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开关电源用三极管好坏的测量
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开关电源用三极管好坏的测量">开关电源用三极管好坏的测量
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& 硬件研发论坛(Hardware R&D Forum)
& 三极管做开关时为什么要工作在饱和区?
论坛升级中，停止回贴功能
等级：研发工程师帖子：81被删：-3经验：547RD币：330来自：上海&南汇注册：
&|&&|&&|&　发表于 14:05:221#
此页为旧版论坛，仅供浏览，请访问新版论坛：
三极管做开关时为什么要工作在饱和区而不是放大区？谢谢！[52RD.com]
等级：研发工程师帖子：81被删：-3经验：547RD币：330来自：上海&南汇注册：
&|&&|&&|&　发表于 19:12:482#
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经过一天的努力，我自己给出上面的答案。从三极管的输出特性曲线（自己找啦）可以看到，当三极管处于饱和区时，其饱和压降就会变的很小。由此来计算集电极的损耗Pcm=Uce*I，因为Uce很小所以其Pcm就很小，当三极管截止时，Uce达到最大，但是Ic却很小（可以忽略），所以Pcm仍然很小。由此得到的结论是，集电极损耗最大不是出现在饱和区也不是截止区。再从开关特性上来讲，我们所希望的开关是在导通状态小导通压降越小越好，截止时漏电流越小越好。结论：如果用三极管做开关则必须使其工作在饱和状态下！以上仅代表个人观点。
等级：研究员帖子：803被删：-25经验：3603RD币：422.6来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 20:02:233#
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等级：研发工程师帖子：59被删：0经验：297RD币：39来自：深圳&龙岗注册：
&|&&|&&|&&|&　发表于 22:29:114#
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现在都用MOS管做开关管了吧？关于三极管做开关的还真的研究的比较少。
等级：高级工程师帖子：281被删：-5经验：1072RD币：3091.6来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 23:16:455#
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用MOS管+PWM控制开关啊，三极管。。好像比较少见哎～
等级：研发工程师帖子：92被删：0经验：320RD币：17.6来自：上海&浦东注册：
&|&&|&&|&　发表于 11:43:176#
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我是进来学习的，呵呵
等级：高级工程师帖子：231被删：-1经验：3080RD币：793.1来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 1:55:477#
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为什么饱和状态下压降会很小？
添乐等级：资深工程师帖子：475被删：-8经验：3824RD币：1306来自：火星注册：
&|&&|&&|&&|&　发表于 16:54:578#
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处处留心皆学问啊！！ 多看看 以前的书 对自己 真是大有裨益
等级：助理工程师帖子：27被删：0经验：147RD币：17.1来自：深圳&南山注册：
&|&&|&&|&　发表于 12:10:009#
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另外，选用三极管做开关的时候还要注意电阻的选择，合适的基极电阻和集电极电阻才能使三极管工作在饱和区和截止区，电阻不能太大，也不能太小，太大了开关延时很大，太小漏电流太大，具体要算一下
等级：助理工程师帖子：39被删：0经验：743RD币：372.9来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 19:47:5810#
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看什么情况下，MOS管是电压驱动，三极管还需要一定的电流驱动
等级：研发工程师帖子：78被删：0经验：316RD币：77.4来自：浙江&杭州注册：
&|&&|&&|&　发表于 20:04:5511#
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npn是由于BC的PN结正偏导致饱和还是饱和导致BC的PN结正偏？
等级：资深工程师帖子：392被删：0经验：1548RD币：101.6来自：火星注册：
&|&&|&&|&　发表于 13:03:4512#
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等级：高级工程师帖子：194被删：0经验：642RD币：37.2来自：湖北&武汉注册：
&|&&|&&|&　发表于 22:45:2913#
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that\'s right!
