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word格式文档 专业整理 DRAM (动态随机访問存储器)对设计人员特别具有吸引力因为它提供了广泛的性能,用于各种计算机和嵌入式系统的存储系统设计中本文概括阐述了DRAM 的概念,及介绍了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、DDR5 SDRAM、LPDDR、GDDR DRAM DRAM较其它内存类型的一个优势是它能够以IC(集成电路)上每个内存单元更少的电路实现。DRAM 的内存单元基于電容器上贮存的电荷典型的DRAM 单元使用一个电容器及一个或三个FET(场效应晶体管)制成。典型的SRAM (静态随机访问内存)内存单元采取六个FET 器件降低了相同尺寸时每个IC 的内存单元数量。与DRAM 相比SRAM 使用起来更简便,接口更容易数据访问时间更快。 DRAM核心结构由多个内存单元组荿这些内存单元分成由行和列组成的两维阵列(参见图1)。访问内存单元需要两步先寻找某个行的地址,然后在选定行中寻找特定列嘚地址换句话说,先在DRAM IC 内部读取整个行然后列地址选择DRAM IC I/O(输入/ 输出)针脚要读取或要写入该行的哪一列。 DRAM读取具有破坏性也就是说,在读操作中会破坏内存单元行中的数据因此,必需在该行上的读或写操作结束时把行数据写回到同一行中。这一操作称为预充电昰行上的最后一项操作。必须完成这一操作之后才能访问新的行,这一操作称为关闭打开的行 对计算机内存访问进行分析后表明,内存访问中最常用的类型是读取顺序的内存地址这是合理的,因为读取计算机指令一般要比数据读取或写入更加常用此外,大多数指令讀取在内存中顺序进行直到发生到指令分支或跳到子例程。 图1. DRAMs 内存单元分成由行和列组成的两维阵列 DRAM的一个行称为内存页面一旦打开荇,您可以访问该行中多个顺序的或不同的列地址这提高了内存访问速度,降低了内存时延因为在访问同一个内存页面中的内存单元時,其不必把行地址重新发送给DRAM.结果行地址是计算机的高阶地址位,列地址是低阶地址位由于行地址和列地址在不同的时间发送,因此行地址和列地址复用到相同的DRAM 针脚上以降低封装针脚数量、成本和尺寸。一般来说行地址尺寸要大于列地址,因为使用的功率与列數有关 早期的RAM拥有控制信号,如RAS# (行地址选择低有效)和CAS# (列地址选择低有效)选择执行的行和列寻址操作。其它DRAM 控制信号包括用来選择写入或读取操作的WE# (写启动低有效)、用来选择DRAM的CS#(芯片选择低有效)及OE# (输出启动低有效)早期的DRAM拥有异步控制信号,并有各种萣时规范涵盖了其顺序和时间关系,来确定DRAM 工作模式 早期的DRAM读取周期有四个步骤。第一步RAS# 与地址总线上的行地址变低。第二步CAS# 与哋址总线上的列地址变低。第三步OE#变低,读取数据出现在DQ 数据针脚上在DQ 针脚上提供数据时,从第一步第三步的时间称为时延最后一步是RAS#, CAS# 和OE# 变高(不活动),等待内部预充电操作在破坏性读取后完成行数据的恢复工作从第一步开始到最后一步结束的时间是内存周期时間。上述信号的信号定时与边沿顺序有关是异步的。这些早期DRAM没有同步时钟操作 DRAM 内存单元必需刷新,避免丢失数据内容这要求丢失電荷前刷新电容器。刷新内存由内存控制器负责刷新时间指标因不同DRAM内存而不同。内存控制器对行地址进行仅RAS# 循环进行刷新。在仅RAS# 循環结束时进行预充电操作,恢复仅RAS# 循环中寻址的行数据一般来说,内存控制器有一个行计数器其顺序生成仅RAS# 刷新周期所需的所有行哋址。 刷新策略有两个(参见图2)第一个策略内存控制器在刷新周期突发中顺序刷新所有行,然后把内存控制返回处理器以进行正常操作。在到达最大刷新时间前会发生下一个刷新操作突发。第二个刷新策略是内存控制器使用正常处理器内存操作隔行扫描刷新周期這种刷新方法在最大刷新时间内展开刷新周期。 图2. DRAM 刷新实现方案包括分布式刷新和突发刷新 早期的DRAM 演进及实现了DRAM IC 上的刷新计数器,处理順序生成的行地址在DRAM IC 内部,刷新计数器是复用器输入控制着内存阵列行地址。另一个复用器输入来自外部地址输入针脚的行地址这個内部刷新计数器不需要内存控制器中的外部刷新计数器电路。部分DRAM 在RAS# 周期前支持一个CAS#,以使用内部生成的行地址发起刷新周期 SDRAM 在接口到哃步处理器时,DRAM 的异步操作带来了许多设计挑战 SDRAM

我们讨论在单一不可约表示中通过de Sitter群$$ \ text {SO}(1,4)$$ SO(1,4)的代数定义的模糊de Sitter空间的性质。 之前已经证明该模糊空间具有局部框架,其度量标准在可交换范围内降低到de Sitter度量标准 茬这里,我们确定$$(\ rhos = \ frac {1} {2})$$(ρ,s = 12)的嵌入连续坐标的谱图,表示$$ \ text { SO}(1,4)$$ SO(1,4) 结果是在希尔伯特空间表示中获得的,但是使用表示理论可鉯将其推广到主要连续序列的所有表示。

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