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推挽逆变器的原理分析
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　　主电路如图1所示：
　　Q1，Q2理想的栅极（UG1，UG2）漏极（UD1，UD2）波形如图2所示：
　　实际输出的漏极波形：
　　从实际波形中可以看出，漏极波形和理想波形存在不同：在Q1，Q2两管同时截止的死区处都长了一个长长的尖峰，这个尖峰对逆变器/UPS性能的影响和开关管Q1，Q2的威胁是不言而喻的，这里就不多说了。
　　二 Q1，Q2两管漏极产生尖峰的成因分析
　　从图1中可以看出，主电路功率元件是开关管Q1，Q2和变压器T1。 Q1，Q2的漏极引脚到TI初级两边走线存在分布电感， T1初级存在漏感，当然T1存在漏感是主要的。考虑到漏感这个因素我们画出推挽电路主电路等效的原理图如图4所示：
　　从图4中可以看出L1，L2就等效于变压器初级两边的漏感，我们来分析一下Q1导通时的情形：当Q1的栅极加上足够的驱动电压后饱和导通，电池电压加到漏感L1和变压器T1初级上半部分，当然绝大部分是加到T1初级上半部分，因为L1比T1初级上半部分电感小得多。此时Q2是截止的，主电路电流方向为从电池正极到T1初级上半部分到L1到Q1的DS再回到电池的负极;L1上电压的极性为左负右正，T1初级上半部分电压的极性为上负下正推挽式逆变电路_中国百科网
推挽式逆变电路
    
电流馈电推挽式逆变电路如图1-1所示,图中直流电压经电感L1送到变压器Tr的中心抽头，L1与跨接于Tr初级绕组两端的电容C2组成手续谐振电路，R1、R2、C1组成启动电路，其原理同图1-2,由于Np与Nb的正反馈作用，驱动VT1、VT2...
电流馈电推挽式逆变电路如图1-1所示,图中直流电压经电感L1送到变压器Tr的中心抽头，L1与跨接于Tr初级绕组两端的电容C2组成手续谐振电路，R1、R2、C1组成启动电路，其原理同图1-2,由于Np与Nb的正反馈作用，驱动VT1、VT2...
??? 电流馈电推挽式逆变电路如图1-1所示,图中直流电压经电感L1送到变压器Tr的中心抽头，L1与跨接于Tr初级绕组两端的电容C2组成手续谐振电路，R1、R2、C1组成启动电路，其原理同图1-2,由于Np与Nb的正反馈作用，驱动VT1...
推挽式单相逆变电路 很简单的单相逆变电路图。 ...
变压器中心抽头推挽式单相逆变电路 工作原理: ?开关T1、T2轮流导电180度 ?开关管承受的断态电压为? 2VD ?适用于低压小功率、而且直流电源和负载须隔离 输出电压为180度宽的交流方波 当T1导通时，输出电压vab=VD，当T2导...
全桥式逆变电路原理图 ...
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自激推挽逆变电路图 ...
? 单相逆变器电路有推挽式、半桥式和全桥式，其中，以全桥式逆变电路应用最为普遍。单相全桥式逆变电路原理如图(a)所示。(b)图为激励信号和输出电压波形。 ...
