湿法刻蚀_百度知道
请问各位湿法刻蚀有什么缺点？？
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它和很难控制它的精确尺寸，过刻蚀率难以控制。
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其他2条回答
难控制溶液的量，易刻蚀过度
没有什么大缺点，不然不会这么普及。楼上所言极是。缺点是蚀液以及生成液有毒，污染环境。
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&&太​阳​能​电​池​制​绒​,​湿​法​刻​蚀
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由于局域化电解电池作用，半导体表面发生了氧化反应并引起相当大的腐蚀电流(有..
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湿法刻蚀技术A． - 化学物理系
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深圳市鑫志尚电子有限公司
湿法刻蚀台
产品型号：WS-1000-CP7-D
名称：WS-1000湿法刻蚀设备Wet Station
产地：美国
品牌：Laurell
湿法设备Wet Station
湿法刻蚀设备特征：
All white polypropylene construction
Any Laurell Spin Processor(s) installed
Easy-access Nitrogen&DI Spray guns
Need a smaller size?-see our MINI
全白色聚丙烯构造
可内置任何Laurell公司的匀胶机（即旋涂仪）
排放简便的入氮口和DI喷头
如果需要更小尺寸——有微型湿法设备Wet Station供选择
GENERAL INFORMATION
湿法刻蚀设备一般信息
The Laurell WS-1000 Series Spin-Process Stations allow a fully configuredtested module to be constructedshipped complete-requiring only the minimum of installation time. Easy to loadoperate-everything is in convenient reach to the operator.
Laurell公司的WS-1000系列旋转处理湿法设备Wet Station可以被配置成测试模块构造，安装简便，易于拆卸，更便于操作者控制。
Typical processes for the WS-1000 include, but are not limited to:
典型的WS-1000湿法刻蚀设备Wet Station处理过程包括（但不限于）：
Developing-Aqueous/Solvent
Cleaning-Aqueous/Solvent
Yes, Sulfuric/Peroxide(insitu mixing)
Temperature-controlled Developing
Rinsing/Drying
开发-水/溶剂
清洗-水/溶剂
确认，硫酸/双氧水（原样混合）
冲洗/烘干
Wet Station Features:
湿法刻蚀设备Wet Station特点：
All polypropylene construction(Self-extinguishing available-see below)
Accommodates the installation of any Laurell spin processor
Perforated wet-deck(easily removable)
Wet plenum
Exhaust Plenum with gauge
Isolated component/drawer below for heaters, pumps, vessels…
全聚丙烯构造（见下文的自灭火功能）
可兼容安装任何Laurell 旋涂机
有排孔的湿隔层（易于拆除）
潮湿的空间
标准规格的排气空间
被热水器，水泵，容器等隔离的组件/容器
Wet StationOptions:
湿法刻蚀设备Wet Station选项：
Processor exhaust interlockcontrol(standard on some models)
Heating&insitu material stirring
Rinse to resistivity
Drain diverter(s)
Vacuum loading wand
Wafer cassette stand
Leak detection
Light towers
排气联锁控制处理器（一些型号是标准的）
加热和原材料搅拌
抵抗力冲洗
排水转向装置
真空负荷棒
Advanced materials available if required
湿法刻蚀设备Wet Station可以根据要求采用更高级的材料
Better
更好的湿法设备Wet Station
WS-1000-CP5-meets SEMI S93 specification for fire safety in clean room applications. CP5 meets UL94 V-O fire classification. It has an excellent babance of physical properties, chemical resistancefire safety.
WS-1000-CP5 湿法设备Wet Station符合SEMI S93标准应用在消防安全和洁净空间等领域。CP5符合UL94 V-O 火灾分类标准。它具有优良的平衡的物理性能，耐化学药品性和耐火性。
Best
最佳的湿法设备Wet Station
WS-1000-CP7-D-a flame retardant polypropylene formulation who’s flame retardant characteristics meet the most rigorous FMRC 4910 testing standards for most aspects of flame retardation, self-extinguishing characteristicsburn-through. This advanced material also meets or exceeds test standards for low smoke generationminimal toxic by-products.
WS-1000-CP7-D湿法设备Wet Station的材料阻燃特性符合最严格的FMRC 4910测试标准，满足多方面条件下的难燃性，自熄特点和彻底燃烧。这种先进的材料也达到或超过产生低烟和最小毒副产品的检测标准。
参考价格：面议
深圳市鑫志尚电子有限公司
电话：86-755-
传真：86-755-
广东·深圳市宝安区福永怀德翠岗第一工业区4栋
邮编：518103
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1)&&wet chemical etching
湿法化学刻蚀
2)&&selective wet chemical etching
化学湿法刻蚀
3)&&chemical etching method
化学刻蚀法
Application of chemical etching method in the study of microstructure of PVC/CaCO_3
化学刻蚀法在PVC/CaCO_3复合材料显微结构研究中的应用
4)&&wet etching
Research on K9 glass wet etching for MOEMS
应用于MOEMS器件的K9玻璃湿法刻蚀工艺的研究
Study on the deep wet etching of the silicon for MEMS;
MEMS中硅的深度湿法刻蚀研究
Influence of wet etching on the morphologies of Si patterned substrates and ZnO epilayers
湿法刻蚀对Si基片孔点阵及ZnO外延薄膜周期形貌的影响
5)&&wet-etching
Textured ZnO:B film with(110)peak was fabricated by MOCVD and CH3COOH wet-etching technique was proposed to treat the film surface.
本文制备出(110)峰取向的绒面结构MOCVD-ZnO:B薄膜并提出CH3COOH湿法刻蚀的表面处理技术。
And some Preliminary Studies have been done to the wet-etching of the thin film.
通过台阶仪和扫描电镜、原子力显微镜测试观察了PVD方法制作Cr薄膜的溅射速率和表面形貌,实验分析了相关工艺参数对溅射速率的影响情况,并对薄膜的湿法刻蚀工艺进行了初步研究。
6)&&Wet etch
Underetch phenomenon in glass wet etch also played an important role to etch microchannels.
方法:以商品化的氧化铟锡(ITO)透明导电玻璃为芯片加工的基质材料,利用光刻胶AZ4620作为玻璃湿法刻蚀的掩模层,并应用玻璃湿法刻蚀过程中的钻蚀效应,快速、低成本地加工细胞培养芯片;将此芯片与聚二甲基硅氧烷(PDMS)薄膜经氧等离子体作用后共价结合,整合温度控制系统、进样系统、信号检测系统等。
补充资料：光电化学刻蚀
分子式：CAS号：性质：在光照射下，半导体基质在与其相接触的电解质溶液中的溶蚀过程。这种技术用于半导体表面的光学制版工艺中。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。