反相输入的放大电路反馈电阻上并联的电电容值如何确定
反相输入的放大电路反馈电阻上并联的电电容值如何确定
这个数可以计算的,也就是利用复阻抗的计算办法,结合基本运算放大电路（积分等）进行计算,不过过程很复杂.实际中,简单的话就用仿真来做,也就是不断用EDA软件去模拟.（类似穷举法或者凑数法）如果频率不高,器件质量好的话,得出的结果差不多的.你要研究这个的话,最好先看一下关于运算放大器的经典教材（好像是国外教材）,然后再根据给出的一些经验数据,在这些数据附近仿真,以求得最佳解.
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降低放大器的带宽.(对交流信号有用,对直流信号无用)带宽就是指放大器在某一频率范围内放大能力接近.那么这个范围就是带宽.不同容量的电容对不同频率的交流信号有不同阻抗.放大器上的反馈电容容量一般比较小,对高频信号呈现低阻,所以高频时反馈量大,增益降低.从而使放大器在某个频率开始就放大能力下降,那么放大器的带宽就被限制了.
负反馈电阻 是用来稳定静态工作点用的 抑制温飘 并联电解电容多是交流旁路电容 为交流信号提供通路 并联瓷片电容 多是防止电路自激 又叫做 防振电容
不同频率的信号经过电容都会产生不同程度的相移与衰减如果你利用的是其衰减,那么就是滤波如果你利用的是其相移,那么就是补偿
对于初学者,建议用NPN管如等,当你真正理解了三极管放大电路的原理后,PNP或NPN都不是问题了.你是要做电压放大,就是电流放大电路?以NPN做电压放大电路为例,采用固定偏置方式静态工作点更稳定,即B接RB1到电源接RB2到地,RB1 > RB2,几十Kohm即可,E极接RE到地,引入电流串联负反馈稳
电压放大与电流放大呀.
差分放大电路RE上的直流电流IEQ近似等于单管集电极电流ICQ（B、2 ）倍 根据差分电路的特点,流经RE电阻的电流,就是两个差分管的集电极电流,且电路要求两差分管的集电极电流基本相等,所以RE的电流近似于单管集电极电流ICQ的2倍. 再问： 多谢！！
LM358属于低频的运放他的带宽积只有1M,如果你发射超声波频率的达到20K（音频20Hz-20KHz）以外（40K左右）如果以40K为例你的放大器的最大放大倍数也就是25倍（在标准电压下）如果你采用反馈电路那么高的频率（频率并不高对于运放高）开环增益本身已经只有25倍,即使是5倍的放大运放也够不成深度负反馈,考虑一下
将Q点设置在中点左右是合适的工作点,此时在不超过放大电路的最大不失真输出的情况下,与空载时相比负载输出电压的幅度会明显下降.
串连电容,那么只有交流信号可以通过,直流信号被截止,并连电容,可以抑制一些干扰信号.
1为什么要选电解电容?因为要通过低频信号,所以要选大容量电容,最便宜的大电容就是电解电容,所以普遍采用.2.只能通过半个周期的交流电?这是一个错误的认识,电解电容的正负只是针对直流量而言的,对于交流量,它和其它电容没什么区别.3.分什么要像书上那样接?就像上面说的那样,电解电容的正负是针对直流量而言的,而电源是主要的直
aa为什么要选电解电容?因为要通过低频信号,所以要选大容量电容,最便宜的大电容就是电解电容,所以普遍采用. 2.只能通过半个周期的交流电? 这是一个错误的认识,电解电容的正负只是针对直流量而言的,对于交流量,它和其它电容没什么区别. 3.分什么要像书上那样接? 就像上面说的那样,电解电容的正负是针对直流量而言的,而电源
给你一个参考电路.本电路中Rc用1至2K欧,发射极电阻Re用300欧姆,上偏置电阻用50K欧,下偏置电阻用10K欧.供电用6V时,静态工作电流约为1mA.
