如何用立创的元件搭建一个复位按钮电路?

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这是一个关于电机短路保护的电蕗参考了经典电路:

这是一个自锁的保护电路,短路时:Q3极被拉低Q2导通,形成自锁迫使Q3截止,Q3截至后面负载没有电压这时有没有負载已经没有关系了,所以即使拿掉负载也不会有输出要想拿掉负载后恢复输出,可以在Q3得C E结上接一个电阻取1K左右。

C2和c3很重要在自鎖后,重启电路就靠这两个电容否则启动失败。原理是上电时电容两端电压不能突变,C2使得Q2基极在上电瞬间保持高电平使得Q2不导通。C3则使得上电瞬间Q3基极保持低电平使得Q3导通Vout有电压。这样R5位高电平锁住导通。

但我在引用时就出了问题:我想当然的把R4用了一个1K问題来了:VOUT带载能力变差。

原因是:R4变小Q2的Ib变大,以至Q2变得更容易导通也就把Q3拉低了。

那么深究其原因:我们该怎么计算各元件的取值呢

为了好计算,R3取1k

Q3Q2用8550,查找规格书(小心网上有的是不对的)


取其任意一个算的B值(出入不大)B=200,

Q2的基极电压有了电流也有了,則R4=3.9/0.K

当然R4取10k也是可以的只是Q2的Ib偏置电流较大。IC的电流也月大使得R3电压上升约块,Q3的基极电压越容易被拉高所以R4是调节灵敏度的。

这是其1最关键的是R3,想要Q3进入截止则Q2的状态决定,R3越大则Q2的IC越小,Q2越容易进入饱和状态

这里理解起来有些抽象,那我就具体的画个图就很好理解了。在三极管截止的时候CE两端的电压是最大的我们设为4.5V,在IB逐渐加大的过程中VCE在逐渐变小,而饱和状态下的Ic是由RC决定的请看图:


负载(RC)越小饱和电流越大,VCE约大则从4.5V到VCE饱和电压差越小,其导通时间越小最重要的是,相应的VR3=4.5-VCE(饱和)VR3两端电压越小,当尛到无法达到3.9V时Q3也就不能截止了这是关于R3对灵敏度的影响原因。


在Q2截止的时候Q2的基极是由电流的,而这个电流就是从E极流过R4和R5到地Q2嘚基极电流IB在这个初始电流的基础上逐渐加大,从上图绿色线看出知道到了与红色线垂直的红色线,就到了Q2的保护基极电流IB(sta)

所以初始基极电流IB越大,上升上升到饱和基极电流IB(sta)越快

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