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电力电缆接头的安装要点分析
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缆终端头和中间接头，是输变电电缆线路中的重要部件，它的作用是分散电缆终端头外屏蔽切断处的电场，保护电缆不被击穿，还有内、外绝缘和防水等作用。在电缆线路中，60%以上的事故是附件引起的，所以接头附件质量的好坏，对整个输变电的安全可靠起十分重要作用。
1 导体的连接
导体连接要求低电阻和足够的机械强度，连接处不能出现尖角。中低压电缆导体连接常用的是压接，压接应注意：
(1)选择合适的导电率和机械强度的导体连接管;
(2)压接管内径与被连接线芯外径的配合间隙取0.8～1.4
(3)压接后的电阻值不应大于等截面导体的1.2倍，铜导体接头抗拉强度不低于60N/mm2;
(4)压接前，导体外表面与连接管内表面涂以导电胶，并用钢丝刷破坏氧化膜;
(5)连接管、线芯导体上的尖角、毛边等，用锉刀或砂纸打磨光滑。
2 内半导体屏蔽处理
凡电缆本体具有内屏蔽层的，在制作接头时必须恢复压接管导体部分的接头内屏蔽层，的内半导体屏蔽均要留出一部分，以便使连接管上的连接头内屏蔽能够相互连通，确保内半导体的连续性，从而使接头接管处的场强均匀分布。
3 外半导体屏蔽的处理
外半导体屏蔽是电缆和接头绝缘外部起均匀电场作用的半导电材料，同内半导体屏蔽一样，在电缆及接头中起到了十分重要的作用。外半导体端口必须整齐均匀还要求与绝缘平滑过渡，并在接头增绕半导体带与电缆本体外半导体屏蔽搭接连通。
4 电缆反应力锥的处理
施工时形状、尽寸准确无误的反应力锥，在整个锥面上电位分布是相等的，在制作交联电缆反应锥时，一般采用专用切削工具，也可以用微火稍许加热，用快刀进行切削，基本成型后，再用2mm厚玻璃修刮，最后用砂纸由粗至细进行打磨，直至光滑为至。
5 金属屏蔽及接地处理
金属屏蔽在中的作用主要是用来传导电缆故障短路电流，以及屏蔽电磁场对临近通讯设备的电磁干扰，运行状态下金属屏蔽在良好的接地状态下处于零电位，当电缆发生故障之后，它具有在极短的时间内传导短路电流的能力。接地线应可靠焊接，两端盒电缆本体上的金属屏蔽及铠装带牢固焊接，终端头的接地应可靠。
6 接头的密封和机械保护
接头的密封和机械保护是确保接头安全可靠运行的保障。应防止接头内渗入水分和潮气，另外在接头位置应搭砌接头保护槽或装设水泥保护盒等。
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答：电力施工中安装电线电缆接头注意要点及处理方法在电力工程安装中，电缆终端头和中间接头，是输变电电缆线路中重要的电力设备部件，它的作用是分散电缆终端头外屏蔽切断处的电场，保护电缆不被击穿，还有内、外绝缘和防水等作用。在电缆线路中，60％以上的事故是附件引起的，所以接头附件质量的好坏，对整个输变电的安全可靠起十分重要作用。1、导体的连接导体连接要求低电阻和足够的机械强度，连接处不能出现尖角。中低压电缆导体连接常用的是压接，压接应注意：(1)选择合适的导电率和机械强度的导体连接管；(2)压接管内径与被连接线芯外径的配合间隙取0.8～1.4mm& ；(3)压接后的接头电阻值不应大于等截面导体的1.2倍，铜导体接头抗拉强度不低于60N/mm2；(4)压接前，导体外表面与连接管内表面涂以导电胶，并用钢丝刷破坏氧化膜；(5)连接管、线芯导体上的尖角、毛边等，用锉刀或砂纸打磨光滑。2、内半导体屏蔽处理凡电缆本体具有内屏蔽层的，在制作接头时必须恢复压接管导体部分的接头内屏蔽层，电缆的内半导体屏蔽均要留出一部分，以便使连接管上的连接头内屏蔽能够相互连通，确保内半导体的连续性，从而使接头接管处的场强均匀分布。3、外半导体屏蔽的处理外半导体屏蔽是电缆和接头绝缘外部起均匀电场作用的半导电材料，同内半导体屏蔽一样，在电缆及接头中起到了十分重要的作用。外半导体端口必须整齐均匀还要求与绝缘平滑过渡，并在接头增绕半导体带与电缆本体外半导体屏蔽搭接连通。4、电缆反应力锥的处理施工时形状、尽寸准确无误的反应力锥，在整个锥面上电位分布是相等的，在制作交联电缆反应锥时，一般采用专用切削工具，也可以用微火稍许加热，用快刀进行切削，基本成型后，再用2mm厚玻璃修刮，最后用砂纸由粗至细进行打磨，直至光滑为至。5、金属屏蔽及接地处理金属屏蔽在电缆及接头中的作用主要是用来传导电缆故障短路电流，以及屏蔽电磁场对临近通讯设备的电磁干扰，运行状态下金属屏蔽在良好的接地状态下处于零电位，当电缆发生故障之后，它具有在极短的时间内传导短路电流的能力。接地线应可靠焊接，两端盒电缆本体上的金属屏蔽及铠装带牢固焊接，终端头的接地应可靠。6、接头的密封和机械保护接头的密封和机械保护是确保接头安全可靠运行的保障。应防止接头内渗入水分和潮气，另外在接头位置应搭砌接头保护槽或装设水泥保护盒等。