发个图来撒. 再问： 好像叫电容 再答： 如果你的是个直流小电机，那就是滤波电容。如果是220V的单相电机，那个是启动电容，你可以这样理解，电机有两组线圈，在刚通电的短时间内，它使与之串联的线圈先得电，启动后，与之并联的线圈才得电运行，这时候，电容和与之串联的线圈基本不做功。这个电容改变接线方式可以调整正反转。再问：
高频旁路电容,将由市电的高频干扰旁路掉
共射极放大电路中输入端和输出端的电容称为（耦合电容 ） ,作用是（隔直流通交流）. 理想运算放大器的四大特性为（输入电阻无穷大 ） 、（输出电阻为零）、（开环放大倍数无穷大）、（两个输入端等电位、虚短；无电流、虚断）.
极性电容用做耦合电容的前提是：正极的电压一定要比负极的电压高.虽然电解电容正极性的电压始终比负极性的电压高,但是这个压差的大小是随着输入信号的大小变化而变化的,所以就能将这个电压的变化量传递到下一级电路.
1.要短路就是加几个电容也没用!2.主要是滤掉电磁感应,实际此作用较小!3.可去掉,没影响!
两级阻容藕和电路的藕合电容,为了能获得较低频率的信号,则电容容量要选择大一点,旁路电容可取4.7uf藕合电容可取10uf
隔绝直流分量.通俗点说,如果前面接了个相同电路的输出,这个电容可使电路免受前级静态工作电压的影响.小功率的前级放大,这个电容可省您的位置： >
　　什么是二极管的电容效应？
　　二极管具有电容效应。它的电容包括势垒电容CB和扩散电容CD。
　　1．势垒电容CB（Cr）
　　PN结内缺少导电的载流子，其电导率很低，相当于介质；而PN结两侧的P区、N区的电导率高，相当于金属导体。从这一结构来看，PN结等效于一个电容器。
　　事实上，当PN结两端加正向电压时，PN结变窄，结中空间电荷量减少，相当于电容&放电&，当PN结两端加反向电压时，PN结变宽，结中空间电荷量增多，相当于电容&充电&。这种现象可以用一个电容来模拟，称为势垒电容。势垒电容与普通电容不同之处，在于它的电容量并非常数，而是与外加电压有关。当外加反向电压增大时，势垒电容减小；反向电压减小时，势垒电容增大。目前广泛应用的变容二极管，就是利用PN结电容随外加电压变化的特性制成的。
　　2．扩散电容CD
　　PN结正向偏置时，N区的电子向P区扩散，在P区形成一定的非平衡载流子的浓度分布，即靠近PN结一侧浓度高，远离PN结的一侧浓度低。显然，在P区积累了电子，即存贮了一定数量的负电荷；同样，在N区也积累了空穴，即存贮了一定数即正电荷。当正向电压加大时，扩散增强，这时由N区扩散到P区的电子数和由P区扩散到N区的空穴数将增多，致使在两个区域内形成了电荷堆积，相当于电容器的充电。相反，当正向电压减小时，扩散减弱，即由N区扩散到P区的电子数和由P区扩散到N区的空穴数减少，造成两个区域内电荷的减少，、这相当于电容器放电。因此，可以用一个电容来模拟，称为扩散电容。
　　总之，二极管呈现出两种电容，它的总电容Cj相当于两者的并联，即Cj＝CB + CD。二极管正向偏置时，扩散电容远大于势垒电容 Cj&CD ；而反向偏置时，扩散电容可以忽略，势垒电容起主要作用，Cj&CB 。
　　电容缓冲电路该如何设计？
　　功率开关是所有功率转换器的核心组件。功率开关的工作性能直接决定了产品的可靠性和效率。若要提升功率转换器开关电路的性能，可在功率开关上部署缓冲器，抑制电压尖峰，并减幅开关断开时电路电感产生的振铃。正确设计缓冲器可提升可靠性和效率，并降低EMI。在各种不同类型的缓冲器中，电阻电容（RC）缓冲器是最受欢迎的缓冲器电路。本文介绍功率开关为何需要使用缓冲器。此外还提供一些实用小技巧，助您实现最优缓冲器设计。
　　图1： 四种基本的功率开关电路
　　有多种不同的拓扑用于功率转换器、电机驱动器和电灯镇流器中。图1显示四种基本的功率开关电路。在所有四种基本电路中&&事实上在大部分功率开关电路中&&蓝线以内表示的是同样的开关二极管电感网络。该网络在所有这些电路中均具有相同的特性。因此，可利用图2中的简化电路进行开关瞬变时针对功率开关的开关性能分析。由于开关瞬变期间，电感电流几乎不变，因此采用电流源代替电感，如图所示。该电路的理想电压和电流开关波形同样如图2所示。
