为什么我的可控硅发热量严重呢

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为什么我的可控硅发热呢?
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我想做一个可控硅交流电机调速产品,200V、3000W。用的可控硅是BTA41(600V、40A),还加了一个散热片,结果都很热的,这是怎么回事?
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3kW单相电机,电流大约20A。你的晶闸管耗散功率多大计算过么?
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3kW单相电机,电流大约20A。你的晶闸管耗散功率多大计算过么?
3000W的电机也就15A不到的电流啊。还有一个,我看BTA41的功耗只有门极功耗,是1W,显然不是,因为我带300W的负载都不发热。
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3000W的电机也就15A不到的电流啊。还有一个,我看BTA41的功耗只有门极功耗,是1W,显然不是,因为我带300 ...
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如果如附件中用单片机来控制我电机的转速,会不会不会发热呢?
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连最基本的欧姆定律都没搞明白。
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3000W的电机也就15A不到的电流啊。还有一个,我看BTA41的功耗只有门极功耗,是1W,显然不是,因为我带300 ...
首帖你自己说的是“200V、3000W”。V的电阻电流恰是15A。
但你是电动机,怎么可能“3000W的电机也就15A不到的电流啊”?功率因数是多少?
6楼说“连最基本的欧姆定律都没搞明白”,没有说错。
正是BTA41的datasheet的部分,好好看看,再复习复习什么是电压。
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这才是“行家一出手,便知有没有”....&
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功率等于电压乘以电流,(积分)
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要算下在管子上的损耗;
300W换成3KW负载,损耗提高了10倍了;
增加散热块看看;
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发热是会的啦,关键看你散热片有多大?
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散热片要能散掉可控硅的开关损耗和导通损耗,如果是过零导通开关损耗可以不计。
一个人要成就一番事业,需要高人指点、贵人相助、家人相随、小人监督!!!!!
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首帖你自己说的是“200V、3000W”。V的电阻电流恰是15A。
但你是电动机,怎么可能“3000W的电机 ...
写错了,是220V,3000W。中国哪有200V的交流电啊。
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220与200这对计算功率耗散影响不大,大家也不是从此点考虑的
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写错了,是220V,3000W。中国哪有200V的交流电啊。
写错,也是你自己写错的。
如14楼Lgz2006所说,220V和200V对计算功耗影响不大。
根本问题,是你不知道什么是电压。
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发热是会的啦,关键看你散热片有多大?
用的50mm*45mm的铝散热片。
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这个可控硅,导通后的最大压降,估计是0.85V左右吧,平均电流算10A,也就有8.5W了,你的散热片是小了。
移动通信设计,GPS防盗定位终端设计。各种电子产品设计,温度仪表设计专家。
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首帖你自己说的是“200V、3000W”。V的电阻电流恰是15A。
但你是电动机,怎么可能“3000W的电机 ...
电压是220V写错成200V了。
如果按导通电压是1.55V算,电流按15A,可不可以近似地认为功耗为25W?因为要精确地算功耗很麻烦的,很多公式。
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电压是220V写错成200V了。
如果按导通电压是1.55V算,电流按15A,可不可以近似地认为功耗为25W?因为要 ...
我已经把该型号晶闸管压降曲线贴出来了。自己看吧。
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确实精确计算功耗很麻烦,也没必要——不可能精确设计耗散,只要加些余量就好
例如电流按30安计也吃不了亏
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可控硅击穿的原因分析
1、过压击穿: 过压击穿是可控硅击穿的主要原因之一,可控硅对过压的承受能力几乎是没有时间的,即使在几毫秒的短时间内过压也会被击穿的,因此实际应用电路中,在可控硅两端一定要接入RC吸收回路,以避免各种无规则的干扰脉冲所引起的瞬间过压。如果经常发生可控硅击穿,请检查一下吸收回路的各元件是否有烧坏或失效的。
2、过流与过热击穿:其实过流击穿与过热击穿是一回事。过流击穿就是电流在通过可控硅芯片时在芯片内部产生热效应,使芯片温度升高,当芯片温度达到175℃时芯片就会失效且不能恢复。在正常的使用条件下,只要工作电流不超过可控硅额定电流是不会发生这种热击穿的,因为过流击穿原理是由于温度升高所引起的,而温度升高的过程是需要一定时间的,所以在短时间内过流(几百毫秒到几秒时间)一般是不会击穿的。
3、过热击穿:这里所说的过热击穿是指在工作电流并不超过可控硅额定电流的情况下而发生的热击穿,发生这种击穿的原因主要是可控硅的辅助散热装置工作不良而引起可控硅芯片温度过高导致击穿。对于采用水冷方式工作的,主要检查进水温度是否过高(一般要求水温应在25℃以下,但最高不能超过35℃),流量是否充足;对于采用风冷方式工作的,应检查风扇的转数是否正常,还有环境温度也不能太高等,但无论是风冷的还是水冷的,如果你在更换可控硅时只是更换了芯片的话,安装时要注意芯片与散热器之间的接触面一定要保证良好的接触,接触面要平整,不能有划痕或凹凸且不能有灰尘夹入,还要保证有足够且均匀的压力,特别是对水冷的可控硅,三个螺栓的拉力一定要均匀,并且还要经常检查和清理水垢,水垢太多也会影响散热效果导致过热击穿的。另外如果多次更换芯片也会导致散热器的接触面变形而影响散热效果,如果您的机器上的某只可控硅经常击穿又找不到其他原因的话,就应该考虑在更换可控硅时连同散热器一齐更换。
非常好我支持^.^
不好我反对
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为什么我的可控硅在上电的瞬间会导通一下??