收录时间:日 13:08:12 来 源：[标签:来源]作者:[标签:作者]
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23:00:24来源: 21IC 关键字：&&&&
&&& 推挽式如图1-1所示,图中直流电压经电感L1送到变压器Tr的中心抽头，L1与跨接于Tr初级绕组两端的电容C2组成手续谐振电路，R1、R2、C1组成启动电路，其原理同图1-2,由于Np与Nb的正反馈作用，驱动VT1、VT2轮流交替导通。
&&& 在这个电路中，开关晶体管集电极所承受的最高电压约为直流电压VDC的π倍。对于市电电压为110V/120V/127V的美国、日本及我国台湾地区，采用这种电路还是合适的。本电路中晶体管输出为正弦电压，开关损耗较小，变压器次级NS两端输出亦为正弦电压。即使负载开路式短路，负载变化很大，逆变器仍可以连续工作，如图1-1,1-2中即使一个灯管失效，电路仍能正常工作。
&&& Motorola公司1996年生产的一带二灯的电子镇流器就采用这种电路模式，原配灯管为两只32W冷阴极的T8管，所以不需辅助绕组对灯丝加热，其具体电路如图1-2所示。&&& 图中C1、R1及VD1组成启动电路，高频逆变电路由VT1、VT2、变压器Tr、C2等组成，由变压器提供正反馈，使VT1、VT2轮流交替导通与截止。这个电路比较简单，所用组件不多，上述2×32V電路中Tr可用EE35磁心，L1可用EE19磁心，体积与重量均不算大，材料成本也不高。&
&具体电路如图1-2所示
关键字：&&&&
编辑：探路者
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频道白皮书逆变器电路图-逆变器电路图原理详解与电路分析-KIA MOS管
信息来源：本站　日期：　
在进行电源设计时，效率与可靠性都是设计者首先考虑的因素，在设计逆变电源时更是如此。逆变电源可靠性的提升对于新手们来说是一个较为头疼的问题，虽然有资料可供参考，但其中值给出了部分方法，却没有给出一些技巧或原理上的讲解。
先从输入回路的电解电容讲起，逆变器的DC输入电流通常很大。12V1000W的逆变器输入电流最大可达120A以上，此时输入端的电解电容的选择就变得非常关键。如果选择不当，就会造成炸电解电容的故障。
这里并不是指选用一个较好的电容就可以，目前真正的低等效串联电阻与电感值的高频电解为数不多，并且价格昂贵。所以从实用性出发，目前主要靠普通电解多个并联法来降低电容的温升，同时注重风道散热设计来及时降温。当然，在“普通”中选好一点的品牌与品质的电解是必需的。
下面来说说对不同负载特性适应性问题。这里主要分成两个方面来讲。一：是逆变器自身的功率余量、允许最大带载启动输出电流与过流保护措施。二：是对不同特性如感性、容性、负阻性等负载的适应性。
一般如果在技术上没处理好这些问题，产品在使用时就易出现各种问题。
“均流均压”这简简单单四个字里不但包含平衡驱动、PCB布线均衡（布线的DC、AC电阻相等）、还包含了管体散热均温、MOS管的Ron动静态匹配（选管）等问题。
除去并网之外，逆变器的自我保护问题也是影响着逆变器的可靠性。这其中包括限流保护模式、热关断保护、用户操作异常保护、负载异常保护、启动保护等等。
对于原器件的参数设定与选型一样会影响到产品的可靠性。但对MOS管、超快整流二极管来说，不同的封装形式对可靠性的影响有时差别十分明显，需要谨慎对待。
图1是实测的推挽逆变电路的其中一边MOS管的G极波形（1：1蓝）与升压变压器的副边电压波（15：1黄），这是电路处在满载1000WDC+24V输入时的实测波形，可以看到另一路MOS管导通时串入到截止MOS管的G极的干扰尖刺波形。
图2是使用推挽主功率的1/2电路原理图（另一半完全相同），前级为SG3525或UC3846。波形图为采用100KHz、EE55B升压主变、MOS管为早期IRFP150的实验波形，产生此波形的原因在于早期MOS管的“米勒”电容较大。
