全可以买到DDR4 2400 8GB了，DDR3 1600 8GB的价格优势已经不复存在了。从本次的研究中可以看到，性能更强的DDR4 2400 8GB在核芯显卡平台以及运行对内存性能要求较高的软件时，都有更好的表现。尽管在独显平台上，DDR 4 2400 8GB的优势并没有之前那么大，但是我们也要看到，在未来数年DDR4都将是内存市场绝对的主流产品，拥有很大的升级潜力。以后玩家在升级平台时，DDR4内存依然可以继续发光发热。电脑报新媒体
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什么是DDR4　　DDR，英文全称为：Dual Data Rate，是一种双倍速率同步动态随机存储器。严格的说，DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器，而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。
简单来说，DDR4就是第二代内存的意思，经历了DDR1、DDR2、DDR3内存，它属于我们熟知的DDR3内存的下一代版本，新一代DDR4内存带来了更低的功耗与更出色的性能。DDR4与DDR3的区别　　如今DDR4已是许多发烧爱好者讨论的一个热门话题，随着DDR4内存的流行，它成为了新平台装机用户的首选。那么相比DDR3，都有了哪些比较重要的改进呢？
外观改变：DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状，这意味着，DDR4内存不再兼容DDR3，老平台电脑无法升级DDR4内存，除非将CPU和主板都更换为新平台。　　DDR4内存频率与带宽提升明显：频率方面，DDR3内存起始频率为800，最高频率达到了2133。DDR4内存起始频率就达到了2133，量产产品最高频率达到了3000，从内存频率来看，DDR4相比DDR3提升很大。　　带宽方面，DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/S)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70%。　　综合来看，DDR4内存性能最大幅度可比DDR3提升高达70%，甚至更高。　　DDR4内存容量提升明显，可达128GB：上一代DDR3内存，最大单挑容量为64GB，实际能买到的基本是16GB/32GB，而新一代DDR4内存，单条容量最大可以达到128GB，媲美SSD了。　　DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低：上一代DDR3内存，采用1.5V标准电压，而DDR4内存则降低为1.2V，甚至可以做到更低，功耗下降了，更省电，并且可以减少内存的发热。
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今日搜狐热点正在初始化报价器请问笔记本ddr4内存条和ddr3有什么区别?3个回答黎约傀儡组289DDR4现在刚起步，速度并不比DDR3有优势(以后肯定是更快的)，但是DDR4耗电更少，这个在笔记本上还是很重要的。现在的软件运行瓶颈大部分不在内存速度上面，如果你常用的软件有这方面的需求，可以考虑高速的双路内存。
神剑糙挠6DDR3L全称“DDR3
Voltage”(低电压版DDR3) 将运行电压从标准版DDR3的1.5V进一步降低到了1.35V。 并保持功能上的全面兼容。
在同等性能和负载下相比标准版DDR3功耗可降低15％或者更多。 而相比于1.8V
DDR2更是可以节能40％。
酧幰K　　1、内存条，是一台电脑运行程序的运行内存，内存的大小，对电脑的流畅度来讲非常重要。多数电脑，增加内存，就可以直接提升电脑的流畅度。
　　2、DDR3和DDR4是两代内存，根本的区别在于频率不同，DDR4代的起点频率，是DDR3代的最高频率。二者插槽也不同，互不兼容。
　　3、的实际作用差别很小。从数字上也能看出频率没有高出多少。因为内存的带宽总体来讲是过剩的，好比买东西，东西值100块钱，身上带1000还是10000，没区别。
希望我的回答能帮助到您。
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DDR2的频率只有667和800，，，所以DDR3的速度比DDR2的速度快