作者:lhkjg 栏目:
为什么我的可控硅在上电的瞬间会导通一下??在可控硅的两端加有500欧的吸收电路,控制的是电机。门集有一个1K的电阻与可控硅的阴极相连(防止门集悬空),但是上电的瞬间还是会导通一下,为什么???
作者: fly1978 于
11:03:00 发布:
好像我见到的都有这样的特点,没搞清楚。望指点&
作者: chunyang 于
12:44:00 发布:
你的触发电路设计不合理门极不可与其它极间有回路存在。
作者: lhkjg 于
12:57:00 发布:
问题是断开了那1K的电阻还是有这样的问题!但是我在可控硅的黄金使用原则里面为了防止灵敏度太高好象有这样的使用啊
作者: LAOBAO58 于
17:40:00 发布:
真是有点难度!望高手指点&
作者: dayang 于
10:26:00 发布:
前面是否有隔离器件?触发电路怎样?&
作者: lhkjg 于
10:44:00 发布:
谢谢各位了,没有家隔离,是电容引起的干扰,搞定谢谢&
作者: lai832 于
12:48:00 发布:
加个防开机导通电路.就三四个元件就行了.这样工作时也不会影响电路工作
作者: winhiwang 于
15:13:00 发布:
是不是MCU控制的IO口上电的状态影响的&
作者: melon0118 于
17:00:00 发布:
可能是写放电容的缘故可能是写放电容的缘故
作者: lhkjg 于
8:39:00 发布:
如何加??&
讨论内容:
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听众数收听数最后登录注册时间主题精华0积分63帖子
一星助理工程师, 积分 63, 距离下一级还需 37 积分
两套电炉,一套360KW、380V,分4个区,因工厂条件限制,变压器是3000KVA,10KV/0.66,电柜进线660V,用可控硅来调压,输出380V来用的,4个区,星型接法,每组电流都正常,140A左右,运行了半个月,可控硅老是击穿,有时候放炮出来把可控硅上端的快速熔断器都打弧,排列是总断路器,4个接触器,4组快速熔断器,可控硅触发板,可控硅模块,第一次是接触器上端拉弧出来,把下面的熔断器,可控硅,线路板,全部烧掉,现在情况好点,就是炸可控硅。可控硅模块是300A,耐压2000V的,前几天换过原装西门康的模块330D/16E,一装就是炸。输出电压才150V左右。求高手分析分析,具体是哪方面的问题。从主变压器到这两个电柜的线都是400平方的铝线,从每个区到电炉的线都是95平方的铝线。我起初是以为可控硅的耐压不够,但西门康的也是一样烧。现在想做两台400KVA的干式变压器算了,660/380,或者哪位高手再帮我想想办法。。。
听众数收听数最后登录注册时间主题精华0积分711帖子
二星工程师, 积分 711, 距离下一级还需 89 积分
回复【求助】帮忙分析分析!电炉运行,可控硅老是被击穿 主贴 的帖子
你改用660/380的变压是从根本上解决问题。这方法好。只是建议你改用一台1250KVA的660/380的变压器,比用两台节约空间,减少配电屏的投资。
听众数收听数最后登录注册时间主题精华0积分2366帖子
五星工程师, 积分 2366, 距离下一级还需 134 积分
回复【求助】帮忙分析分析!电炉运行,可控硅老是被击穿 主贴 的帖子
这种炉子做过不少,看你描述的问题,感觉你们的系统设计有问题。
系统能否改成这样:
1.主变压器应该用10/0.4KV
2.取消你的660/380V的调压器。我估计你的调压器,由于不是完全正弦波输出,谐波比较严重,会造成额外发热。
3.炉子加热器控制,应该采用“调功方式”进行控制。对这种功率稍微大一些的炉子,由于热容量大,通常采用调功器来控制,每个区最大到1000A可控硅,好象很少出现可控硅烧坏的现象。
4.通常现在的电器产品工作电压在500V以下,你们660V,对选择电器元件的工作电压有要求,不少电器元件不能工作在660V电压下。
至于你们可控硅烧坏,我估计是“操作过电压”造成的。你们采用的调压方式,操作过电压尤其严重。尤其是在调压器输出波形变化的时候,有人操作交流接触器、断路器,就很可能会产生操作过电压,由于这些操作和电源波形变化不一定重合,所以这种现象不是每次都产生(操作过电压不一定每次都产生)。在这种情况下,通常要采用“阻容吸收”的方式来解决,由于要根据你们变压器、敷设方式等参数计算,这里不表如何计算解决。
如果要彻底解决,我还是建议你们对系统进行改进。以我10套以上设备的经验,改后问题很少,而且运行稳定可靠。
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二星助理工程师, 积分 112, 距离下一级还需 38 积分
回复【求助】帮忙分析分析!电炉运行,可控硅老是被击穿 主贴 的帖子
能描述清楚一点吗?是在运行中烧的还是在操作中烧的?上楼的朋友说的很有道理
听众数收听数最后登录注册时间主题精华0积分63帖子
一星助理工程师, 积分 63, 距离下一级还需 37 积分
原帖由 xuchaohua9953 于
16:56 发表
这种炉子做过不少,看你描述的问题,感觉你们的系统设计有问题。
系统能否改成这样:
1.主变压器应该用10/0.4KV
2.取消你的660/380V的调压器。我估计你的调压器,由于不是完全正弦波输出,谐波比较严重,会造成额 ...
