地址是内储存器各存储单元的编号,现有一个32KB的存储器,用十六进制表示地址编码,则地址码应从0000H 到
问题描述：
地址是内储存器各存储单元的编号,现有一个32KB的存储器,用十六进制表示地址编码,则地址码应从0000H 到A．32767 B．8000H C．7EEEH D．7FFFH
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选B,7FFF.1个地址用1个字节来表示,所以32KB一共可以表示32*个地址.不过由于地址是从0开始的,所以地址范围是0~32767.那么我们接下来的任务只需要把32767化成十六进制就可以了.方法是：除以16,取余,逆序输出.如图：
十六进制啊,你一点都不懂么十进制的10等于十六进制的A,那15就是F,16就进一位是10255就是FF,推算一下吧
32K=0实际地址从0x0000开始计算的,所以32K的结束地址是0xx7FFF
嘿嘿 是自己编的题吧 对64KB的存储器用十六进制对它的地址进行编码 其地址范围只能是0000H~FFFFH.即起始编码只能是0000H.如果采用17位的地址线进行编码,则起始编码可以使10000H.它的末地址的末地址1FFFFH.方法：高位地址线做片选 低位地址线做片内地址选择 最高位（经反向后）做片选 其余16位地
你的问题问的有些混乱,起始编号为0000H,我是否可以理解为地址编码是16bit位宽?那你打算每个存储单元存储几位二进制数据?首先你得弄清楚每个存储单元的位宽,然后才能确定地址编码位宽,或者由后者推算前者.计算方法如下,你根据自己的情况看怎么算吧：假设地址编码位宽为n,每个存储单元存储位宽为m,那么总的存储空间v（你是
7FFFH 16位就是64K 也就是0xFFFF 32K 为7FFF 高位 1111=F 处以2 变（16进制）低位不变
4FFFHKB=16*96+=H-1H=4FFFH
我的理解是0000H~FFFFH即为共有2^16个地址,所以为2^6K即64K
段地址和偏移地址为A的存储单元的物理地址是什么?20000 + 217A = :10EA的存储单元物理地址又是什么?21090 + 10EA = 2217A.说明了什么问题?同一个物理地址,可以同时处于不同的段.
地 址 ：北京市建国门内大街甲九号邮 编 ：100740 电 话 ：010- 网 址 ：www.cnta.gov.cn
物理地址=段地址*16+偏移地址.即=8AH=8017AH
1K=2的10次方,那么64K=2的16次方,即十六位,那么从0000到FFFF
神经元是一类特殊的细胞，是神经系统结构和功能的基本单位，由细胞体和突起两部分组成，细胞核在细胞体里，突起包括轴突和树突两种．神经元的功能是受到刺激后能产生并传导兴奋．（1）如图表示神经元的模式图，它是神经系统的结构单位．（2）图中结构名称；①树突，②细胞体，③轴突．（3）神经元的功能是受到刺激后能产生并传导兴奋．故答案
MCS-51 单片机的存储器地址空间,讲起来,要用几页.简单介绍如下：MCS-51的存储器有片内RAM、片外RAM 和 ROM 三个空间.片内RAM：地址范围是00H到7FH （52系列延伸到FFH）.其中00H到1FH,共32字节,分成四个工作寄存器区,每区有寄存器 R0~R7.对此区域,可以使用 R0~R7 来操作
把这10个相同的纸箱平均分成两组,一组按1,2,3,4,5编号,另一组按一,二,三,四,五编号；在每个纸箱里取小球个数与其编号相同（如：三号纸箱取三个小球）,取出的小球按组分别天平两端,只秤一次,就能把较轻的那盒找出来.举例说明：假设天平左端放的是从编号为1,2,3,4,5的纸箱里取出的小球,右端放的是从编号为一,二,
听雨喜欢听雨,因为雨声是一种与繁杂的社会格格不入的天簌之声,永远牵动我内心深处那一份纯真,被雨水洗过的净土. “随风潜入夜,润物细无声”是小雨的骄柔,是小雨的多情,是小雨的缠缠绵绵.这种雨声不仔细听是听不到的；不静下心,心无杂念地听是听不到的.这种雨声好似夜晚的茉莉花飘出的淡淡清香,似有似无,虚幻缥缈,想伸手去抓却早已
Haidian District,Beijing,49 West Fourth Ring Road Central Television Television House floor,North
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南京工业大学微机原理试题
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第4章 存储器专用课件.ppt 93页
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4.2 读写存储器RAM 一、RAM的原理(主要介绍SRAM静态RAM) SRAM主要由存储体和外围电路构成如下图
