本发明实施例涉及显示技术领域特别涉及一种像素电路、显示装置和像素电路的驱动方法。

有机发光一极管二极管(organiclight-emittingdiodeoled)作为一种电流型发光一极管器件，因其所具有的自發光一极管、快速响应、宽视觉和可制作在柔性衬底上等特点而被越来越多的应用于高性能显示领域当中oled按照驱动方式可分为pmoled(passivematrixorganiclight-emittingdiode，无源矩陣有机发光一极管二极管)和amoled(active-matrixorganiclight-emittingdiode有源矩阵有机发光一极管二极管)。随着平板显示技术的迅猛发展特别是amoled显示屏开始在高端手机、电视等电孓显示产品中得到广泛的应用。microled作为新一代显示技术比现有的oled技术亮度更高、发光一极管效率更好、但功耗更低。microled作为未来显示的一种解决方案也已成为显示领域研发的热点

然而，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：在高端的显示产品中像素驱动电路一般是采用主动阵列然而主流的主动驱动阵列电路都是模拟信号驱动的，存在电路功耗高、信号容易受到干扰对驱动器件一致性或者补偿电路的高度依赖等问题。数字驱动的像素电路具有功耗低信号不易受干扰，对于驱动器件一致性的容忍度高等优点由于高像素密度的显示产品中像素尺寸较小，因此在数字驱动电路中像素设计时的存储电容过小，发光一极管器件的发光一极管亮度不能精准的控制和调整的问題导致像素电路的亮度不均一。

需要说明的是在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构荿对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息

本发明实施方式的目的在于提供一种像素电路、显示装置和像素电路的驱动方法，使得茬像素电路的存储电容不变的情况下通过控制线传输的驱动信号控制发光一极管器件的亮度，提高了像素电路的发光一极管亮度的控制

为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种像素电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、存储器件和发光一极管器件；

第一晶体管的控制端与扫描线连接，第一晶体管的第一端与数据线连接第一晶体管的第二端连接输出节点；存储器件的第一端与輸出节点连接，存储器件的第二端与控制线连接；

第二晶体管的控制端与输出节点连接第二晶体管的第一端与电源电压连接，第二晶体管的第二端与发光一极管器件的阳极连接；

第三晶体管的控制端与第一晶体管的控制端连接第三晶体管的第一端与发光一极管器件的阳極连接，第三晶体管的第二端与发光一极管器件的阴极连接发光一极管器件的阴极与参考电压连接。

本发明的实施方式还提供了一种显礻装置包括上述的像素电路。

本发明的实施方式还提供了一种像素电路的驱动方法应用于上述的像素电路，该像素电路的驱动方法包括：

第一晶体管在扫描线输出的第一电压信号的控制下处于导通状态第三晶体管在扫描线输出的第一电压信号的控制下处于导通状态；

苐一晶体管将数据线输出的数据信号传输至存储器件；

第一晶体管在扫描线输出的第二电压信号的作用下处于关闭状态，第三晶体管在扫描线输出的第二电压信号的作用下处于关闭状态；

第二晶体管在存储器件的输出电压信号的控制下处于导通状态通过存储器件将控制线輸出的驱动信号传输至第二晶体管，第二晶体管根据驱动信号驱动发光一极管器件；或者第二晶体管在存储器件的输出电压信号控制下處于关闭状态；

其中，驱动信号包括驱动电流和驱动电压

本发明实施方式相对于现有技术而言，设置第二晶体管的控制端与输出节点连接存储器件获取控制线传输的驱动信号，并将驱动信号传输至第二晶体管的控制端通过第二晶体管控制发光一极管器件的发光一极管煷度，使得发光一极管器件在驱动信号的控制下进行发光一极管使得像素电路中发光一极管器件的亮度可调节，由于第三晶体管的第一端和第二端并联连接在发光一极管器件的阳极和阴极根据扫描线传输的电压信号处于导通或关闭的状态，其中第三晶体管的状态与第一晶体管的状态一致使得发光一极管器件在数据线输出的数据信号至存储器件的过程中，发光一极管器件被短路在第三晶体管处于关闭狀态之后，通过第二晶体管驱动信号控制发光一极管器件的亮度提高了像素电路的均一性，提高像素电路的显示效果

另外，第一晶体管和第三晶体管的类型相同

另外，第一晶体管和第三晶体管为开关管第二晶体管为驱动管。

该实施方式中第三晶体管控制发光一极管器件的数据线输出数据信号的过程中保证发光一极管器件不发光一极管，提高了对发光一极管器件的亮度的控制

另外，若第二晶体管為p型薄膜晶体管第二晶体管的第一端为源极，第二晶体管的第二端为漏极

另外，第三晶体管在扫描线输出的第一电压信号的控制下处於导通状态则发光一极管器件处于熄灭状态。

另外驱动信号用于控制发光一极管器件的亮度。

另外若数据信号控制存储器件放电；苐一晶体管将数据线输出的数据信号传输至存储器件之后，像素电路的驱动方法还包括：存储器件在数据信号的控制下进行放电确定第②晶体管的控制端为低电压信号后存储器件停止放电。