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1导体的连接
导体连接恳求低电阻和足够的机械强度,，连接处不能浮现尖角。中低压电缆导体衔接常用的是压接，压接应留心：
(1)决定合适的导电率跟机械强度的导体连接受；
(2)压接管内径与被连接线芯外径的配合缝隙取0.8～1.4mm；
(3)压接后的接头电阻值不应大于等截面导体的1.2倍，铜导体接头抗拉强度不低于60N/mm2；
(4)压接前，导体名义面与连接管内名义涂以导电胶，并用钢丝刷破坏氧化膜；
(5)连接收、线芯导体上的尖角、毛边等，用锉刀或砂纸打磨润滑。
2内半导体屏蔽处理
凡电缆本体具备内屏蔽层的，在制造接头时必需恢复压接管导体部分的接头内屏蔽层，电缆的内半导体屏蔽均要留出一部分，以便使连接管上的连接头内屏蔽可能彼此连通，确保内半导体的连续性,，从而使接头接管处的场强匀称散布。
3外半导体屏蔽的处置
外半导体屏蔽是电缆和接头绝缘外部起平匀电场作用的半导电材料，同内半导体屏蔽一样，在电缆及接头中起到了十分重要的作用。外半导体端口必须整齐均匀还请求与绝缘平滑过渡，并在接头增绕半导体带与电缆本体外半导体屏蔽搭接连通。
4电缆反映力锥的处理
施工时形状、尽寸准确无误的反应力锥，在全体锥面上电位分布是相等的，在制作交联电缆反应锥时，个别采用专用切削工具，也可能用微火稍许加热，用快刀进行切削，基本成型后，再用2mm厚玻璃修刮，最后用砂纸由粗至细进行打磨，直至光滑为至。
5金属屏蔽及接地处理
金属屏蔽在电缆及接头中的作用主要是用来传导电缆故障短路电流，以及屏蔽电磁场对附近通讯设备的电磁搅扰，运行状况下金属屏蔽在良好的接地状态下处于零电位，当电缆发生故障之后，它存在在极短的时间内传导短路电流的才干。接地线应坚固焊接，两端盒电缆本体上的金属屏蔽及铠装带牢固焊接，终端头的接地应牢靠。
6接头的密封跟机械保护
接头的密封和机械保护是确保接头保险可靠运行的保障,。应防止接头内浸透水分和潮气,，另外在接头位置应搭砌接头维护槽或装设水泥掩护盒等。
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淘豆网网友近日为您收集整理了关于Ⅲ-Ⅴ、Ⅳ族半导体量子点SiO,2凝胶玻璃的光学性质以及锗纳米线和三维光子晶体的制备的文档，希望对您的工作和学习有所帮助。以下是文档介绍：Ⅲ-Ⅴ、Ⅳ族半导体量子点SiO,2凝胶玻璃的光学性质以及锗纳米线和三维光子晶体的制备 复旦大学博士后士学位论文Ⅲ-Ⅴ、Ⅳ族半导体量子点/SiO&,2&凝胶玻璃的光学性质以及锗纳米线和三维光子晶体的制备姓名:杨合情申请学位级别:博士后士专业:凝聚态物理指导教师:黄大鸣;王迅一塑宣堕壅呈盔兰盟主星堕茎!笠堡量————————————一内容摘要1 11I.V、Ⅳ族半导体量子点,sio:凝胶玻璃的光学性质采用溶胶~凝胶法制备了镶嵌在SiO:凝胶玻璃中不同尺寸的C、Ge、InAslEllnP纳米颗粒,研究了它们的结构、光致发光和fs一光学非线性,探讨了结构和性能的关系.f a在Ar激光器的514.5 nnl和半导体激光器的782nm激光激发下研究了含有碳纳米颗粒凝胶玻璃的发光性质,发现在可见和近红外光区有一很强的室温发光.其发光峰在600nm,670hm,700,730nm和860nm.研究了不同炭化温度制备的样品在77.300K发光特性以及激发光强度对发光的影响.发光是由镶嵌在凝胶玻璃中的非晶碳纳米颗粒产生的.利用fs.OKE效应测试了制备样品的三阶非线性系数,30(来源：淘豆网[/p-9337093.html])0。C,600。C和700。c炭化样品的慰”分别为4.6 x 10&”,3.2 x10-.3和1.0 x 10。3 esu.其中600。C炭化样品的Ⅸo’最大,它的三级非线性极化率的虚部为8.3X 10’14 esu.b含有锗纳米颗粒凝胶玻璃在Ar激光器的514.5nm激发下,发现在可见光区有一很强的室温发光,发光峰在530,575,612,670和720nm.发光强度随激发光强度以1:1的比例增加.发光寿命为l岫.在半导体激光器的782nm激发下,在877nm处也有一很强的室温发光.这种可见和近红外光区的发光不是起源于具有立方相结构的Ge纳米晶,而是起源于尺寸特别小,小到以致未能形成完整晶格的具有分子特性的Ge纳米颗粒或团簇.c在心激光器的514.5nm激发下InAs/SiO,凝胶玻璃在可见光区有一发光峰,峰位处于610rim和700nm.