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3秒自动关闭窗口各位大虾救命啊!!!射频读写器的芯片和射频标签的芯片是不是一定要一样的?_百度知道
各位大虾救命啊!!!射频读写器的芯片和射频标签的芯片是不是一定要一样的?
我刚接触RFID这种东西,很菜,请各位大虾指点一二.如果用CC1010做读卡器芯片,能不能用nRF9E5做标签芯片,还是用回CC1010做为标签的芯片呢?如果有关于这两个芯缉亥光酵叱寂癸檄含漏片的资料,能否发一份给不弟呢?
提问者采纳
设备和技术为硅基射频集成电路进化 摘-器件特征尺寸与数字器件性能的关系比之无线电频率(RF) 申请数字比申请要复杂的多. 利用装置的关键射频电路块典型收发让我们回顾和趋势的生成等特点主动和被动射频器材. 这些生成等包括过境频率电流增益、马克斯在振荡频率最高权力单位增益 噪音、击穿电压、电容密度变容、电感质量 ;我们使用的无线通信系统规格说明不同硅基装置可达到可接受生成等. 我们关注硅互补金属氧化物半导体(的CMOS),硅双极的CMOS、双极硅装置,包括硅锗异质结双极晶体管、 射频器件和集成电路(共29个). 我们分析趋势的生成是为硅基射频器件和集成电路及说明涉及到这些趋势 。在2003年国际科技节半导体技术路线. 我们还比较完成最佳性能研究报告及器件制造装置性能等相关报告,涉及到超过1000个器件.大致有双极晶体管、手机、通讯网络、场效应晶体管(场效应) 人物优异(生成等)、功率放大器(坝)的CMOS射频,射频技术,技术演进、对讲机、无线网络. 导言改善法则:& 以每个系统完全达到设计的成果来衡量所从事的设计. &,英国医学JOURNAL,日 612-622, 无缉亥光酵叱寂癸檄含漏线的应用很大程度上是基于射频器件和集成电路技术市场的快速成长。本文是在我们目前的审查和数字技术要求已达到射频技术符合成功部署无线应用等相关要求下写的，而这些应用包括手机收发蜂窝基站放大器,无线局域网(局域网) 无线个人区域网络(无线)、汽车雷达、千兆无线网络, 移动电话和无线应用在0.8到10千兆赫频率范围. 至于射频器件基于III-V复合半导体是超出本文范畴的.在2003章射频交易报告及有关信息[1]-[3]中还讨论了射频技术应用第三至第五化合物半导体. 但是以第四节讨论化合物半导体射频功率放大器为基准的. 关系特征尺寸器件性能及射频设备生成等射频器材比较复杂 这些结论的需要和主流趋势以及数字电路器件已成功地反映了戈登摩尔定律 [4]. 不过,所展示的只是许多如何使用射频器材的方法匹配的表现反而对于射频电路器件、规格及性能必须满足许多其他参数需要进一步讨论。作为主流的CMOS数码装置. 例如,射频电路面积大小不是由活跃装置而是由被动装置决定. 其中的例子被动器件确定面积包括:1)配对线路、 2)电容器所需特定功能区、3)稳定性电路(如阻尼共振电路,拒绝供电涟漪). 同样, 最关键参数的压控振荡器(压控振荡器)的质量性能因素反作用于箱式电路所需 最VCO的设计. 一个信用反作用于箱式电路是由电感L号电容器三、 电阻、阻抗决定,在其展品有限共振频率. 我们这里的调查和检讨,往往是那些生成等独特rfdevices在其使用于典型收发积木图中所示. 1. 每座都有自己的最佳选择,显示结构与电路器件性能,需要依靠噪声边缘、调谐范围或带宽、功耗、功率附加效率(PAE),共计法案物资. 电路方面的详细检查 [5]. 但是简要积木图是最重要的是为了把完整性以及把该装置性能扩展到更广. 所有结构包括一个共同收发发射机和接收机办理收支信号. 双方须同步发送信号、数据处理与在基处理器. 通常,这是实现形成锁相环(锁相环). 负责有关的锁相环相位和频率的参考信号发送. 也就是用的锁相环锁相的基带处理单元. 最具有挑战性分在锁相回路是电压控制振荡器(压控振荡器). 压控振荡器产生的正弦信号频率的反馈电压控制的锁相回路. 这是用于正弦信号扎实过硬的信号转换调制到载波. 关于接收方输入信号载波频率是由接收的天线扩增低噪声放大器(低噪声放大器),然后由一个带过滤电路. 接下来,这个信号就是由amixerdownconverted一阶电路、againfiltered, 然后放大到最佳的投入水平模数变换器. 其余方接收信号处理通常是在数字域. 数字信号处理和模数转换是超出本文所讨论的. 