正在初始化报价器场效应管和三极管的区别是什么？强少1773三极管和场效应管的主要区别在于三极管的放大或者开关功能依赖基极的电流分量。场效应管的放大和开关功能依赖于栅极的电压分量。其他还有开关时间特性的区别，一般晶体三极管大电流的开关速度远比不上场效应管。
更多回答shine纳入场效应管是场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)的简称。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点，特别适用于高灵敏度和低噪声的电路，现已成为普通晶体管的强大竞争者。
　　普通晶体管(三极管)是一种电流控制元件，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型晶体管；而场效应管(FET)是一种电压控制器件(改变其栅源电压就可以改变其漏极电流)，工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型晶体管。
　　场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的，三极管与场效应管区别见下表。
商道李英你好
1.分别怎么标注·能看出来·或者在CPU啊某个地方常见· 给CPU供电的是场管,边上还有些小的一点点的是三极管.场管都是成组的,只有内存那边有时是单个的 。
2.分别怎么测量· 看引脚,正三角排列,上E,左下B,右下C 。
3.作用分别是什么· 场管分电压和电流转换,是功率转换型的.三极管主要还是放大电流和电压,有时可以当开关。
4.形状是否又区别· 越大功率越大,小型的只是传输信号的。
5.在内存旁控制内存电压的是个三极管吧·是场管,一般是3.3V或5V过来,直接转成内存需要电压的。
热门问答123456789101112131415161718192021222324252627282930如何区分场效应管，三极管，三端稳压器_百度知道
如何区分场效应管，三极管，三端稳压器
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看芯片脚下的铜片，场管一般只有G极是信号线，是细线，其余的都为粗线。场效应晶体管，简称场效应管。主要有两种类型和金属 - 氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。三端稳压管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性，因而广泛应用于稳压电源与限幅电路之中。
采纳率：75%
　　第二种是看看芯片脚下的铜片，场管一般只有G极是信号线，是细线，其余的都为粗线。　　场效应晶体管，简称场效应管。主要有两种类型和金属 - 氧化物半导体场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。　　三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。　　三端稳压管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。稳压管在反向击穿时，在一定的电流范围内（或者说在一定功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性，因而广泛应用于稳压电源与限幅电路之中。
万用表测量晶体管：场效应管、可控硅、三极管外形很相似，一般都只能以型号来区分，如型号不清则可试试用万用表测量电极间电阻大小方法来区别。一，三极管。因为三极管 的基极对其它两极都是一个PN结，当你用表循环测量到某个电极对其它两极都能呈现出低阻或高阻时，那么基本可以断定这是三极管。而其它两种管子都不具有这样的特性。二，场效应管。此管的源极与漏极常可以互换使用，而且两极间呈现电阻性，用表笔正反测量这两极电阻差别不大，而其它两种管子却没有这样的现象。三，可控硅。四层器件，阳极与阴极间有两只反向PN结，用表测量电阻极大；只有门极与阴极是PN结，正反间电阻相差很大；只要电极间符合这个现象的，那就是可控硅了。
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第一种方法最有效果，就是查资料。第二种是看看芯片脚下的铜片，场管一般只有G极是信号线，是细线，其余的都为粗线。如果是复合管的话就有两根细线，并有一脚接地。三端稳压器没有接地的脚而且都为粗线，一般电脑上不用三极管走电压线，只走信号线。
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三极管和场效应管怎么区分？
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三极管是电流控制型场效应管是电压控制型从型号区分场效应管型号如
.........三极管型号如