随着测试温度的降低发光强度增大在空气中放置时间越长,越容易激发发光.这种可见光的发射与镶嵌在凝胶玻璃中的InAs纳米晶在空气中的氧化有关.很可能(来源：淘豆网[/p-9337093.html])是氧化的InAs纳米晶的发光.以m激光器的488nm激发,在77K发现在2.18,2.90和3.40 it m有3个发光峰.发光起源于镶嵌在凝胶玻璃中的InAs纳米晶. .d在m激光器的514.5rim激发下,3InP/100SiO,凝胶玻璃在可见和近红外光区有一宽的发光.其峰位在610,728和862nm.研究了在77—300K发光特性以及激发光强度对发光的影响,860nm的发光产生于镶嵌在凝胶玻璃中的InP纳米晶,610,728nm发光可能起源于氧化的InP纳米晶或凝胶玻璃基质的发光.利用fs—OKE效应测试了3InP/100SiO:凝胶玻璃的三阶非线性系数,五‘3’为6.8 X 10‘14 esH.泵浦探测方法研究了激发态的驰豫过程.发现其衰减过程由两部分组成,~个寿命为1.0ps的快速过程和另一个寿命为11.2ps的慢速过程.厂,2.锗纳米线的制各丝垒堕星里叁堂壁土量婴壅工堡塑宣——首次通过在氮气中加热蒸发Ge(OH):以Si片,Au—Si片,和Ni—SiO:凝胶玻璃为基片在石英管的下(来源：淘豆网[/p-9337093.html])方沉积GeO,制备出了Ge纳米线.该纳米线由Ge纳米线芯以及表面覆盖的非晶的GeO:组成.纳米线的生长机理为著名的气一液一固机理.3.三维光子晶体的制备以正硅酸乙脂作原料,在碱性溶液中水解,通过控制氨水的浓度控制蓬塑:微球的大小,制备了尺寸均一,微球直径分别在240,370和420nm的SiO:微球,通过自由沉积和表面张力作用组装***造蛋白石结构,观测到了光子带隙的位置分别为552,802和900nm.利用直径为210nto和279nm聚苯乙烯微球的悬浮液作模板制备了具有反蛋白石结构的SiO:,TiO:,和Si02-TiO:三维光子晶体材料.其中空气球的直径分别降到150-160nm和184—200nm.II胶H黼枣漆A光一.¨别弛法射雅胶糕疆裂一词(七锎Ⅵ耽憋妣酾一堑坌堕墨!盔兰壁!!亘堕壅王笪塑量二—————————————~ABSTRACTI.Optical Behaviors of 1//一V、ⅣSemiconductors Quantum—dot Doped SiOzGe|(来源：淘豆网[/p-9337093.html])-glassesVarious—sized C,Ge,InAs and lnP Nanoparticles doped in Si02 gel—glasses wereprepared by sol—gel process.Their structures,phot01uminescence and f-see—optiealnonlinearity were studied.n佗structure.property relations were discussed.a C.nanoparticles embedded in gel-glasses showed a strong room—temperaturephotoluminescence with peaks at 600,670,700,730 and 860nm under 514.5nm Ar+iaser and 782nm semiconductor iaser excitation.The photoluminescence(来源：淘豆网[/p-9337093.html])characteristics of samples carbonized at 300.7000C were investigated at 77-300K.Fhe photoluminescence intensity will increase at ratio of 1:l aS the laser intensityincreases.The light emiaing was caused by C—nanoparticles doped in gel—glasses.nle nonlinear optical properties of the gel-glasses embedded with C—nanoparticlescarbonized at 300,600,and 7000C were studied by optical Kerr effect,The magnitudeofX。