而且DDR3的供电电压是1.5，DDR2的供电...3个回答我要做海贼王您好，内存条，123代的区别是：
1、内存上的缺口位置不一样。
2、传输速率、工作频率、工作方式、工作电压等方面都不同。
所以电脑的主板只能支持同代的内存...3个回答下坠2012内存分为：台式机和笔记本两
内存又分为：DDR 和SDRAM，现在SDRAM几乎已经推出了市场。
DDR类型的又分为：DDR和DDR2两种。
DDR类型按频...3个回答想太多_2284DDR1： 一个缺口、单面92针脚、双面184针脚、左52右40、内存颗粒长方形
DDR2： 一个缺口、单面120针脚、双面240针脚、左64右56、内存颗粒正方形...6个回答幸运的撕旧信笔记本ddr400与ddr333内存条的插口一样的，笔记本ddr400与ddr333内存条的插口外观大小不一定一样，但是长度和缺口是一样的。大部分厂家笔记本设计的时候都考虑过这个问...3个回答JDHAJHD设计、制造时有区别。都是DDR3 都是4G 但频率不同 要装和主频兼容的内存，1600能够运行在更高的频率上。但一般使用中没区别。因为现在内存运行频率都和CPU相对应的。绝大部分D...3个回答好好_2597　　笔记本ddr400与ddr333内存条的插口一样，可以通用，都是DDR1代的，不过建议掏2条一样的二手512的，可以组双通道，价格也便宜，储存容量大，记忆时间短，快速，品质有保...0个回答3个回答小溪_9621联想ddr3l笔记本目前已停产，没有具体报价了，以下是其他型号的参考价：
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1联想Y700-ISE 旗舰版参考报价：￥8799
2联想Y50p-70-ISE参考报价：￥6...DDR4与DDR3有什么区别 相比DDR3内存条DDR4有哪些改进
互联网 & 04-16 15:12:03 & 作者：佚名 &
虽然DDR4内存标准规范的正式公布是2012年9月底，不过DDR4内存规格原计划是在2011年制定完成，2012年开始投入生产并上市的。如今DDR4已经欲势待发，只是在等待相应的主板与CPU上市了，那么相比DDR3，都有了哪些比较重要的改进呢？下面就和脚本之家小编一起来看看吧
在春暖花开的季节里，内存市场也迎来了新春，这段时间，各大内存颗粒、模组厂商都突然活跃起来，纷纷宣扬各自的DDR4产品进展，虽然DDR4内存标准规范的正式公布是2012年9月底，不过DDR4内存规格原计划是在2011年制定完成，2012年开始投入生产并上市的。所以在之前的很长一段时间，三星、SK海力士、美光等多家DRAM厂商都已经完成了DDR4内存芯片的开发，并计划进行量产，奈何DDR4内存标准一直未见公布，他们也不敢轻举妄动。所以可以说DDR4内存的出现已经是酝酿已久了。
如今DDR4已经欲势待发，只是在等待相应的主板与CPU上市了，那么相比DDR3，都有了哪些比较重要的改进呢？下面就和脚本之家小编一起来看看吧！
1.DDR4内存条外观变化明显，金手指变成弯曲状
2.DDR4内存频率提升明显，可达4266MHz
3.DDR4内存容量提升明显，可达128GB
4.DDR4功耗明显降低，电压达到1.2V、甚至更低
很多电脑用户可能对于内存的内在改进不会有太多的关注，而外在的变化更容易被人发现，一直一来，内存的金手指都是直线型的，而在DDR4这一代，内存的金手指发生了明显的改变，那就是变得弯曲了，其实一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。
其次，DDR4内存的金手指本身设计有较明显变化。金手指中间的&缺口&也就是防呆口的位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm，笔记本电脑内存上使用的SO-DIMM DDR4内存有256个触点，SO-DIMM DDR3有204个触点，间距从0.6毫米缩减到了0.5毫米。
第三，标准尺寸的DDR4内存在PCB、长度和高度上，也做出了一定调整。由于DDR4芯片封装方式的改变以及高密度、大容量的需要，因此DDR4的PCB层数相比DDR3更多，而整体尺寸也有了不同的变化，如上图。
频率和带宽提升巨大　