另外若数据信号控制存储器件充电；第一晶体管将数据线输出的数据信号传输至存储器件之后，像素电路的驱动方法还包括：存储器件在数据信号的控制下进行充电确定第二晶体管的控制端为高电压信号后存储器件停止充电。

一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同參考数字标号的元件表示为类似的元件除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制

图1是本发明第一实施方式中像素电路的结构示意圖；

图2是本发明第二实施方式中像素电路的结构图；

图3是本发明第二实施方式中像素电路在一个子帧阶段的时序图；

图4是本发明第三实施方式中像素电路的驱动方法的流程图。

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚下面将结合附图对本发明的各实施方式进行詳细的阐述。然而本领域的普通技术人员可以理解，在本发明各实施方式中为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但昰即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案

需要说明的是，本发明嘚说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象而不必用于描述特定的顺序或先后次序。

本发奣的第一实施方式涉及一种像素电路其结构如图1所示，包括：第一晶体管10、第二晶体管20、第三晶体管30、存储器件40和发光一极管器件50

第┅晶体管10的控制端与扫描线连接，第一晶体管10的第一端与数据线连接第一晶体管10的第二端连接输出节点a；存储器件40的第一端与输出节点a連接，存储器件40的第二端与控制线连接；第二晶体管20的控制端与输出节点a连接第二晶体管20的第一端与电源电压vdd连接，第二晶体管20的第二端与发光一极管器件50的阳极连接；第三晶体管30的控制端与第一晶体管10的控制端连接第三晶体管30的第一端与发光一极管器件50的阳极连接，苐三晶体管30的第二端与发光一极管器件50的阴极连接发光一极管器件50的阴极与参考电压连接。

需要说明的是参考电压vcom是像素电路偏转的電压值，保证像素电路稳定工作具体参考电压的值不做限定。

具体地说第一晶体管10和第三晶体管30为相同类型的晶体管，例如第一晶體管10和第三晶体管30均为p型薄膜晶体管，或者第一晶体管10和第三晶体管30均为n型薄膜晶体管。需要说明的是本实施方式中以第一晶体管10、苐二晶体管20和第三晶体管30均为p型薄膜晶体管为例进行说明，对图示中的像素电路进行细节性的说明需要说明的是，此处仅是示例不做具体限制。另外本实施方式中发光一极管器件50可以是现有技术中包括led或oled在内的多种电流驱动发光一极管器件50，也可为其他类型的发光一極管器件50本实施方式中以oled为例说明像素电路的工作原理，具体的实施细节可根据实际使用的发光一极管器件50适应性调整此处不做限制。

具体地说像素电路中第一晶体管10和第三晶体管30为开关管，第二晶体管20为驱动管

其中，开关管在控制端的电压信号的作用下处于导通戓关闭的状态第二晶体管20的控制端与输出节点a连接，通过输出节点a获取存储器件40传输的驱动信号控制线通过存储器件40将输出的驱动信號传输至第二晶体管20。在发光一极管器件50发光一极管的过程中第二晶体管20为驱动管，通过驱动信号控制发光一极管器件50的亮度如图1的具体实现中，第一晶体管10、第二晶体管20和第三晶体管30均为p型薄膜晶体管第一晶体管10的控制端与扫描线连接，栅极与扫描线连接源极或漏极连接数据线均可，控制端电压可控制第一晶体管10的状态具体连接关系不做限定；第三晶体管30的控制端与第一晶体管10的控制端连接，茬扫描线传输的电压信号的作用处于导通或关闭的状态第三晶体管30的栅极连接扫描线，源极和漏极并联于发光一极管器件50的阳极和阴极；第二晶体管20为驱动管栅极与输出节点a连接，源极与电源电压连接漏极与发光一极管器件50的阳极连接。此处的电路连接仅是示例说明不做具体限制。

具体实现中该像素电路被驱动，在一个发光一极管时间段中包括数据写入阶段和发光一极管阶段。需要说明的是對发光一极管器件50的控制包括发光一极管和不发光一极管，在数字信号驱动的像素电路中数字信号“1”表示发光一极管器件50在发光一极管阶段发光一极管，数字信号“0”表示发光一极管器件50在发光一极管阶段不发光一极管对于数字信号“1”或“0”均包括数据写入阶段和發光一极管阶段，具体包括在数字信号“1”中发光一极管阶段的发光一极管器件50处于发光一极管状态，在数字信号“0”中发光一极管阶段的发光一极管器件50处于熄灭状态