o’ are 4.6 x 10‘H,3.2 x 10。”和1.0 x10。”esu,re(来源：淘豆网[/p-9337093.html])spectively.Imaginary part ofeffective thjrd-order nonlinear opdcal susceptibility of sample carbonized at 600 oCwas measured to 8.3 x 1 0-14esu.b Ge nanoparticles doped in Si02 gel—glasses showed a strong room—temperaturephoto.1uminescence witll peaks at 530,575,612,670,and 720nm under the excitationof the 5 14.5nm line of all Ar+laser,The photoluminescence intensity willincrease atratio of l:1 as the laser intensity increases.The lifetime of the ph(来源：淘豆网[/p-9337093.html])otoluminescenceis 1 p.m.nle gel-glasses showed a strong room—temperature photoluminescence withpeak at 877m under 782 nlrl semiconductor 1aser excitation.The口hotoluminescence,arises from the Ge elusters of diameter of&1·2 nin with a molecular character instead ofnanocrystalline Ge with the diamond structure.C nle InAs nanoparticles doped in Si02 gel-glasses showed a photo-Iuminescence with peaks at 610 and 700nto under 514.5nm Ar+laser excit(来源：淘豆网[/p-9337093.html])ation.111ephotoluminescence intensity will increase as the temperature decreases.111e laserintensity needed was reduced from 25mw,power lOO%to 2mw power 10%.as thesample exposed to air for 1 82 days.1ight emitting may be caused by the oxidatiod ofthe lnAs nanoparticles.Thc InAs nanoparticles doped in Si02 gel·glasses showed aphotoluminescence with peaks at 2.18,2.90,and 3.409m under the excitation of the488um line of an Ar+laser at 77K.The infr(来源：淘豆网[/p-9337093.html])ared Dhotoluminescence arises from the InAsnanoparticles with the diamond structure.d 3InP/100Si02 gel—glasses showed a visible and infrared photoluminesceneewith peaks at 610,728 and 862nm under 514.5rtm Ar+laser excitation.Thephotoluminescence characteristics of the sample at 77-300K Were investigated.TheIl杨合情复口_大学博上后研究工作报告efl'ect of laser intensity on Photoluminescence was also studied.The photo—luminescence with peak at 860nm arises