上述常常利用射频功能的CMOS数码技术为基础的过程和成果得益于科技数码 的CMOS工序. 在发射机方面,第一个无线射频起数模转换(援). 这是一个模拟信号上转换了搅拌机的载波频率. 这里给参考频率和VCO的相位为载波. 最后功放功效上转换,通过过滤信号,从而提供一个高功率的信号天线传送. 这标志着积木列是存在的主要关键电路在收发结构. 他们是最关键的收发性能. 电路器件性能和关系生成等简要讨论在本节下文. 我们将在本节演示简化电路仍让读者获得一些基本定理以配合优化电路及器件. 此外,这些器件简化确定主要参数,完成重要性射频电路设计. 低噪声放大器性能的关键问题是要送一个需要增益的失真信号有进一步扩增。信号处理大量噪音或失真加单位. 噪声是由噪声系数(因子)三阶输入拦截点 (IIP3的)组成的. 许多不同噪声放大器申请等多方面载波频带全球移动通信系统(GSM的) 增强或extendedgsm(egsm)、码分多址(CDMA系统),widebandcdma(WCDMA系统)、全球定位系统(GPS)、蓝牙无线局域网、饰品. somecases班次、操作频宽[如 超局域网(宽带)]影响性能的低噪声放大器和电力消耗. 确定为低噪声放大器电路和相关设备参数因子 ,并分别获得：供电电压、噪声的低噪声放大器. 输入噪声控制阻抗的天线或传输线,因此大多数独立装置：噪声放大器性能取决于增益和热噪声晶体管。关于阻抗匹配网络.对于低噪声放大器的输出电阻三个因素起决定作用: 1)选择和负载输入阻抗(电阻和/或抗) 2)质量的被动反应时间, 3)晶体管输出电导的用于放大的低噪声放大器. 它是重要的增益跨导放大器. 有几个可能的措施可以提高设计性能的低噪声放大器电路,但权衡各方面的电路, 制造. 基于最后权衡受器材的质量、造价电路. 这是典型的全部射频电路基础讨论. 该VCO的关键部分是一个锁相环(锁相环),同步沟通集成电路外面的世界. 有必要减少抖动或相位谱密度噪声实测功率在频偏从载频的波形,对于总输出电量备忘录是一种对VCO的 界定[5]. 这一备忘录的估计是VCO的性能和给出了有关备忘录(2),就是温度、质量因素是箱式的VCO的电路的证明. 尽管这一定义忽略频率和VCO的调谐范围、 这是可以接受低于10千兆赫的频率。受噪音和热噪音主动和被动元件的VCO的相位噪声影响。VCO的这些组件载波频率较高冲抵成正比的热能逆 . 噪声的VCO的活性成分,也是重要的载波频率当接近 [5]. 功率放大器必须交付所需传递信息的传输功率过芯片的天线,减少和邻接权频道波段失真. 起码在某一输出功率直流电源和频率要求,特别是对电池操作应用。由于曲线取决于控制层强烈的放大,放大器对于不同级别很难比较.只能估算输出功率可达到某一频率和给出。 (3)如果是按雪崩电场, 饱和的速度在各自的母半导体材料， 表现为高阻抗容性射频频率输出装置,必须严加约束为阻抗匹配负荷. 右侧(3)对半导体材料的选取取决于参数，这意味着, 其它重要参数,如电力线路、效益直线取决于放大器的拓扑选择. 线性壁垒和表现也给予了极大的控制和调节. 即不同的通信标准有不同的要求,甚至晶体管壁垒以及可能在同一载频带宽.关键器件参数,如质量、线性无源器件有源器件更详细讨论会在第二节和第三节展开.因为距离远近,数据速率、灵敏度需要量化，所以输出功率无线收发大多订定规格标准化机构, 其余由自由竞争无线收发设计参数决定1)成本 2)电量在某一特定频率及噪音水平, 3)划分的不同收发方框图所作的贡献,在规格方面, 耗电量、噪声、噪声边、线性、动态范围、频宽. 必须作出妥协器件性能参数之间以及参数之间的不同对象的收发。
电流增益频率f与第一章演示的CMOS,SiGeHBT的以及第三至第五HBT三到五个晶体管相关. 2003报告显示这是第一年从两个制造与供应单位每一万个为样本统计出来的。后者的例子是从进化收发差异为零或低者很底中频结构转换得结果。对于GSM网申请，零中频主要结构都使得数字信号处理功能越来越强[6]. 因此, 高速数字电路结垢至少在这方面发挥作用了很大的作用。虽然例子解释了射频技术演进. 但是还应当指出,前端无线对讲机将分为模拟或射频线路. 物理层无线传输协议比用数字编码技术采用模拟技术更有效. 那里的竞争议题设定界线数码、射频、与模拟信号处理技术的表现给予合理的成本提供了灵活性. [5]是通过表现最佳的电路设计来加强。