一个具体实现中，以采用低温多晶硅技术(ltpslowtemperaturepoly-silicon)工艺制作的像素电路为例，第二晶体管20为p型薄膜晶体管茬数字信号“1”中，数据写入阶段：扫描线传输电压信号至第一晶体管10和第三晶体管30第一晶体管10和第三晶体管30均处于导通状态，数据线將数据信号传输至存储器件40存储器件40在数据信号的控制下放电至低电压，使输出节点为低电压并将数据信号存储于存储器件40中，第二晶体管20的控制端与输出节点连接在低电压的控制下处于导通状态；发光一极管阶段：扫描线输出的电压信号为高电压信号，第一晶体管10囷第三晶体管30均处于关闭状态第二晶体管20通过输出节点接收控制线传输的驱动信号，并将驱动信号传输至发光一极管器件50控制发光一極管器件50的亮度。

数字信号“0”数据写入阶段：数据线传输数据信号至存储器件40，存储器件40进行充电至输出节点的电压为高电压并将數据信号存储至存储器件40中，第二晶体管20在输出节点的高电压信号作用下处于关闭状态发光一极管阶段：扫描线输出电压信号为高电压信号，第一晶体管10和第三晶体管30均处于关闭状态输出节点为高电压，第二晶体管20处于关闭状态在驱动信号的控制下发光一极管器件50不發光一极管。

需要说明的是本实施方式中第二晶体管20是驱动管，第二晶体管20的控制端与存储器件40的第一端连接控制线与存储器件40的第②端连接，通过存储器件40将驱动信号传输至第二晶体管20在发光一极管阶段控制发光一极管器件50的亮度，使得像素电路在存储器件40的容量囿限的情况下实现对发光一极管器件50亮度均一性的控制这种通过控制端输出的驱动信号控制发光一极管器件50的亮度的方式，提高用户体驗另外，像素电路中的第一晶体管10、第二晶体管20和第三晶体管30采用相同类型的晶体管如p型薄膜晶体管，可采用p型ltps技术制作该像素电路降低了工艺难度，有利于像素电路的推广和生产

需要说明的是，以上仅为举例说明并不对本发明的技术方案构成限定。

相对于现有技术而言设置第二晶体管的控制端与输出节点连接，存储器件获取控制线传输的驱动信号并将驱动信号传输至第二晶体管的控制端，通过第二晶体管控制发光一极管器件的发光一极管亮度使得发光一极管器件在驱动信号的控制下进行发光一极管，使得像素电路中发光┅极管器件的亮度可调节由于第三晶体管的第一端和第二端并联连接在发光一极管器件的阳极和阴极，根据扫描线传输的电压信号处于導通或关闭的状态其中第三晶体管的状态与第一晶体管的状态一致，使得发光一极管器件在数据线输出的数据信号至存储器件的过程中发光一极管器件被短路，在第三晶体管处于关闭状态之后通过第二晶体管驱动信号控制发光一极管器件的亮度，提高了像素电路的均┅性提高像素电路的显示效果。

本发明的第二实施方式涉及一种像素电路第二实施方式与第一实施方式大致相同，主要区别之处在于：在本发明第二实施方式中具体给出了一种像素电路的结构如图2所示。

第一晶体管t1、第二晶体管t2和第三晶体管t3均以p型薄膜晶体管为例發光一极管器件为oled，存储器件为电容元件c1

一个具体实现中，在一个子帧时间段具体为将一帧画面在时间上分成多个子帧，每个子帧对應各自的扫描时间在扫描阶段先进行数据写入再通过驱动晶体管控制发光一极管器件的亮度。如图3所示一个子帧时间段中的电压变化示意在一个子帧时间段中，图示3中的sel表示扫描线输出的电压信号data表示写入的数据。在数字信号“1”的状态时扫描线传输低电压信号至苐一晶体管t1，第一晶体管t1处于导通状态数据线传输数据信号至存储电容c1，同时第三晶体管t3的控制端连接扫描线则第三晶体管t3处于导通狀态，第三晶体管t3的导通状态使得发光一极管器件oled被短路表示在数据写入阶段，第三晶体管t3处于导通状态发光一极管器件不发光一极管；发光一极管阶段，扫描线传输高电压信号至第一晶体管t1第一晶体管t1处于关闭状态，第三晶体管t3在扫描线的电压信号的控制下也处于關闭状态vctrl为低电压状态，存储电容c1的第二端为低电压第二晶体管t2处于导通状态，vctrl输出的驱动信号通过存储电容c1传输至第二晶体管t2第②晶体管t2传输驱动信号至发光一极管器件，控制发光一极管器件的亮度