from the(来源：淘豆网[/p-9337093.html]) InP nanocrystals with the diamondstructure.The photoluminescence with peaks at 610 and 728nm may be caused by theoxidation of the lnAs nanocrystals or SiO,matrix.thjrd—order nonlinear opticalsusceptibility of the sample was measured to be 6.8 x lO-13 esu by femtosecond opticalKerr effect.The ultrafast electron—relaxation dynamics of the sample WaS investigatedby pump—probe techniques.The decay of photo—induced bleaching includes a fastft=1.Ops)and a slow(11.ponent.2.Preparation of Ge nanowiresGe nanowires were grown on Si wafers,Au—Si wafer,and Ni—Si02 gel—glasses bythermal evaporation of Ge(OH)2 powders at 850。C,680—700。C,and 800。C,respectively,for 2h,under a flowing gas N2.The Ge nanowires einsist of a crystallineGe core and an amorphous Ge02 sheath.The growth mechanism of the Ge nanowiresis the well—known vapor-liquid—solid(VLS)reaction.3.Preparation of3一Dimensional Photonie Crystalsne monodisperse suspension of spheres of amorphous Si02 were synthesized byhydrolysis of tetraethoxysilane in a mixture of water,ammonia,and ethan01.Si02spheres with a diameter of 240,370,and 420nm,respecfively,were obtmned bychanging the concen扛afion of ammonia.Ordered arrays these spheres were attainedby dispersing them in water and settling them on a flat substrate(quartz or siliconwafers).The optical absorption spectra of these materials confirms their photonicbandgap in 552,802 and 900hm,respectively.Si02,Ti02,and Si02-Ti02 inverseopals(air spheres with a diameter of 150,and 200nm,respectively,)were made by asol—gel process.Opals templates were prepared by settling polystyrene spheres with adiameter of 210 and 270nm,respectively,on a flat substrate(quartz or siliconwafers).keywords: sol-gel process, C, Ge, InAs, Ir圯Si02 gel.g/assesnanocrystal,photoluminescence, f-see—optical nonlinearity,laser,lightemitting mechanism, nanowires,Ge(OH)2,3-Dimensional Photonic Crystals,pbotonic bandgap,opals,inverse opals,Si02,Si02一Ti02,and Ti02IV一堑垒堕塞呈叁兰丝!.