几年以前，只是讨论所有基本电路及技术.像现在如此强烈对比强调科技进步和不断演变的市场渗透率无线系统在当时还是不可想象的. 在下一节,我们将探讨表现活跃射频器材,随后在第三节被动装置. 第四节将专门处理射频功率放大器。适于在2005年和2003年――2009年为节点CMOS工艺. 活跃收发器--的CMOS和SiGeHBT的双极硅装置已接受收发器特性设计频带 1至10千兆赫,自90年代初. 结合低成本优势和综合功能,将硅CMOS射频BiCMOS工艺技术选择 对讲机,若与射频系统设计目标是能够实现的. 比较竞合技术在过去15年. 二载电流增益频率不断提高团结的SiGe异质结双极晶体管 。直到最近，研究(HBT的)的CMOS、磷化铟HBT的、砷化镓高电子迁移晶体管(晶体管)[7]-[23]. Si/SiGe异质结晶体管的CMOS晶体管在性能方面才有所突破。但现在他们却采取了SiGeHBT的电流增益超过400千兆赫的电路. 但是,这需要一个需要10纳米规格的电路,只达到专业在SiGeHBT的可以在一个面积约100nm的特点方可制成. 而第三至第五的HEMT[10],[20]具有较高的可比性。既容易使Si/SiGe异质结晶体管的CMOS晶体管和集成电路结合数码功能. 而成本一直并将继续成为激励因素,利用射频CMOS技术. 半导体元件遵循着价格下降和能力逐步提高的过程. 收发器降价及增加频宽无线通讯、 往往不惜牺牲解决因有线系统总体成本较低的优势和便利.相对于加工CMOS和BiCMOS工艺技术的晶圆价格[24]. 以较低的性能为代价生产COMS 锗BiCMOS工艺可实现可表现较低的CMOS几何、 射频电路设计。主电感、电容器、 接口可以降低成本、成熟的SiGeBiCMOS工艺过程大约20%甚至更高的要求晶圆形成晶体管. 虽然涉及到晶圆价格和相关费用,但价格依然是敏感的竞争环境及需求的体现, 而依靠开发和制造成本. 将来系统芯片(的SOCS)可能已布置了许多数码功能,结合了数字大致射频收发,可以较低价格cmosmay在制度层面解决较先进光刻节点. 定价是与的CMOS射频到数字的CMOS、 其中一个固定节点跌幅料技术息息相关的,每年尽管有较低的CMOS缺陷密度超过每两极活跃装置技术[25]、 但对于模具产量只有大量的SOCS. 例如负责诱捕器和记忆效应电热反应等非常重要的问题,射频器材的开发是非常重要的. 最后, 可能市场差异取决于设计师专门设计验证和重用,或是一种BiCMOS青睐或者是CMOS解决方案. 使得现有的CMOS和BiCMOS工艺技术能够满足技术要求。 虽然已经采取的CMOS时间延时成功实施产品设计、 [26]创意设计技术使得显即指噪音可绕过障碍等与其它因素CJ164-2002收发[6],[27]. 近期工作预计6千兆赫频率为基础分别应用240纳米130纳米为60千兆赫的CMOS设计 规则,〔28〕. 广泛的分析CMOS射频 [29]-[38]. 通过不断改进具有综合效益的CMOS参数优势, 占领来自低成本的数码电子市场的主导权. 在稳步提高射频性能的CMOS数码业绩挂钩,经改进和创新[30]结构, [39]-[46]. 由于所需费用的超常发展,并开始制造新节点光刻、 射频CMOS器件结构将类似的CMOS数码. 改装将限于着重改善特色和显着独特射频性能极限. 由于大部分数字系统需要模拟电路功能和低成本是十分重要的, 增量调整要支持射频设计过程可能会在有限范围被动临界分子例如电感、线性电容. 但是,由于实施需要精密的仪器射频设计模型[47],[48],[49]具体表征射频-[51]、 精确线路设计、 通常在首次推出第一套数字和射频产品会出现一些延迟之间. 数码行进中是最适当的长度及射频产品延迟推出射频产品需要有更多的了解. 低运行功率(下潜)、高速通路()可能需要射频设计能力,使高速串行通. 虽然已下行和协上下逻辑器件延迟比低待命功率器件(lstp)由于更大胆沟道长度尺度,多数需要移动射频应用能力. 机动能力意味着电池电源的消耗，,因为可能偏低活跃时间与待命时间比例，所以lstp路线最合适. 但是越快的数码分析,可以使下行的表现更广泛替换模拟电路与数字电路学。该模拟功能. lstp装置电源电压高容易使射频电路设计减少噪音. 随着技术等级、多重门槛越来越多氧化物厚度普遍. 共同特点是全体共用下行、lstp进程的主要分歧表现正、 逻辑电源、备用电力. 