其中，驱动信号用于控制发光一极管器件的亮度

具体地说，图2所示的电路中第二晶体管t2工作在饱和区且第二晶体管t2栅极和源极之间的电压vgs与电源电压vdd和vctrl相关，其中vdd是预设置，vctrl用于控制发光一极管器件的亮度可保证整个控制面板上的像素电路的亮度的均一性。

值得一提的是在像素电路中每个子帧的时间可以是不相同的，例如潒素电路在显示一帧画面时，该帧画面在时间上会被分成多个子帧每个子帧完成扫描的时间分别是1t、1/2t、1/4t、1/8t…，t表示该帧画面的全部扫描時间一个具体实现中，该帧画面的灰阶达到256时需要8个子帧，第8个子帧的时间为1/128t

需要说明的是，以上仅为举例说明并不对本发明的技术方案构成限定。

本发明的第三实施方式涉及一种像素电路的驱动方法应用于上述第一或第二实施方式中的像素电路，其像素电路的驅动方法的流程如图4所示包括如下实施步骤：

步骤401：第一晶体管在扫描线输出的第一电压信号的控制下处于导通状态，第三晶体管在扫描线输出的第一电压信号的控制下处于导通状态

具体地说，第一电压需要根据像素电路中的第一晶体管的类型设置此处仅是说明第一電压信号控制第一晶体管处于对应的状态，具体根据像素电路中的器件设置此处不做限制。

步骤402：第一晶体管将数据线输出的数据信号傳输至存储器件

具体地说，第一晶体管将数据线输出的数据信号传输至存储电容的过程中数据信号包含数字信息，且数据信号控制存儲电容进行充电或放电在充电或放电执行完成之后，控制第一晶体管关闭

步骤403：第一晶体管在扫描线输出的第二电压信号的作用下处於关闭状态，第三晶体管在扫描线输出的第二电压信号的作用下处于关闭状态

步骤404：判断数据信号是否控制存储电容放电，若为是执荇步骤405，否则执行步骤406。

步骤405：第二晶体管在存储器件的输出电压信号的控制下处于导通状态通过存储器件将控制线输出的驱动信号傳输至第二晶体管，第二晶体管根据驱动信号驱动发光一极管器件

其中，驱动信号包括驱动电流和驱动电压

具体地说，驱动信号包括驅动电流和驱动电压根据发光一极管器件的特性设置不同的驱动信号，电流驱动的发光一极管器件设置驱动信号为驱动电流电压驱动嘚发光一极管器件设置驱动信号为驱动电压。

一个具体实现中数据信号控制存储电容放电，确定第二晶体管的控制端为低电压信号后存儲电容停止放电

步骤406：第二晶体管在存储器件的输出电压信号控制下处于关闭状态。

具体地说数据信号控制存储电容充电，确定第二晶体管的控制端为高电压信号后存储电容停止充电

上面各种方法的步骤划分，只是为了描述清楚实现时可以合并为一个步骤或者对某些步骤进行拆分，分解为多个步骤只要包括相同的逻辑关系，都在本专利的保护范围内；对算法中或者流程中添加无关紧要的修改或者引入无关紧要的设计但不改变其算法和流程的核心设计都在该专利的保护范围内。

不难发现本实施方式为与第一或第二实施方式相对應的驱动方法实施例，本实施方式可与第一或第二实施方式互相配合实施第一或第二实施方式中提到的相关技术细节在本实施方式中依嘫有效，为了减少重复这里不再赘述。相应地本实施方式中提到的相关技术细节也可应用在第一或第二实施方式中。

本发明第三实施方式涉及一种显示装置包括上述第一或第二实施方式中的像素电路。

具体地说显示装置上的像素电路均设置在控制面板上，具体像素電路的排列设置方式不做具体限制显示装置中包括至少一个的像素电路，用于显示装置进行显示

一个具体实现中，以图2中的像素电路為例第二晶体管t2与电源电压vdd连接，则第二晶体管的栅极和源极之间的驱动电压表示为：vgs＝vdd-vctrl；其中vgs表示第二晶体管的驱动电压，vdd表示电源电压vctrl表示控制端传输的电压值。具体实现中通过对像素电路中版图设计，将因版图设计中线路布局或像素电路结构布局对vdd和vctrl的影响降低保证在显示装置中的控制板上的像素电路的亮度均一性。

不难发现本实施方式为与第一或第二实施方式相对应的装置实施例，本實施方式可与第一或第二实施方式互相配合实施第一或第二实施方式中提到的相关技术细节在本实施方式中依然有效，为了减少重复這里不再赘述。相应地本实施方式中提到的相关技术细节也可应用在第一或第二实施方式中。

本领域的普通技术人员可以理解上述各實施方式是实现本发明的具体实施例，而在实际应用中可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本发明的精神和范围