等级：助理工程师帖子：31被删：0经验：183RD币：29.7来自：广东&广州注册：
&|&&|&&|&　发表于 23:02:4314#
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good....screen.width-500)this.style.width=screen.width-500;">
添乐等级：资深工程师帖子：475被删：-8经验：3824RD币：1306来自：火星注册：
&|&&|&&|&&|&　发表于 15:56:0015#
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9楼的说的很对！！
等级：资深工程师帖子：340被删：-13经验：1028RD币：175.7来自：广东&深圳注册：
&|&&|&&|&　发表于 18:03:5916#
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就是这样的为什么用于开关电源的开关管一般用MOS管而不是三极管
1.MOS管损耗比三极管小，导通后压降理论上为0。
2.MOS管为电压驱动型，只需要给电压即可，意思是即便串入一个100K的电阻，只要电压够，MOS管还是能够导通。
3.MOS管的温度特性要比三极管好。
MOS管比三极管最大的有点是所需的驱动功率小，用MOS管做电源驱动时，只需要一个驱动电压信号即可，就可以控制很大的电源电流了（几安培到几十安培），控制很方便，如果用三极管，需要几级推动电路，将控制电流逐步加大，也就是多级放大，常见的方式是达林顿电路，这样在设计电路时就很繁琐了，调试也费劲。
三极管（BJT）是电流控制器件，MOS是电压控制器件，三极管需要较大的控制电流，很多时候需要逐级放大，而MOS管的栅极电流极小，几乎可以忽略，再加上MOS管饱和导通时产生的压降比BJT饱和压降低，所以耗散功率小，效率也更高，所以一般的功率开关管会选择MOS管而不是BJT。
不过MOS管并不是没有缺点的，由于MOS管的栅电容的天然缺点，会影响它的开关速度，同样用途的管子，一般BJT要比MOS的速度更快。
另外MOS管的输入阻抗接近无穷，所以最大程度的分压，用作开关静态时，漏电小，功耗小，可靠。
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硬件必会之三极管实用解析
本文为面包板社区博主ASDK原创。
本文你可以获得什么?
1、学会实际工程应用中常用的三极管电路(以英特尔公司经典电路为例);
2、学到推挽电路，并且了解非常重要的拉电流和灌电流的来源及概念;
3、数字集成电路畅行的年代，为什么还需要学习模拟知识，背后的逻辑又是什么?
晶体管或许可以说是整个电子信息系统以及集成电路的基石。三极管电路也是最为常见的电路模块，其应用也极为灵活。我记得前几年看过晶体管设计一书中，有一段话我一直印象很深刻，大致意思是说，如果想制作一个电路，只需要将几个IC组合起来，起振复位上电源大体就可以简单地完成了。
但是，如果掌握了晶体管和MOS管的相关知识后，对于电路系统的认识将会大为不同。因为，以IC为单位作为黑盒子来考虑，此时IC被一定程度上认为是理想器件，但是，以单个晶体管放大电路为例，电压增益是有限的，输入电流是以基极电流的形式存在并不是理想放大器的0电流，但是我们懂得晶体管后，我们可以知道其内部结构，通过内部结构，我们结合外部电路，能够帮助我们更好的理解分析，调试电路。
1. 三极管的开关电路
开关电路应用的普遍性就不用我多讲了。输入电压Vin控制三极管开关的开启
(open) 与闭合(closed) 动作，当三极管呈开启状态时，负载电流便被阻断，反之，当三极管呈闭合状态时，电流便可以流通。详细的说，当Vin为低电压时，由于基极没有电流，因此集电极亦无电流，致使连接于集电极端的负载亦没有电流，而相当于开关的开启，此时三极管工作在截止(cut off)区。
同理，当Vin为高电压时，由于有基极电流流动，因此使集电极流过更大的放大电流，因此负载回路便被导通，而相当于开关的闭合，此时三极管工作在饱和区(saturation)。
图1 基本三极管开关
一般而言，可以假设当三极管开关导通时，其基极与射极之间是完全短路的。
应用实例：
下图是英特尔公司某块主板中电路图的一部分，就是一个典型的三极管应用电路。
图2 三极管开关电路应用实例
电路分析：
当A为高电平时，三极管1导通，所以输出B点跟发射极电平相同，为低电平;因为B为低电平，所以三极管2截止，输出C为高电平。
当A为低电平时，三极管1截止，所以输出B点为高电平;因为B为高电平，所以三极管2导通，输出C为低电平。
2. 三极管的推挽型射极跟随器