旦!塞三笪型笪—————————————一第一章绪论1.1 III,V、Ⅳ族半导体量子点,sio:凝胶玻璃l}f于量子限域效应的作用,镶嵌在Si吼介质中的半导体纳米颗粒,具有完令/卜同于相应体材料的光学性质.它们的三阶光学非线性响应具有三阶非线性系数大、阈值功率低和响应速度快等主要特点,在光贮存、光开关等光学非线巾f二器件方面具有广阔的应用前景.它们的发光性能在显示技术和超高速信号处理技术中具有潜在的应用价值.自从1983年发现CdSe,S。/Si02微晶玻璃“1具{f很强的三阶非线性光学性质,年相继发现多孔硅口1以及镶嵌在SiO。中的微晶锗“3可见光发光后,半导体微品玻璃的研究得到了迅速发展.1996年Hirschman等将多孔硅发光器件与硅基微电子器件的集成和1997年Woggon专著{Optical Properties Of Semiconductor Quantum Dots))的出版㈣,标志着这~领域的研究已达到了高潮.现已成为光学与光电子学、凝聚态物理、半导体科学和材料科学领域的研究热点.2000年Pavesi等在镶嵌在Si 02中的硅纳米晶上实现了受激光发射和光放大,迸一步刺激了这一领域的发展,因为这样有望制备出Si量子点激光器拍』.目前这方面的研究集中于CdS、CdSe等半导体M1.我们知道,量子限域的程度取决于半导体颗粒的尺寸与其自由激子的Bohr半径之比,如果颗粒尺寸远小.F Bohr半径将会有强的量子限域效应.所以要得到较强的量子限域效应,应该选择具有较大Bohr半径的半导体.II一Ⅵ族半导体CdS和CdSe,它们的自由激f Bohr半径分别为3.0、3.5nm.III—V和Ⅳ族半导体,由于具有较小的载流子和较大的介电常数,因而具有较大的自由激子的Bohr半径.如GaAs、InP、InAs和Ge的自由激子Bohr半径分别为13、14、34和24.3rim.预计它们的量子点比1I一Ⅵ族半导体应有更强的量子限域效应哺,”.因此InP、InAs等III—V化合物和Ge半导体/si o。微晶玻璃的研究显得越来越重要.近年来Ⅳ族半导体sj和Ge微晶玻璃薄膜的制备和发光性能的研究异常活跃。….因为它们在未来的硅基光电子器件中具有潜在的应用价值.人们通过共溅射技术、化学气相沉积法、离子注入等半导体工艺制备了si/siO,和Ge/SiO,玻璃薄膜,发现了可见光的发光现象n’8J.但有关发光起源和发光机理至今未研究清楚,有关它们光学非线性的研究报道的也很少.此外,这方面的研究主要集中于sj和Ge,对于除过c6。以外的碳量子点破璃研究的也很少.目前有关III—V族化合物半导体纳米颗粒制备的方法有:金属有机气相外延、分子束外延[gj和各种有机液相法”“‘“_恻.前者使用的原材料为复杂的金属有机化合物和剧毒的^sH3或P%,而且设备比较昂贵,后者是在有机溶剂中进行高温或高温高压反应,而且制备产物不是粉末就是分散在有机溶剂中,不一垫二萱笪堡————利于光学性质的研究与应用.为了光学性质的测量与应用的研究,人们需要将半导体镶嵌在玻璃介质中,但由于剧毒、易氧化等原因,传统的熔融法无法将IIIV族化合物半导体纳米颗粒镶嵌在玻璃中”1.从而限制了II卜V族半导体掺杂的si0,微晶玻璃的研究.最近,日本的Y.Kanem Lsu““和国内张立德教授领导的研究组采用离子注入和磁控溅射技术制备了inAs/SiO:、InP/SiO:等复合薄膜“n…,切步研究了它们的光学性质.以上这些方法,设备昂贵,使用的原材料不是易燃、易爆的金属有机化合物和剧毒气体,就是要在有机液相中进行高温或高温高压反应.而且半导体纳米颗粒的大小和掺杂量不易控制.所以有关II卜V族化合物半导体和c、Ge量子点的发光和光学非线性与尺寸关系的研究几乎未见报道.溶胶一凝胶法是一种低温合成玻璃的方法,基本原理是以金属或非金属的醇类化合物在醇和水的混合液中发生水解和缩聚反应形成金属或非金属的网络结构氧化物.低温下甩膜、拉制纤维或浇铸成块体,再在较高温度下进行热处理得到相应的材料.由于是在低温下进行,功能分子或纳米颗粒可以在溶胶凝胶过程中引入玻璃网络或在凝胶玻璃形成后利用其多孔性引入.该方法简单、实用,具有其他方法无法替代的优点,可制备其他方法无法制备的半导体微晶玻璃.1990年Nogami[j51首次采用溶胶一凝胶工艺制备了镶嵌有CdS纳米晶的SIO,玻璃,目前采用该方法已经制备了激光染料、酶、纳米半导体颗粒和金属颗粒镶嵌的凝胶玻璃“6’“】.1996年JqDrgensen和Reisfeld专著((Optical andElectronic Phenomena in Sol--Gel Grasses and~todern Application}}‘川的出版,标志着溶胶一凝胶法在光电子材料研究中占有十分重要的地位.