英飞凌600V/650V IGBT系列器件在关断时具囿更好的软度和更高的阻断电压能力。实现上述特性的主要措施在于增加了芯片的厚度减小了MOS沟道的宽度，提高了背面的发射效率相應地，器件的短路鲁棒性也有了显著的改进Infineon IGBT模块内部装配技术的最优化提供了显著的能量循环（PC）的改善。这样至少可以确保在PN 结工作結温Tvj,op=150℃时有优秀的PC寿命预期或者在用户选择较低结温下有更长的PC寿命。650V IGBT在设计工程师使用时能提供更有效的自由度该系列目前已经在咣伏逆变伺服传动领域得到了广泛的运用。

IGBT3相比，芯片厚度增加了大约15%并且MOS沟道宽度减小了大约20%（图1中的红色部分），因此通过减小电磁干扰改善了关断时的軟度同时获得了更高的阻断电压能力。沟槽和场截止的结合使通态损耗和关断损耗仍相对较低当然，上述措施自然也会引起附加的损耗为了补偿相应的影响，背面发射极的效率增加了50% 结果，650V IGBT器件关断时软度得以改善即正向过冲电压降低，关断电流变化率dI/dt减小；同時阻断电压增加到650V另一方面，正向电压仍然较低开关损耗只有适度的增加。