主变的“振铃尖刺”会通过A相或B相MOS管的结电容，在G极波形之间互串，即蓝色驱动波形中的“毛刺”部分。由于大部分逆变器的MOS管驱动部分的供电与主振荡IC一样，都为单电源供电（用SG3525输出直驱管MOS的同样较为常见），因此驱动波形以0V~+15V方波为多见，此时驱动波形如受到干扰（见上图尖刺部分），如接近达到MOS管的Vth值，对系统的不良影响是非常大的。
如果接近Vth值，那么效率与温升肯定会收到影响。如果采取一般的手段无法有效减低或避免这种干扰时，那么采用负压关断也就非常有必要了。这个问题在专业的量产方案中需要引起研发人员足够的重视。
图3为实测逆变器满载时的推挽A相与B相MOS管的G极波形（1：10），由于采用了+15V开通、-5V关断的驱动方式，同时精选低Qgs的功率MOS管，驱动波形的“尖峰”干扰大为减少，也可看到由于采用了负压关断，满载时从对方相位串扰过来的“毛刺”被有效控制在0V线以内（见于图中红圈标注部分），确保截止时期的MOS管能绝对可靠地截止关断。
在说环路反馈与过流保护前，先来说说结构设计与主功率管的散热问题。
举一个实例：某山寨小企业抄板了某个已成熟的逆变电路，此电路在别人那里反映不错，而在自己这里的产品却炸主功率MOS管的比例较高。摄氏25度环境时，输出满载1000W，10分钟后图4的B处（8个MOS管的中心位置）的温度比A处高出6~8度！C处（绿圈）最低，比B处低14~15度。（C处为进风口，D为风扇，样机为进风设计，据说是用以延长含油轴承的寿命），同样型号并联工作的功率MOS管，实际工作的温差那么大，对“均流”极其不利，所以更提不上高可靠性。
采用康铜丝采样时，由于为了减少损耗，一般输出电压极低，需放大后再作为反馈信号，多用作平均值限流控制，虽然响应速度慢，但却有限流精度高且稳定的优点，当蓄电池电压从14.5V下降到10.5V时，结合对限流值的补偿，可获得较理想的恒定输出功率，不会导致因蓄电池电压下降而影响逆变器的输出功率。
结合散热设计，对MOS管的并联来说，从参数筛选配对（如Ron、Qgs等的误差最好可以小于5%）到每个MOS管的PCB的走线参数（PCB布线的AC、DC阻抗）相近、驱动波形严格相同、工作时的温升变化同步一致等等，当然还有限流保护点的合理选定、装配焊接工艺的各个细节都不能掉以轻心，这样才能保证并联工作时的高可靠性。
电源逆变器使用常见问题
电源逆变器有哪些型号
目前在市场上销售的电源逆变器有 150W、400W、600W、1000W、1500W、2000W、3000W、225W手提式、400W手提式
如何选用合适的型号
选用电源逆变器可以根据您生活和工作中用途来选择。如：150W电源逆变器可以使用一台29寸彩电和一台VCD 机。
400W电源逆变器可以使用一般的电动工具。
1000W电源逆变器可以使用带动一台小型微波炉。
电源逆变器的保护装置有哪些
1） 温度保护。表面温度高于70℃，自动关断
2） 高电压保护。输入电压为16V±0.5V
3） 低电压报警。输入电压为10.5V±0.5V
4） 低电压保护。输入电压为10V±0.5V
联系方式：邹先生
联系电话：6-8022
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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Copyright (C)2015 深圳市可易亚半导体科技有限公司推挽逆变器开关吸收电路研究
发布日期：　　浏览次数：599
　　DOI字段：10.19457/j.170317
& & & 摘要：提出一种适用于推挽式逆变器的有源低损吸收电路。通过加入二极管、电容和辅助开关使吸收电路以极其简单的工作模式发挥了良好的性能。主开关关断时，吸收模块为回路电感的放电提供续流旁路，吸收电压尖峰；辅助开关导通时，吸收电容的能量将回馈至直流电源。结合Matlab/Simulink 仿真结果，分析了吸收电路的工作原理和参数的选取依据，并实验验证了吸收电路的有效性。& & &关键词：推挽逆变器；开关损耗；浪涌电流；关断电压尖峰；吸收电路& & &中图分类号：TM402 &&文献标识码：A