　　图2 简化的功率开关电路及其理想开关波形
　　MOSFET开关关断时，它两端的电压将上升。然而，电流IL将继续流过MOSFET，直到开关电压到达Vol。二极管导通后，电流IL开始下降。MOSFET开关导通时，情况相反，如图所示。这类开关称为&硬开关&。开关瞬变期间，必须同时支持最大电压和最大电流。因此，这种&硬开关&会使MOSFET开关承受高电压应力。
　　图3 MOSFET开关关断瞬变时的电压过冲
　　在实际电路中，开关应力要高得多，因为存在寄生电感（Lp）和寄生电容（Cp），如图4所示。由于PCB布局与走线，Cp包含开关输出电容和杂散电容。Lp包含PCB路由寄生电感和MOSFET引线电感。这些来自功率器件的寄生电感和电容组成滤波器，并在关断瞬变发生后立即产生谐振，从而将过量电压振铃叠加到器件上，如图3所示。若要抑制峰值电压，可在开关上部署一个典型RC缓冲器，如图4所示。电阻值必须接近需减幅的寄生谐振阻抗值。缓冲器电容必须大于谐振电路电容，同时又必须足够小，以便将电阻功耗保持在最低水平。
　　图4： 电阻电容缓冲器配置
　　如果功耗并非关键因素，那么有一种方法可以快速设计RC缓冲器。由经验可知，选择缓冲器电容Csnub，使其等于开关输出电容值与安装电容估算值之和的两倍。选择缓冲器电阻Rsnub ， 所以：
　　Rsnub上的功耗可估算如下（给定开关频率fs）：
　　当这一简单的经验设计不再限制峰值电压时，便可执行优化步骤。
　　优化RC缓冲器： 在那些功率损耗很重要的应用中，应当采用优化设计。
　　首先，测量MOSFET开关节点（SW）在关断时的振铃频率（Fring）。在MOSFET上焊接一个100 pF低ESR薄膜电容。增加电容，直到振铃频率为初始测量值的一半。现在，由于振铃频率与电路电感和电容乘积的平方根成反比，开关总输出电容（增加的电容与初始寄生电容之和）增加四倍。因此，寄生电容Cp为外部所增加电容值的1/3。现在，式通过下可获得寄生电感Lp：
　　一旦求出寄生电感Lp和寄生电容Cp，缓冲器电阻Rsnub和电容Csnub便可根据下列计算进行选择。
　　如果发现缓冲器电阻值过低，可对其进一步微调以降低振铃。
　　Rsnub上的功耗（给定开关频率fs）等于。
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( 发表人：易水寒 )
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电路中，如何确定要用多大容量的电容？
电容在电子电路中的用途有很多，其用途不同，选取方法也不同。譬如，谐振电路中的电容，都是根据所需的频率，用公式计算出电容量，而电源滤波电容一般都是根据经验及负载电流的大小来选取电容量。由于提问者问的太宽了，这里不可能逐一回答各种电路中电容量的选取，下面我们只介绍一下最常用的电源电路中的滤波电容的选取方法。▲ 桥式整流滤波电路及其输出电压波形。上图为常用的桥式整流滤波电路的原理图。图中RL为负载，C为滤波电容。这个电路中，若不加滤波电容C，则负载RL两端的电压的波形如右图虚线所示，为脉动直流，其大小是在不断的变化。加入滤波电容C后，RL两端的电压变得比较平滑、稳定。一般情况下，在一定范围内滤波电容C越大，RL两端的电压越稳定，当电容C的容量达到一定值之后，再增大其容量，滤波效果就不那么明显了，故滤波电容C的容量也不是越大越好（一般滤波电容越大，其体积也就越大，价格也就越高）。在整流滤波电路中，滤波电容C的大小一般都是根据负载的性质及其工作电流的大小来选取的。①、若负载是一个工作电流只有数十mA的指示灯，其对供电电压波形要求不高，一般选用100～220μF的电解电容即可；②、若负载电流在100mA左右，滤波电容可用220～470μF的电解电容；③、若负载电流在0.1～0.5A，用470μF或680μF的滤波电容；④、若负载电流在0.5～1A，则选用1000μF的滤波电容；⑤、若负载电流在1A左右，选用2200μF的电解电容；⑥、负载电流在2A左右，则选用4700μF的电解电容。