DDR4最重要的使命当然是提高频率和带宽。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。在DDR在发展的过程中，一直都以增加数据预取值为主要的性能提升手段。但到了DDR4时代，数据预取的增加变得更为困难，所以推出了Bank Group的设计。
Bank Group架构又是怎样的情况？具体来说就是每个Bank Group可以独立读写数据，这样一来内部的数据吞吐量大幅度提升，可以同时读取大量的数据，内存的等效频率在这种设置下也得到巨大的提升。DDR4架构上采用了8n预取的Bank Group分组，包括使用两个或者四个可选择的Bank Group分组，这将使得DDR4内存的每个Bank Group分组都有独立的激活、读取、写入和刷新操作，从而改进内存的整体效率和带宽。如此一来如果内存内部设计了两个独立的Bank Group，相当于每次操作16bit的数据，变相地将内存预取值提高到了16n，如果是四个独立的Bank Group，则变相的预取值提高到了32n。
如果说Bank Group是DDR 4内存带宽提升的关键技术的话，那么点对点总线则是DDR4整个存储系统的关键性设计，对于DDR3内存来说，目前数据读取访问的机制是双向传输。而在DDR4内存中，访问机制已经改为了点对点技术，这是DDR4整个存储系统的关键性设计。
在DDR3内存上，内存和内存控制器之间的连接采用是通过多点分支总线来实现。这种总线允许在一个接口上挂接许多同样规格的芯片。我们都知道目前主板上往往为双通道设计四根内存插槽，但每个通道在物理结构上只允许扩展更大容量。这种设计的特点就是当数据传输量一旦超过通道的承载能力，无论你怎么增加内存容量，性能都不见的提升多少。这种设计就好比在一条主管道可以有多个注水管，但受制于主管道的大小，即便你可以增加注水管来提升容量，但总的送水率并没有提升。因此在这种情况下可能2GB增加到4GB你会感觉性能提升明显，但是再继续盲目增加容量并没有什么意义了，所以多点分支总线的好处是扩展内存更容易，但却浪费了内存的位宽。
因此，DDR4抛弃了这样的设计，转而采用点对点总线：内存控制器每通道只能支持唯一的一根内存。相比多点分支总线，点对点相当于一条主管道只对应一个注水管，这样设计的好处可以大大简化内存模块的设计、更容易达到更高的频率。不过，点对点设计的问题也同样明显：一个重要因素是点对点总线每通道只能支持一根内存，因此如果DDR4内存单条容量不足的话，将很难有效提升系统的内存总量。当然，这难不道开发者，3DS封装技术就是扩增DDR4容量的关键技术。
容量剧增 最高可达128GB
3DS（3-Dimensional Stack，三维堆叠）技术是DDR4内存中最关键的技术之一，它用来增大单颗芯片的容量。
3DS技术最初由美光提出的,它类似于传统的堆叠封装技术，比如手机芯片中的处理器和存储器很多都采用堆叠焊接在主板上以减少体积&堆叠焊接和堆叠封装的差别在于，一个在芯片封装完成后、在PCB板上堆叠；另一个是在芯片封装之前，在芯片内部堆叠。一般来说，在散热和工艺允许的情况下，堆叠封装能够大大降低芯片面积，对产品的小型化是非常有帮助的。在DDR4上，堆叠封装主要用TSV硅穿孔的形式来实现。
所谓硅穿孔，就用激光或蚀刻方式在硅片上钻出小孔，然后填入金属联通孔洞，这样经过硅穿孔的不同硅片之间的信号可以互相传输。在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB（单颗芯片512MB，共16颗），而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。
更低功耗 更低电压
更低的电压：这是每一代DDR进化的必备要素，DDR4已经降至1.2V
首先来看功耗方面的内容。DDR4内存采用了TCSE ( Temperature Compensated Self-Refresh，温度补偿自刷新，主要用于降低存储芯片在自刷新时消耗的功率)、TCARtemperature Compensated Auto Refresh，温度补偿自动刷新，和T CSE类似）、DBI（Data Bus Inversion，数据总线倒置，用于降低VDDQ电流，降低切换操作）等新技术。
