半导体里的 PVD工艺里 分别有使用 IMP Ti 和 DS Ti靶材 IMP 和 DS 是什么意思?

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2019-04-03 01:24 标签：

随着集成电路工艺制程技术的不斷发展为了提高集成电路的集成度，同时提升器件的工作速度和降低它的功耗半导体工艺的特征尺寸不断缩小，晶体管的栅、源和漏囿源区的尺寸也会相应缩小而它们的等效串联电阻会相应变大，从而影响电路的速度为了改善等效串联电阻，半导体业界先后发展出金属硅化物工艺技术Polycide和Salicide

最先出现的金属硅化物工艺技术是Polycide工艺技术，Polycide工艺技术是为了改善多晶硅栅的等效串联电阻和接触孔的接触电阻Polycide工艺技术仅仅在多晶硅栅上形成金属硅化物，源和漏有源区不会形成金属硅化物所以它没有办法改善晶体管源和漏有源区的等效串联電阻和接触孔的接触电阻。为了改善晶体管源和漏有源区的等效串联电阻和接触孔的接触电阻而发展出Salicide工艺技术Salicide工艺技术不仅在多晶硅柵上形成金属硅化物，而且在源和漏有源区也会形成金属硅化物它同时改善晶体管的栅、源和漏有源区的等效串联电阻和接触孔的接触電阻。

本文摘选自《集成电路制造工艺与工程应用》第三章第五节的内容这部分内容简单介绍了Polycide工艺技术、Salicide工艺技术和SAB工艺技术的原理，并以纳米级工艺形成ESD器件和Non-Salicide器件为例介绍SAB和Salicide工艺技术的工程应用



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   为了解决gluc larr厚度与填洞要求的矛盾,業界的主要努力集中在提高阶梯覆盖率方面,在不改变沉积厚度的前提下,尽量增加生长在侧壁的薄膜厚度对于Ti,一直采用PVD工艺。对于早期PVD I艺,甴于粒子(原子和离子)到wafer表面的人射没有很好的方向性contact顶部接触角比底部大,而且由于侧壁对底部的遮挡效应(shadow effect),顶部沉积的原子就比底部多,在∞ntact顶部形成overl△ang。但由于早期的∞ntact特征尺寸大,overhang不是一个问题随着∞ntact尺寸不断减小,overhang引起的问题逐渐凸现。为了解决这个问题,业界一直在改进機台,主要是提高粒子的垂直人射比例,使更多的原子或离子到达∞ntact底部,从而提高step∞verage

power,对粒子的人射方向没有控制。到了第二代有两种改进┅种是在chamber中间加了筛子(collimator),让垂直方向入射的粒子通过,其他方向的粒子被阻挡而沉积在∞llimator上面。这种方法的缺点是沉积效率低,而且沉积在∞11imator上嘚薄膜容易剥离,形成微观颗粒掉在wafer上面,产生缺陷另一种方法是拉长(long thlow)靶材到wafer表面的距离,最后到达wafer表面的粒子都是近乎垂直人射方向的粒子。它的缺点也是沉积效率低在这两种类型机台基础上,叉分别发展了第三代。一种是SIP(self ionized Plasma)chamber,在long thr°w的基础上,使用了非平衡的磁铁(unbalance magnetic),增强粒子在垂直方姠上的运动,在pedestal上接了RF以产生bias吸引离子,顶端的magnetic磁力线范围在target附近,约束更多的离子轰击target产生沉积粒子这些Ti原子自离化(self

角分布是所有工艺中最集中的(见图6,19)。一般的,SIP用在0,25um以上I艺,到了0.18um及以下,都使用IMP△工艺,而且可以延续到32nm

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