顺便说一下，由于大容量的电解电容，大都是作为电源滤波使用，其对电容量要求并不是很高，故市场上能买到的大容量的电解电容就那么几种常用的标称值。譬如，负载电流在1A左右的整流电路，一般选用2200μF的铝电解电容，若想选用一个容量大一些的电解电容来提高滤波效果，那就只有选用3300μF的电解电容了，因为像2400μF、2700μF的电解电容市场上很难买到。▲ 2200μF/35V铝电解电容的外形。上图为2200μF/35V的铝电解电容。这种电容是有极性的，新的铝电解电容，其引脚短的为负极。使用电解电容时，正负极不要接错，否则很容易损坏之。另外，作为滤波的电解电容，在选用时，其耐压值要比该电容两端的最高电压至少要高1.2～1.5倍。▲ 100nF的瓷片电容。由于铝电解电容的高频滤波效果很差，对于一些给IC供电的电源电路，为了使IC能够稳定可靠的工作，一般都在铝电解电容两端并联一个100nF左右的瓷片电容来对各种高频杂波进行滤波。若想了解更多电子电路知识，请关注本头条号，谢谢。 11:30
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起滤波作用的,具体要看你怎么接,能接成高通滤波也能接成低通滤波.至于配电感和电容的话要看你具体的要求结合对应的仪器来调试.就是从电子仿真出来的电感电容参数,实际做出来的效果也有出入.因为电感的磁芯材质,绕线工艺,还有电容的材质和频率特性等有很大的关系.
采纳率：40%
阻断低频和直流，让高频通过。电感电容取值要由通过的频率确定
起滤波作用，电感和电容值要看用在什么电路。
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我看了一些资料，自己理解了一下 不知道有没有错误，请高手指正。
由于电容的特性通交流隔直流，因为交流电不断的对电容的充放电，所以使电容的内部能够有电荷（交流电怎么对电容充放电我不能理解），而复位电路中的VCC是直流电，它只能给电容充一次电，但是...
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电阻的作用不是限制电流的大小,而是控制复位时间.电容充电时间与R C的值成正比．复位电路中的电容只是在上电那一会儿起作用，充电瞬间电容有电流流过，所以RST端得到高电平，充电结束后没有电流了，则RST端变为低电平。晶振电路在单片机内部有相应的电路，电路里一定会有电源的。让复位端电平与电源电平变化不同步让复位端电平的上升落后于电源电平的上升，在一小段时间内造成这样的局面：1. 电源达到正常工作电源2. 复位电平低于低电平阈值（被当作逻辑0）这种状态就是复位状态。仅用一个电阻是不可能同时实现这两条的。复位，就是提供一个芯片要求的复位条件，一般是N个机器周期的固定电平。低电平复位就是芯片可正常工作后保持N个以上周期的低然后变高即可。高电平复位就是芯片可正常工作侯保持N个周期以上的高然后变低即可。
采纳率：95%
来自团队：
电阻的作用不是限制电流的大小,而是控制复位时间.电容充电时间与R C的值成正比．
本回答被提问者和网友采纳
由于电容的阻抗对直流而言比较大，当复位开关未按下时，通过电容和电阻分压使得RESET端为低电平，当按下复位键时，通过两个电阻分压在RESET为高电平，从而实现复位（或者理解为电容的充电时间不同）
对，电阻的作用就是限制电流的大小。串联的，电阻越大，对电容的充电就越慢，周期就越慢。并联的，电阻越大，对电容的充电就越快，周期就越快。
错！其实就是个延时电路！用来提供可靠的复位时间
你说的是单片机的阻容复位法
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