国产:3DD,国外:2S......... 场效应管有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。举个三极管的例子：3DG12，这是我国三极管的典型命名方法：3表示三极管，D表示硅材料N管，G表示高频中功率，12表示产品序号。
参考资料：
采纳率：36%
这个是我在天亿电子 的网站找到的:一、晶体管基础双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 PN 结。正向偏置的 EB 结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的 CB 结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流 IC 。在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。绝大部分 的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于 VBE 很小，所以基极电流约为 IB= 5V/50 k Ω = 0.1mA 。
如果晶体管的共发射极电流放大系数β = IC / IB =100, 集电极电流 IC= β*IB=10mA。在500Ω的集电极负载电阻上有电压降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶体管集电极和发射极之间的压降为VCE=5V，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/ib=β，实现了双极晶体管的电流放大作用。 金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅 G 电压 VG 增大时， p 型半导体表面的多数载流子枣空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时，电子积累层将在 n+ 源区 S 和 n+ 漏区 D 之间形成导电沟道。当 VDS ≠ 0 时，源漏电极之间有较大的电流 IDS 流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 VT 。当 VGS&VT 并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相同的 VDS 下也将产生不同的 IDS , 实现栅源电压 VGS 对源漏电流 IDS 的控制。 二、晶体管的命名方法晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。三极管以符号BG（旧）或（T）表示，二极管以D表示。按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。 按极性分，三极管有PNP和NPN两种，而二极管有P型和N型之分。多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如 3 A X 31，第一位3代表三极管，2代表二极管。第二位代表材料和极性。A代表PNP型锗材料；B代表NPN型锗材料；C为PNP型硅材料；D为NPN型硅材料。第三位表示用途，其中X代表低频小功率管；D代表低频大功率管；G代表高频小功率管；A代表高频大功率管。最后面的数字是产品的序号，序号不同，各种指标略有差异。注意，二极管同三极管第二位意义基本相同，而第三位则含义不同。对于二极管来说，第三位的P代表检波管；W代表稳压管；Z代表整流管。上面举的例子，具体来说就是PNP型锗材料低频小功率管。对于进口的三极管来说，就各有不同，要在实际使用过程中注意积累资料。
常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2Sx系列，在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同。 三、 常用中小功率三极管参数表型号
材料与极性
180 2N5401
300 四、用万用表测试三极管（1） 判别基极和管子的类型
选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，先用红表笔接一个管脚，黑表笔接另一个管脚，可测出两个电阻值，然后再用红表笔接另一个管脚，重复上述步骤，又测得一组电阻值，这样测3次，其中有一组两个阻值都很小的，对应测得这组值的红表笔接的为基极，且管子是PNP型的；反之，若用黑表笔接一个管脚，重复上述做法，若测得两个阻值都小，对应黑表笔为基极，且管子是NPN型的。（2）判别集电极
因为三极管发射极和集电极正确连接时β大（表针摆动幅度大），反接时β就小得多。因此，先假设一个集电极，用欧姆档连接，（对NPN型管，发射极接黑表笔，集电极接红表笔）。测量时，用手捏住基极和假设的集电极，两极不能接触，若指针摆动幅度大，而把两极对调后指针摆动小，则说明假设是正确的，从而确定集电极和发射极。（2） 电流放大系数β的估算
