PN结被击穿后pn结及其单向导电性性是否还存在，内部结构是否发

来源：蜘蛛抓取(WebSpider) 时间：2017-07-08 20:46 标签： 二极管的单向导电性
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为什么PN结具有单向导电性？在什么情况下单向导电性会丧失？温度对正向特性、反向特性和击穿特性有何影响？
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为什么PN结具有单向导电性？在什么情况下单向导电性会丧失？温度对正向特性、反向特性和击穿特性有何影响？
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PN结及单向导电性
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单向导电性
3二极管的识别与检测方法
3．1二极管的识别方法
晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如D5表示编号为5的二极管。二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压的作用下导通电阻极大或无穷大。正因为二极管具有上述特性，汽车电路中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。
半导体二极管在许多的电路中起着重要的作用 发光二极管简称发光管（英文简称LED），它是采用特殊的磷化镓（GaP）或磷砷化镓（CaAsP）等半导体材料制成的、能够将电能直接转换成为光能的半导体器件。发光二极管虽然与普通二极管一样也是由PN结构成的，也具有单向导电性，但发光二极管不是应用它的单向导电性，而是让它发光作指示（显示）、照明器件。 二极管是诞生最早的半导体器件之一，几乎在所有的电子电路中，都会用到半导体二极管。从本质上看，二极管就是一个PN结加上电极和外壳封装而成的。所以，单向导电性是它最重要的特性。电路中的二极管，电流只能从正极流向负极。
本文从分析PN结的单向导电性入手，阐述了二极管的伏安特性、击穿特性及主要参数，进一步讲述了二极管的应用。 我利用二极管的单向导电性，把4个二极管做成了整流电路，它接到电压表的表头上，并改进电路中的电阻，就可以实现以反接也能正向偏转（如图1）；
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金月芽期刊网 2018PN结的单向导电性
发布时间: 10:41:47
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&&&& 处于平衡状态下的PN结没有实用的价值，PN结的实用价值只有在PN结上外加电压时才能显示出来。&&& 1．外加正向偏置电压&&& 电路如图1-8所示，P型半导体接高电位，N型半导体接低电位，这种连接方式下的PN结称为正向偏置（简称正偏）。当PN结处在正向偏置时，外电场和内电场的方向相反。在外电场的作用下，P区的空穴和N区的电子都要向空间电荷区移动，进入空间电荷医的电子和空穴分别和原有的一部分正、负离子中和，打破了空间电荷区的平衡状态，使空间电荷区的电荷量减少，空间电荷区变窄，内电场相应的被削弱。此时有利于P区多子空穴和N区的多子电子向相邻的区域扩散，并形成扩散电流，即PN结的正向电流。在一定范围内，正向电流随着外电场的增强而增大，此时的PN结呈现出低电阻值，PN结处于导通状态。PN结正向导通时的压降很小，理想情况下，可认为PN结正向导通时的电阻为0W，所以导通时的压降也为OV。PN结的正向电流包含空穴电流和电子电流两部分，外电源不断向半导体提供电荷，使电路中的电流得以维持。图1-8所示正向电流的大小主要由外加电压U和电阻R的大小来决定。
&&&&&&&&&&&&&&&&&&&& &&& 2．外加反向偏置电压&&& 在PN结上外加反向电压时的电路如图1-9所示， 处在这种连接方式下的PN结称为反向偏置（简称反偏）。当PN结处在反向偏置时，P型半导体接低电位，N型半导体接高电位。此时，外电场和内电场的方向相同，PN结内部扩散和漂移运动的平衡被打破。P区的空穴和N区的电子由于外电场的作用都将背离空间电荷区，结果使空间电荷量增加，空间电荷区加宽，内电场加强，内电场的加强进一步阻碍了多数载流子扩散运动的进行，但这对少数载流子的漂移运动却有利，少数载流子的漂移运动所形成的电流称为PN结的反向电流。少数载流子的数目有限，在一定范围内，反向电流极微小，称为反向饱和电流，用符号Is来表示。反向偏置时的PN结呈高电阻态，理想情况下，反向电阻为∞，此时PN绪的反向电流为0，PN结不导电，即PN结处于截止的状态。由于少数载流子与半导体的本征激发有关，本征激发与温度有关，所以PN结的反向饱和电流会随着温度的上升而增大。
&&&&&&&&&&&&&&&&& &&& 可见，PN结的导电能力与加在PN结上电压的极性有关。当外加电压使PN结处在正向偏置时，PN结会导电；当外加电压使PN结处在反向偏置时，PN结不导电。PN结的这种导电特性称为PN结的单向导电性。&&& 3．PN结的伏一安特性曲线&&& PN结电流和电压的约束关系不像电阻元件那样是线性的关系，而是非线性的关系，具有这种特性的元件称为非线性元件。非线性元件电流和电压的约束关系不能用欧姆定律来描述，必须用伏一安特性曲线来描述。&&& 实验测得PN结的伏一安特性曲线如图1-10所示。其中u&0的部分称为正向特性，u&0的部分称为反向特性。当反向电压超过UBR后，PN结的反向电流急剧增加，这种现象称为PN结反向击穿。
&&&&&&&&&&&&&&&&&& &&& PN结的反向击穿有雪崩击穿和齐钠击穿两种。当掺杂浓度比较高时，击穿通常为齐纳击穿；当掺杂浓度比较低时，击穿通常为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对电流不加以限制，都可能造成PN结的永久性损坏。
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单向导电性不存在了，PN结结合面的正负电荷壁垒不存在了。
我想问的是内部结构发生了什么变化
如有帮助请采纳正向导通，谢谢！、反向截止；反向击穿答题不易
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