到目前为止,采用溶胶一凝胶法制备的半导体/sio,微晶玻璃主要有AgCI、CuCl、CdSe、CdS等I一Ⅷ、II一Ⅵ族化合物半导体“….而Ⅳ族半导体量子点凝胶玻璃的制备国际上报道的很少“…,III—V族化合物半导体量子点玻璃的制备至今未见报道.我们通过Sol—gel制备了c、 Ge、 InAs和InP半导体量子点凝胶玻璃.诈通过改变反应条件制备出不同尺寸的半导体纳米晶或团簇,在此基础上研究它们的光学性能及其与半导体纳米颗粒的大小,结构和凝胶玻璃介质的关系,将具有十分重要的科学意义. .I.2锗纳米线随着科学技术的迅猛发展,人们需要对一些介观尺度的物理现象,如纳米’己度的结构,光吸收,发光以及与低维相关的量子尺寸效应等进行深入的研究.男外,器件微小化对新型功能材料提出了很大的要求.因此,20世纪80年代以袈,零维的材料取得了很大的进展,但准一维纳米材料的制备与研究仍面』盗着巨堑鱼堂壑竺盔堂堕:!巫塑窒工生坐生一——人的挑战.自从1991年日本NEC公司Iijima等发现碳纳米管以来口“,立刻引起了许多科技领域的科学家们极大关注.因为准一维纳米材料在介观领域和纳米器件研制方面有着重要的应用前景,它可用作扫描隧道显微镜(STM)的针尖,纳米器件和超大集成电路(ULSIC)dP的连线,光导纤维,微电子学方面的微型钻头以及复合材料的增强剂等.因此,目前关于一维纳米材料(纳米管,纳米丝,纳米棒.和同轴纳米电缆)的制备研究已有大量报道.目前的碳纳米管的合成主要有:(1)碳棒作电极进行直流电弧放电ml,(2)碳氢化合物的热分解【21】,制备的碳纳米管有单壁和多壁两种纳米丝,纳米棒和纳米线的制各方法主要有:(】)纳米碳管模板法【22,2”,(2)晶体的气固生成法12“,(3)选择电沉积法制备磁性金属纳米线Ⅲ】,(41激光烧蚀与晶体的气一液.固生长法相结合,L长IV族半导体纳米线脚J,(5)金属有机化合物气相外延与晶体的气一液一固生长法相结合,生长III—V族化合物半导体纳米线127],(6)溶液一液相一固相生长法制备111-V族半导体纳米线[2…,(7)高温激光蒸发法制备硅纳米线旧鲫和(8)简单的物理蒸发制备硅纳米线等口…. 这些方法不是反应温度很高,就是使用易燃易爆的金属有机化合物和剧毒的***化物.而且有的仪器设备比较昂贵.制备的材料主要集中于碳纳米管,硅和碳化硅纳米丝的制备.而对于具有较大激子玻尔半径的半导体锗纳米丝的制备报道的相对较少.玻尔半径越大,其量子尺寸效应越显著.因此选择简单,实用的锗纳米线的制备方法具有重要的科学意义.1.3三维光子晶体光子晶体是1987年提出的新概念和新材料[31,32I,这种材料可以如人们所愿地控制光子的运动.由于其独特的性质,它可以制作全新高性能光学器件.在光通汛上使得通讯的速度快得无法想象.目前三维光子晶体的制备通常有三种方法:a微机械钻孔的方法,这种微机械加工制备的光子晶体的光子带隙位于微波区域(33,341.b成熟的半导体工艺Ⅲ’3“,如光刻蚀,电子束刻蚀和离子束刻蚀等,它可加[制备出光子带隙位于近红外和可见光区的光子晶体,不过非常困难.c胶体微球的自组装f”,”-39J目前采用的胶体微球主要有:聚苯乙烯和二氧化硅胶体晶体.它可制备蛋门彳i和反蛋白石结构的三维光子晶体.制备的基本过程是:(1)首先以均匀大小的聚苯乙烯或二氧化硅球制备出嘶心立方密堆积结构胶体晶体(即蛋白石结构的三维材料).(2)利用其作模板通过溶胶一凝胶法,化学气相沉积等方法进行浇注或沉积.(3)通过加热或腐蚀去掉其…璺兰L型生———————一——tp的聚苯乙烯和二氧化硅球,得到反蛋白石结构的三维多孔材料.对于这结构的理论计算表明,如果背景是高介电常数的材料,在第八第九光子能带有光子带隙所以该方法一经发现迅速掀起了研究高潮.这方面的文章大都发表在Nature,Science,adv.mater.等刊物.目前制备的材料有SiO:、Ti02、Zr02、A1:O,、Nb205、W03、石墨、玻璃悛、金刚石、Si、CdS、Ni、Cu、Pt、Ag、Au。这类材料通常要求具有较高的介电常数和较高的折射率.SiO:--TiO。的折射率可通过SiO。