这些技术能够降低DDR4内存在使用中的功耗。当然，作为新一代内存，降低功耗最直接的方法是采用更新的制程以及更低的电压。目前DDR4将会使用20nm以下的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低。而随着工艺进步、电压降低以及联合使用多种功耗控制技术的情况下，DDR4的功耗表现将是非常出色的。
人们对于DDR4的期望是相当高的，对于它的上市已经等待已久，不过要知道DDR3花了足足三年的时间才完成对DDR2的取代，而DDR4的野心却是大多了，虽然要到今年底才会正式登场亮相，但是明年就有打算要占据半壁江山，成为新的主流规格。接下来让我们看一下近期关于各个厂商关于DDR4内存的生产发布情况。
支持下一代处理器 威刚DDR4内存曝光
威刚近日正式宣布了自己的首批DDR4内存产品，威刚首发的DDR4并不多，只有标准的服务器型ECC RDIMM，容量4GB、8GB、16GB，额定频率也是2133MHz，电压1.2，产品编号AD4R、AD4R、AD4R。
不过威刚表示，DDR4版本的ECC SO-DIMM、VLP RDIMM、LRDIMM等类型也都正在研发之中，很快就会陆续推出。
这些内存都是供服务器、工作站使用的，威刚也说他们一直在与Intel密切合作，其DDR4内存完全支持下一代服务器平台Haswell-EP Xeon E5-2600 v3。
至于消费级的DDR4内存，谁也没有任何消息，不过Intel将在第三季度推出首个支持DDR4的桌面发烧平台Haswell-E，相信很快就会有新内存跟上。
2400MHz DDR4试产 美光DDR4大规模开工
威刚早些时候正式宣布了他们的首批DDR4内存产品，美光也不甘示弱，宣布其DDR4内存已经大规模投产，并在逐步提高产量。
美光表示，目前量产的是4Gb DDR4内存颗粒，标准频率为2133MHz，并特别与Intel合作，针对将在下半年发布的下一代服务器平台Xeon E5-2600 v3进行了优化。
新平台架构基于22nm Haswell-EP，将取代去年9月份发布的Ivy Bridge-EP E5-2600 v2，主要面向双路服务器领域。
目前已经发布的DDR4内存频率都只有2133MHz，这其实是DDR3也可以轻松达到的高度，自然不能凸显新内存的优势。美光称，2400MHz DDR4正在试产，预计2015年正式投产(也就是说今年别期望啥了)。
美光还透露，他们将陆续推出符合JEDEC DDR4标准的完整产品线，涵盖RDIMM、LRDIMM、VLP RDIMM、UDIMM、SO-DIMM各种规格，ECC也可选有无，到今年第三季度初的时候还会增加NVDIMM。
窄条兼容性强 Virtium发布DDR4内存
DDR4内存终于全面开花结果了。嵌入式存储厂商Virtium今天也推出了他们的DDR4产品，而且非常特殊，首次采用了ULP超小型规格，高度只有区区17.8毫米(0.7英寸)。
DDR4 DIMM内存的标准高度为31.25毫米，稍稍高于DDR3 30.35毫米，而在笔记本上的SO-DIMM高度为30毫米，针对高密度服务器的VLP甚小型规格只有18.3-18.7毫米(0.72-0.738英寸)。
ULP则是所有类型中最为小巧的，只有标准型的一半多，适用于空间狭窄的嵌入式领域。
Virtium ULP DDR4内存也是服务器型的URIMM，单条容量4GB(单Rank)、8GB(双Rank)、16GB(双Rank)，标准频率2133MHz，标准电压1.2V，标准耐受温度范围0～85℃，扩展/工业耐受温度范围-25/-40～95℃，五年质保。
Virtium表示，这种内存已经经过了客户的测试和验证，即将批量供货。
DDR4变活跃 三星加速投产DDR4内存颗粒
这段时间，各大内存颗粒、模组厂商都突然活跃起来，纷纷宣扬各自的DDR4产品进展，而作为DRAM行业领头羊、第一家量产DDR4的三星电子又怎么能保持沉默？韩国巨头近日宣布，正在加速投产DDR4内存颗粒、内存条。
和威刚、美光一样，三星也特别提到了Intel将在下半年发布的新一代服务器平台Haswell-EP Xeon E5-2600 v3，称自家的DDR4内存就是为该平台准备的。
三星目前已经量产的DDR4内存都是单Die 4Gb(512MB)的容量，提供x4、x8、x16等不同芯片封装规格，单条容量最高32GB，频率是标准的2133MHz，规格涵盖RDIMM、LPDIMM、ECC SODIMM等等。
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