在设计方面肯定是有缺陷的。主变压器,目前南方来说,想把3000KVA的主变,从10KV/0.66改成10/0.4,没几个月根本就办不下来,我们现在都是错峰来用的,晚上11点-早7点,关于谐波方面的问题,这个不单单是这两套电炉的可控硅的问题,电炉后端是热轧机,1台1000KW的直流电机,2台400KW的直流电机,都是660V等级的,用可控硅整流,西门子的6RA调速装置来调速,为什么不装消谐。老板也知道,要消谐,这么大的功率,没个几百万肯定是下不来的,近3000KW的整流设备,当地电力部门目前不抓谐波,而我们也就只有电炉和轧机,没什么其他设备,目前分析,应该就是可控硅耐压等级不够。接触器断开吸合的时候有峰值电压。波形没测过,没有示波器。解决方案,加两台三相干式隔离变压器,SBK-400KVA,0.66/0.38挂上去,成本不到10万,一劳永逸,如果以可控硅来调压,通过控制可控硅的触发来使输出限制在380,还会有很多后续问题的,接触器应该要换成CKJ5真空式接触器,总断应该要从目前的630A换成万能断路器1000A的,可控硅要换成平板可控硅,平板硅电流大,耐压高,我们主压机1000KW的就是使用2800V等级的,几年了都没问题,2800V的可控硅反并联,是绝对不会击穿的。但整套下来,成本太高啊,也得替老板考虑。
[ 本帖最后由 ntj1983 于
22:56 编辑 ]
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一星助理工程师, 积分 63, 距离下一级还需 37 积分
原帖由 engsimon 于
15:28 发表
你改用660/380的变压是从根本上解决问题。这方法好。只是建议你改用一台1250KVA的660/380的变压器,比用两台节约空间,减少配电屏的投资。
各地电力部门松紧度不同啊,我们这边是不允许在主变后边加主变,哪怕是不增容的情况,做干变,我们可以贴个电抗器的铭牌,小的干变管的倒没那么严。
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回复【求助】帮忙分析分析!电炉运行,可控硅老是被击穿 6# 的帖子
1.你说的这个环境,和我过去调试的一个铝厂的情况很象,他们那里就是铝板轧制好后退火处理。
2.换2800V可控硅也不是一个办法,解决不了根本问题。实际上,如果是操作过电压造成的可控硅损坏,操作过电压远远高于2800V,只是比浪涌电压低而已。所以,不能完全靠可控硅的反向耐压来处理操作过电压。你可以看看西门子的装置,除了采用高耐压可控硅,还是要采取阻容或其他装置来限制过电压的。
3.可控硅的耐压,和是否采用板式结构无关。小管子通常的结构都是螺栓型(100A)以下,200A以上,通常都是板式结构了,由于板式结构可以双面冷却,所以散热好,可以用风冷或水冷。我用过的最大可控硅元件是2500A单只。
还没仔细看你的系统,先说一点供你参考。
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1.如果你不觉得再加2台660/380的变压器占地方,这样也是可以的,但方案总是有些“多此一举”的感觉。我大概不会采用这个方案的。
2.你用真空接触器来控制炉子的4个区加热器,真的不是很好,寿命会影响很大,温度控制也不好。还是采用“调功器”为好,价钱也不会很贵。
3.总开关630A换1000A,应该考虑进线和出线电缆的截面是否够,毕竟是要保护电缆的东西。还有,也要考虑脱扣电流与上一级的关系,千万别你这里不跳,总厂跳。。。
供你参考,我对现场情况不是很熟悉,“说的对吃我的药,说的不对分文不取。。。”
[ 本帖最后由 xuchaohua9953 于
00:08 编辑 ]
听众数收听数最后登录注册时间主题精华0积分29帖子
技术员, 积分 29, 距离下一级还需 21 积分
回复【求助】帮忙分析分析!电炉运行,可控硅老是被击穿 8# 的帖子
加降压变压器最为可靠,
可控硅降压是不可靠的,660V电压,可控硅压需2500V以上,故障率才比较小
听众数收听数自我介绍学习,学习,再学习。。&br /&
看帖子, 看规范,再看书,既知识又长钱。。
&br /&最后登录注册时间主题精华2积分3812帖子
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同意。。。尤其 2、4 以及总结部分。。。
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