/Ti02来调节,为了研究折射率的变化对光学性质的影响,开展三维有序孔结构SiO:--Tioz的制各具汀卜分重要的科学意义参考文献l K.R.Jain,C.R.Lind,J.Opt.Soc.Am.2 王迅,侯晓远,郝平海,物理),341.3.Y,Meada,N.Tsukamoto,Y.Yazawaetal,Appl.PhyS.Lett.84.U.Woggon,(Springer Tracts in Modem Physics V01.136,Springer-Verlag,Berlin,Heidelberg,New York,1997)5.L.Pavesi,L.D.Negro,C.Mazzoleni,G.Franzo,F Priolo,nature,.6 J.Shi,K.Zhu,Q.Zheng,et al,Appl.Phys.Lett.,),2586.7 Y.Li,X.Duan,YQian,et al,J.Am,Chem.Soc.,69.8.J.Linnros,N.Lalic,A.Galeckas et al,J Appl.Phys 89.H Asahi,Adv.Mater.9,1019(】997);1 O.R.L“Wells,and W L.Gladfelter,J.Cluster Science,11.Y Xie,YT.Qian,W Z.Wang,S.Y Zhang,Y H.Zhang, a benzene—thermalsynthetic route tO nanocrystalline GaN,Science, 92612.Y T.Qian,Adv.Mater.1.‘13.Y Kanemitsu et a1.,Phys.Rev.B.,0.14 F M.Liu and L.D.Zhang,Chin.Phys.Lett.2000,l 7,1421 5.M.Nogami,K.Nagaska,E.Kato,J Am.Ceram.Soc.71 6 D.Levy and L.Esquivias,Adv.Mater. 201 7.WH.Green,K R Le,J.Grey,T T Au,M.J.Sailor,Science,,I 826l 8.c.K.dq’rgensen and R.Reisfeld,(Springer—Verlag,Berlin,Heidelberg,New Y0rk,1996)4一丝鱼堕里垦叁兰堕!:堕竺塑上笪坐童————————————一一——————一———————一———19 H Q.Yang,x J.Wang,H.Z shl,F J Wang,X.X.Gu,X.Yao,J·Cryst—Growth. 1.20 s.Iijima.natvre,1 99 1,354,56.21.w Li、S.S.Xie,L X.Qian,et al,Science,1.22.W.Q.Han,S.S Fan,Q.Q.Li,et ai,Chem Phys.Lett,.23..Q.Han.S.S.Fan,Q.Q.Li,et al,Science,7.24.P.D.Yang.C.M.Lieber,Science,l 996,273,l 836.25.G.F1.Science,l 998,280,545.26.A.M.Morales and C.M.Lieber,Science 279,208(1998).27.K.Hiruma,M.Yazawa,T.Katsssuyama,re al,J.Appl.plays..28.丁J.Trenfler,.K.M Hichman,W E.Buhro,Science,1.29.D.P Yu,Q.L.Hang,Y Ding,et al,Appl.Phys.Lett.,1 998,73,3076.30.D.P.Yu,Z.G.Bai,Y.Ding,et al,Appl,Phys.Lett.,l 998,72,.E.Yablonovitch,Phys,Rev.Lett.1 987,2059.32 S.John.Phys.Rev.Lett.1 987,58,2486.33.E.Y曲lonovitch,T.J.Gmitter,and K.M.Leung,Phys.Rev.Lett.5.34 E.Yablonoviteh,and K.M.Leung,Nature,.35 S.Fan、P.Villeneuve,R.Meade,and J.Joarmoupolis,Appl.Phys.Lett.,6.36 S.L Lin et al,Nature,.37 B,Tt Holland,C.E Blanford,and A.Stein,Science,.38 J.B Q J.Wijnoven and W L.Vos,Science,39 O.D.Velev,and E.W.Kaler,Adv.Mater,.5播放器加载中，请稍候...
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