cmos传输门真值表输入电压对门控信号的影响不理解?

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CMOS传输门输入电压对门控信号的影响不理解?
来源:互联网 &责任编辑:小易 &
网友碰到这么一个问题:CMOS传输门输入电压对门控信号的影响不理解?,具体如下:如图,CMOS传输门,当门极电势与衬底电势如图所示,Ugs(TH)=3V[开启电压=3V]PMOS由于衬底对门极已经有10V的电压,电场强度很大,足够让输入电压导通,相当于源漏极之间一直连着,以下是我的问题:1,为什么所有资料上都写着Uin=3V~10V时pmos管导通,(注意图中衬底没有和源极相连!!)2,开启电压在衬底和源极没有相连的情况下就是代表衬底与门极之间的电压吗,只要电场强度到了,P沟道自然形成,漏源极直接导通?3,电场,我需要知道电场的方向!(源极电势对电场有影响吗?,在不与衬底相连的情况下!)系统通过互联网整理(主要来自百度知道、sogou问问、知乎、360问答等平台)获得以下解决方法,供碰到同样问题的网友参考:答:不是都是高电平,那个圆圈符号你理解错了,那是个逻辑功能标识,不代表里面真的有反相器。CMOS传输门的NMOS和PMOS栅极电压总是相反的,因此不管输入电压是多少都能导通。 TG上面那个圆圈代表输入是反向有效。答:你说的没错,但是这个低阻通道(此时ui与uo之间就可以等效为一个低阻值电阻)也需要输入电压才会有电流通过啊,想通了吗?答:VGS(th)--th就是threshold门限的意思,也就是VIN要大于门限电压。大于0还不足以使沟道导通哦。就像一扇门,打来一点缝隙,还不足以让你顺利通过一个道理。答:所谓传输门(TG)就是一种传输模拟信号的模拟开关。CMOS传输门由一个P沟道和一个N沟道增强型MOSFET并联而成,如上图所示。TP和TN是结构对称的器件,它们的漏极和源极是可互换的。设它们的开启电压|VT|=2V且输入模拟信号的变化范围为-5V到+5V 。...答:CMOS传输门是由一个PMOS和一个NMOS组成的,他们的栅极接出来作为控制端,分别接相位相反的控制电平。由基本的器件知识可以知道,当PMOS的栅极接高电平的时候,PMOS管截止,栅极接低电平的时候PMOS管导通;当NMOS的栅极接高电平的时候,NMOS管导...答:这个很简单啊,控制极加上电压MOS管就导通了埃答:CMOS传输门:又称模拟开关 所谓传输门(TG)就是一种传输模拟信号的模拟开关。CMOS传输门由一个P沟道和一个N沟道增强型MOSFET并联而成 应用范围如下: a.用于数字电路传输:作为基本单元电路,组成逻辑电路,如数据选择器、触发器等。 b.用于模...答:最显著的差异,Hugh Wang 的回答已经提到了。具体来说:NMOS 传输高电平有阈值损(Vtn),低电平则没有;PMOS 传输低电平有阈值损(Vtp),高电平则没有。CMOS 互补结构则利用了上述“互补”特性,传输高低电平时都没有阈值损。 另外还有一点,NMO...答:这个一个互补性传输门。其中T1为nmos;T2为pmos;mos管导通条件是|vgs|-|vth|&0; 那么对于pmos作为开关来说Vg=0,Vs=Vo,Vi=Vo那么根据导通条件,|0-Vi|&|Vthp|,即Vi&|Vthp|; 总之一句话,N管适合传输低电平,P管适合传输高电平。 另外加载在T2...答:如图所示。
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传输门控和逻辑门控锁存器的电路结构有何不同
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传输门控:由控制信号选择输入信号通往下一级的路径。CMOS传输门导通时是低阻态,截止时是高阻态,既可以传输数字信号,也可以传输模拟信号。下图是 D 触发器的结构。逻辑门控:控制信号与输入信号直接进行逻辑运算,运算结果送往下一级电路。
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