选用欧姆档的R*100（或R*1K）档，对NPN型管，红表笔接发射极，黑表笔接集电极，测量时，只要比较用手捏住基极和集电极（两极不能接触），和把手放开两种情况小指针摆动的大小，摆动越大，β值越高。
三极管的B分别和C、E之间形成PN结，而PN结的特性和普通二极管一样，所以用数字万用表二极管档（蜂鸣档）来测试，当测出有单向导电性时，即可判定这是三极管，而场效应管没有这种特性，场效应管正常情况下各极之间都是不导通状态（注意，如果G如果有信号输入或连线比较长时，D和S可能导通，G悬空，D和S之间有可能微导通状态，测试时应注意）。
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三极管是我们在模拟电路学习中遇到的一个基本而又重要的器件，大家对于这个器件的工作原理一定都不陌生。诸如&高电平导通、低电平截止&、&共射放大电路&、&射极跟随器&等等这些定义也都是我们在学习中经常遇到的。但到了实际工作中，不是仅仅知道这些定义就可以顺利完成任务的，诸如&这个三极管是不是好的？&、&怎么快速判断三极管极性&这些问题是书本中很少介绍的，但又是每一名电子从业者或爱好者应该掌握的。我们就从实战的角度为大家介绍三个必须要掌握的&判别方法&。
一、判别三极管的好坏
一、判别三极管的好坏
我们在电路调试过程中遇到问题时，经常需要判断管子性能是不是好的，这时我们可
以借助三用表来进行判断。将三用表调至电阻档，对三极管的三个管脚两两进行测量，共测量六次，若其中两次可以测到电阻值则说明三极管是好的，其他情况是坏的。
二、三极管类型和引脚判别
将万用表调至电阻档；
用万用表的黑表笔与1号引脚接触，红表笔分别接触2、3号引脚，两次是否有电阻值；
用万用表的黑表笔与2号引脚接触，红表笔分别接触1、3号引脚，两次是否有电阻值；
用万用表的黑表笔与3号引脚接触，红表笔分别接触1、2号引脚，两次是否有电阻值；
以上三组测量，如果某一组测量均导通，则黑表笔接触的为基极，三极管为NPN型；
使用二极管档就可以判别出e、c两级；
如果三组测量中，没有一组测量均导通，改用红表笔作为公共端，按2~4步骤进行测量，测出均导通一组的红表笔所接触的引脚为B极，三极管为PNP型，再使用二极管档判断出e和c极。
主要功率元件温升的测量
温升的测量主要包括MOS开关管、变压器、输出整流二极管和输出电容等关键功率元件表面温升的测量，常用的测量仪器有红外测温仪和热电偶测量仪。
这两种测量仪器各有各的优缺点：
红外测温仪利用的红外测温的原理，对测试元件的材料、表面积的平整度、表面积的颜色等有着一定的要求，但是优点是测量起来比较方便，直接手持操作就可以了；
热电偶测量仪利用的是热电偶测温原理，利用两种金属在接点处在不同温度时会呈现出不动的电动势,我们就可根据这很微小的产生的不同的电动势知它们这时的温度，并把温度信号转换成热电动势信号，通过电气仪表（二次仪表）转换成被测介质的温度。在温度测量中，热电偶的应用极为广泛，它具有结构简单、制造方便、测量范围广、精度高、惯性小和输出信号便于远传等许多优点。缺点是在生产中由于被测对象不同，环境条件不同，测量要求不同，和热电阻的安装方法及采取的措施也不同，需要考虑的问题比较多。
个人建议调试时采用红外测温仪测量，生产老化测试时用热电偶进行测量；
三极管工作状态判别
&& 三极管工作过程中，将三用表调至电压档，按下表进行测试，判断工作状态。
原文标题：三极管实战中的的三个“判别”
文章出处：【微信号：fcsde-sh，微信公众号：张飞实战电子】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
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开关：基极有电流，答到一定值，发射极和集电极就有电流。发射极和集电极电流不随基极电流增加而增大！放大：基极控制发射极和集电极的电流大小！放大三极管重点在于放大倍数，B（beta）质，所以参数表一定会表示它，另外一个重点是他的频率范围宽度fT，而电流，电压不是重点开关三极管重点在于驱动电流，【Ib】他如果越小，Ton时间越短，如几个uS，开关速度越快，他也重视电流承载能力与最高耐压。场效应管子在于【VG】，启动电压。
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开关管分两种，信号开关管，功率开关管。信号开关管一般选用三极管。功率开关管可以选用三级管或mos管。
“开关管”一词有两个意思。1是电路中以“开关”方式工作的三极管。这是三极管的一种应用。不是特指某个型号的三极管。2是为开关电源特别生产的三极管，主要特点是通和断的速度快，功率大，电流大，耐压高。
广义的说，三极管都具备开关特性，也就是都可以根据电路需求用来做开关管。狭义的讲，是指开并电源上的电源调整三极管(一般不带阻尼)。C4115（40V、 2A、 400mW ）一般用作音频放大。
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