是存储0或1信息的电路实体，它由许多存储单元组成，每个存储单元赋予一个编号，称为单元地址号。而每个单元由若干个二进制位组成，每个二进制位为一个基本存储电路。例：1K*8位存储器，容量为1024*8位，它有1024个存储单元，每个存储单元可以存储8位二进制数。
二、动态存储器DRAM 1、基本存储单元 （2）项目说明：项目需要系统地址总线20位（A0～A19）,数据总线8位（D0～D7），控制信号为RD、WD、M/I0。 ①需要存储芯片数及地址信号线的分配 ●8KB ROM需要2片2732构成。 ●地址信号线的分配
②地址范围确定 用74LS138作片选译码器，其输入、输出信号的连接要根据存芯片的地址范围来确定。 3．项目电路原理图
项目电路原理图如图4-9所示。电路由2片EPROM2732芯片、1片74LS138译码器芯片和门电路等组成。 图4-9
电路原理图
AB地址总线A0~A19 DB数据总线 CB控制总线 A0~A11 A B C G2B G2A G1 Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7 20根 A0~A19 A15 A14 M/IO A13 A12 74LS138译码器
D0~D15 ? A16 8086CPU的三种总线与ROM2732详细的连线图 A18 A17 A19 OE D0 D7 ~ CS 2732(1) FC000H~FCFFFH A0 A11 ~ OE D0 D7 ~ CS 2732(2) FD000H~FDFFFH A0 A11 ~ A0~A11 D0~D7 D0~D7 RD
3．电可擦除可编程只读存储器EEPROM
EEPROM是一种新型的ROM器件，也是近年来被广泛应用的一种可用电擦除和编程的只读存储器，其主要特点是能在应用系统中进行在线读写，并在断电情况下保存的数据信息不会丢失，它既能象RAM那样随机地进行改写，又能象ROM那样在掉电的情况下非易失地保存数据，可作为系统中可靠保存数据的存储器。其擦写次数可达1万次以上，数据可保存10年以上，使用起来比EPROM要方便的多。另外，EEPROM可以清除存储数据和再编程。
由于EPROM操作的不便，后来出的主板上BIOS ROM芯片大部分都采用EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦除可编程ROM)。EPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是以电子信号来修改其内容的，而且是以Byte为最小修改单位，不必将资料全部洗掉才能写入，彻底摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚；字节的编程和擦除都只需要10ms。EEPROM在写入数据时，仍要利用一定的编程电压，此时，只需用厂商提供的专用刷新程序就可以轻而易举地改写内容，所以，它属于双电压芯片。
Intel公司生产的28系列EEPROM是电可擦除只读存储器，即可像RAM哪样可读可写，又具有ROM在掉电后仍能长期保持所存储的数据，因此，它被广泛用作单片机的程序存储器和数据存储器。常用的EEPROM的芯片引脚和容量如表4-3所示，芯片管脚和封装如图4-11所示。EEPROM共同特点是： ● 单一的+5V电源供电，用+5 V电可擦除可写入。 ● 使用次数为1万次，信息保存时间为10年。 ● 读出时间为ns级，写入时间为ms级。 表4-3常用的EEPROM芯片引脚和容量
15 28 32 28C256 13 28 8
2 2816 地址线（根） 引脚数 容量（KB） 型号 图4-11
常用EEPROM芯片管脚和封装 EEPROM各引脚功能如下。 ●A0～A15：地址输入线。 ●D0～D7：双向三态数据总线，有时也用I/O0～I/O7表示。 ●CE：片选线，低电平有效。 ●OE：读选通线，低电平有效。 ●WE:写选通线，低电平有效。 ●RDY/BUSY：2817A的状态输入线，低电平表示在写操作，高电平表示准备好接收数据。 ●VCC：电源线，接+5V电源。 ●NC：空。 ●GND：接地。 4 闪速只读存储器FLASH ROM
闪速存储器 (Flash ROM)：是一种新型快擦写存储器，既可在不加电的情况下长期保存信息，又能在线进行快速擦除与重写，兼备了 ROM 和 RAM 的优点。对于需要实施代码或数据更新的嵌入性应用是一种理想的存储器，而且它在固有性能和成本方面有较明显的优势。
FlashROM是一种新型的电
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