无线收发行来设计射频得到实施. 在最基层的数字CMOS器件性能成正比[52],[53], 当前就频率电流增益那里是有效的,是跨门电容. 对2003交易报告[1] 用数字来计算,从ltsp路线[52]装置具有下列特点: 其宽度是平版节点的21倍;它的最低门长度;及其外在寄生电容,其中包括,相当于一个电容器电容的额外门就是一个节点光刻宽. 2003年显示随着交易报告结果和报告的数据模型[23],[24],[40],[43],[45],[54]-[62]. 增加与减少20纳米以下的直接后果是改变了传统以几何尺度 结合了几何尺度与放慢速度有效改善流动性. 这个变化是规定保持上升趋势数字表现。尽管减缓因就几何的局限性和隧道闸门绝缘体阈电流[63]. 虽然近期推出加强机动应变技巧等[64]-[66],[67]晶圆方向, [68]这一做法的方法和结果率达到了要求. 不过,应变[69]和高介电常数栅介质[70],可能导致更多噪音依然需要关注. 假设需要额外的频率进行有效抵抗门源电阻,栅-漏电容、电导、对电容假设会流失1/3面积的闸门，电容加上门至边缘电容流失. 抗源是取自的CMOS数码行进. 有效抵抗计算从门栅板假设抵抗一边接触电阻器是一个有效途径〔71〕(6)哪里是门宽度. 为双门接触器,减少了一个因素取决于技术和布局. 相对于2003年5显示路线. 争取与频率为2003年电路示范报告的数据显示,为争取自身的影响减小低于45纳米. 需要继续增加趋势,但重要的是,规模和电极板栅阻力相对固定. 假定一个金属门电极取代多晶硅超越45纳米节点. 对2003年电路设计,可自行计算增益并不大. 这个前提之所以难以实现是因为栅绝缘体厚度与长度增大 [63]由于结构和调制门槛变得越来越更为重要. 这些趋势将极大地影响双方的CMOS数码[72]和RF性能. 修改和优化过程[24],[61],[73],[74]能逐步改善这些趋势, 但在过程中的步骤和因额外费用妥协的电流驱动器. 5显示浪潮冲击与假设DS是长50%相差频道门槛低偏转和门槛最高纪录流失偏转数码行进. 最后, 这些额外损失减少到了25%,由路线计算参数的内在装置. 由此产生的交易报告,高于2003年发现的,与2001年报告电路是一致的。最近的数据显示：日益减少使电力对于某个频率有着很大的影响. 而通常与10倍中心频率范围有关, 最高尺度计算饱和电流从下列数字路标与实证算法关系频率之间选择. (七)从几个数据参考最低噪声系数为5GHz的功能[40], [43],[45],[61],[62],[76],[77],[79],[80]都表明了坚实的圆点. 6. 这些都显示了一种趋势,是符合标准模型,显示了冲线短沟道装置[75]-[78]. 对于上述情况,即呈报的资料[40],[43],[45],[61],[62],[76],[77],[79], [80]处于频率以外 6. 最低噪声系数为12003电路与设计、模型、数据报告为5千兆赫,我们推断这些回馈为5千兆赫.但这些实测数据差异很大,因为1)有充分证据难以攻克culty在deembedding参数数据等相关应用频率 2)器件对低频测试阻抗很大,3)布局 [81]. 参数的反射系数和传输微波或事件反映毫米波. 2003报告刊载的因子值固体线. 由于因子大幅降低门偏转可抵消由于结构与偏转而产生的电流降低[79]. 作为射频噪声将会增加,增加门氧化物泄漏电流 2)上升到基板抵抗[82]、 3),通过更高速度饱和电场[83]. 射频噪声处理这个问题是2003年报告电路中体现出来的。限制噪音值最低数字为0.2分贝. 拐角频率的频率定义为噪声振幅相同振幅噪声. 于是,一个拐角给出频率次数上的重要性边界噪声,尤其线性电路. 拐角频率最低临近几个频道A-10型装置的长度在90兆赫纳米技术. 即使假设接口技术即将面世，拐角频率较高频率还会继续增加. 我们从简单的近似小信号分析噪音模范行为,对于分射频具体应用这可能会引起争议,在使用双极晶体管噪声敏感部分电路部. 虽然有这些小缺点，改善射频CMOS器件的特点将继续增加,使射频设计集成复杂的数字功能. 成熟工序将较低的CMOS比同等的BiCMOS工艺光刻节点的成本. 因此,申请将实施射频尽快商品化和技术上可行, 重新设计的费用,可降低生产成本.
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