由于射极带负载电阻的射极跟随器，在输出很大电流时也就是阻抗较低情况时，输出波形的负半轴会被截去，不能得到完整的输出最大电压而失真。为提升性能并改善这个缺点将发射极负载电阻换成PNP管的射极跟随器电路称之为推挽射极跟随器。
【电路分析】
由于上边的NPN晶体管将电流&吐出来&给负载(对应推，source current)，PNP晶体管从负载将电流&吸进来&(对应挽，sink current)，所以称为推挽(push-pull)。但是此电路的缺点是在0V附近晶体管都截止，会产生交越失真。推挽电路以及拉电流、灌电流是实际工程系统中非常重要的概念，通过此电路学习理解此概念非常易懂。
交越失真是指正弦波的上下侧没有连接上的那部分，此失真的原因在于晶体管的基极都是连在一起的，所以基极电位是一样的。当输入信号在0V附近时，基极-发射极间没有电位差，因此没有基极电流的流动。也就是，此时两个晶体管都是截止的，并没有工作。
另外，即便是基极上加上了输入信号，对上侧在基极电位比发射极电位高0.6V以前，也不会工作。反之，对于下侧晶体管的基极只有比发射极低0.6V以后才能工作。所以，体现在波形上就会产生一个交越失真的盲区。
不过，此电流稍加修改就是一个很好用的电路了，思路很简单，用两个二极管在每个晶体管的基极上加上大概0.6V的二极管的正向压降--补偿电压，就可以抵消晶体管的盲区了。如下图所示：
此电路用两个二极管的压降抵消晶体管的基极-发射极间的电压Vbe，可以认为晶体管的空载电流几乎为0。所以当不存在信号时，就也没有晶体管的发热问题。顺便提一下，这个电路中在输出状态总有一个晶体管处于截止状态的电路称之为B类放大器，举一反三的，如果只有一个管子且晶体管常进行工作的电路称之为A类放大器。
这样一来，射极跟随器-推挽电路-拉电流，灌电流-A类放大器，B类放大器，这些知识就可以串起来了，那么有没有想过同样非常常用的D类放大器?又有什么样的特点呢?
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请问三极管做电源开关怎么用?
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你好，要使三极管工作于开关的断开状态，就应该使之工作于截止区，发射极电流iE=0，这时晶体三极管处于截止状态，相当于开关断开。集电结加有反向电压，集电极电流iC=ICBO，而基极电流iB=-ICBO。说明三极管截止时，iB并不是为0，而等于-ICBO。基极开路时，外加电源电压VCC使集电结反向偏置，发射结正向偏置晶体三极管基极电流iB=0时，晶体管并未进入截止状态，这时iE=iC =ICEO还是较...
你好，要使三极管工作于开关的断开状态，就应该使之工作于截止区，发射极电流iE=0，这时晶体三极管处于截止状态，相当于开关断开。集电结加有反向电压，集电极电流iC=ICBO，而基极电流iB=-ICBO。说明三极管截止时，iB并不是为0，而等于-ICBO。基极开路时，外加电源电压VCC使集电结反向偏置，发射结正向偏置晶体三极管基极电流iB=0时，晶体管并未进入截止状态，这时iE=iC =ICEO还是较大的。晶体管进入截止状态，晶体管基极与发射极之间加反向电压，这时只存在集电极反向饱和电流ICBO，iB =-ICBO，iE=0，为临界截止状态。进一步加大基极电压的绝对值，当大于VBO时，发射结处于反向偏置而截止，流过发射结的电流为反向饱和电流IEBO，这时晶体管进入截止状态iB = -(ICBO+ IEBO)，iC= ICBO。发射结外加正向电压不断升高，集电极电流不断增加。同时基极电流也增加，随着基极电流iB 的增加基极电位vB升高，而随着集电极电流iC的增加，集电极电位vC却下降。当基极电流iB增大到一定值时，将出现vBE =vCE的情况。这时集电结为零偏，晶体管出现临界饱和。如果进一步增大iB ，iB增大，使得集电结由零偏变为正向偏置，集电结位垒降低，集电区电子也将注入基区，从而使集电极电流iC随基极电流iB的增大而增大的速度减小。这时在基区存储大量多余电子-空穴对，当iB继续增大时，iC基本维持不变，即iB失去对iC的控制作用，或者说这时晶体管的放大能力大大减弱了。这时称晶体管工作于饱和状态。一般地说，在饱和状态时饱和压降VBE(sat)近似等于0.7V，VCE(sat)近似等于0.3V。集电极电流iC的增加受外电路的限制。由电路可得出iC的最大值为ICM= VCC/ RC。晶体管进入饱和状态，基极电流增大，集电极电流变化很小，即iC=ICS=(VCC-VBE(sat))/RC晶体管处于临界饱和时的基极电流为IBS=ICS/β=(VCC-VBE(sat))/βRC希望以上能够帮到你啊
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