求解电感二端并电阻
<span class="xi1" style="color:#ff
nongfuxu离线LV3助理工程师积分：231|主题：4|帖子：63积分:231LV3助理工程师 19:55:40
今天在其它网上看到一张电源输入电路图. 看到在电感二端并电阻.
以前认为是错的,到现在还没有明白它的用处.--&降低LC滤波Q值? 给电感一个释放回路?
一直都没搞明白这电阻的必要性
一般的说法是抑制LC自激振荡
现在的问题是；一、自激振荡的条件，是什么引发了自激振荡，振荡频率有多少。
&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&&二、振荡的幅度有多大？这种幅度对电路能带来多大危害？
|blueskyy离线LV10总工程师积分：25751|主题：121|帖子：13006积分:25751LV10总工程师 20:20:37&阻尼电感的自震 ~ ||
nongfuxu离线LV3助理工程师积分：231|主题：4|帖子：63积分:231LV3助理工程师 20:28:14&目前没有看到相对有理论推导的说法.
自震是指电感的理想模型是电感,电容并联,因此在受到超高频波干扰时引起LC自激,因此引入电阻来降低LC回路的Q值---&阻尼振荡幅度吗?
有没有什么实际例子来说明. 谢谢! ||
nongfuxu离线LV3助理工程师积分：231|主题：4|帖子：63积分:231LV3助理工程师 20:30:10&另外,既然是针对L的Q值太高而引入电阻来降低Q值,那什么样的电感结构需要并联电阻,并联电阻值是多少怎么计算? ||doaer离线LV6高级工程师积分：1597|主题：31|帖子：390积分:1597LV6高级工程师 10:05:41& ||
nongfuxu离线LV3助理工程师积分：231|主题：4|帖子：63积分:231LV3助理工程师 11:01:41&感谢.
从文中只看到
电感1 (并联,串联) 电感2+电阻,
改善单一电感非理想性带来的damping盲点. 就像0.1u并0.01u一样.
不过,好像不能回答单个电感并电阻这个问题.
||nongfuxu离线LV3助理工程师积分：231|主题：4|帖子：63积分:231LV3助理工程师 10:41:44&想来想去，好像只有这个原因的存在，才可能加那个R12：
一、若电感是长圆柱工字电感，
1)作为滤波时它本身是个电磁大炮，不需要并联电阻．
2)正因为是电磁大炮，反过来也是一个好的接收天线，当有强干扰存在时，电感二端感应出干扰脉冲，即此时那个工字电感还是一个受控电源．
3)既然工字电感又是干扰电源，那就需要给它提供释放回路，即给它并上一个负载．
4)若以上推断基本方向正确的话,那么R12的阻值就可以根据工字电感尺寸,电感量(其实是应该说线圈的匝数)和整个PI型LC滤滤电路要求来计算了. 此时用仿真会比计算更快得出需要的电阻值来.
二、若电感是一般的贴片电感，不管是屏蔽型的还是短扁工字型的，都达不到电磁大炮的要求,所以作为良好的干扰接收天线也是不合格的. 因此不需要考虑是否给它并一个负载电阻.
以上只是随机想到的,不知错对. 因为已经看到电感上并电阻二次了,想理解它的对与错并由来. ||
nongfuxu离线LV3助理工程师积分：231|主题：4|帖子：63积分:231LV3助理工程师 11:36:53&若第一种推断是正确的,那么在省钱的情况下,用电感二端并电阻这样的手段,确实能减少工字电感接受的干扰.不过它是以牺牲LC滤波性能为代价的.
想想若R12等于0,时那个工字电感肯定不再受外部干扰而对输入电路产生干扰脉冲了.
是一种所谓的价格与性能的折中. ||nongfuxu离线LV3助理工程师积分：231|主题：4|帖子：63积分:231LV3助理工程师 17:18:19&电感二端并联电阻．极具特色，让人蛋疼的电路．
nongfuxu离线LV3助理工程师积分：231|主题：4|帖子：63积分:231LV3助理工程师 14:51:54&收集几种说法
1)一般只有L1比较大的情况下才会用到R2,放电用的.小功率电源比较常见,静电防护. ||nongfuxu离线LV3助理工程师积分：231|主题：4|帖子：63积分:231LV3助理工程师 14:53:50&说法
2)电感上并联一个电阻的目的是给电感提供一个放电回路，防止开关电源中的开关截止时，电感上的高压击穿别的器件。 ||
hsw113离线LV8副总工程师积分：4575|主题：74|帖子：2140积分:4575LV8副总工程师 17:04:57倒数9&也有不装电阻，布线用尖端放电形式的。 ||
nongfuxu离线LV3助理工程师积分：231|主题：4|帖子：63积分:231LV3助理工程师 14:56:00&说法
3)有利于雷击，ESD等? 后面的问号连起来就是答案：阻尼振荡，对EMC某个频段有好处。 ||
nongfuxu离线LV3助理工程师积分：231|主题：4|帖子：63积分:231LV3助理工程师 15:01:49&说法4)
电阻和电感并联后 会降低Q值的而出现失谐，会有改善噪声，但我不知道是什么机制。
---这是噪声匹配的原理，微波书上有讲的。 ||
nongfuxu离线LV3助理工程师积分：231|主题：4|帖子：63积分:231LV3助理工程师 15:05:21&说法5)
中性点经消弧线圈和串并联电阻接地是一种能有效抑制弧光过压的方法。通过对消弧线圈和串并联电阻在不同电感值和阻值情况下的仿真,根据消弧效果分析给出了电感与阻值的取值范围.
----&不符合本电路场合. ||
nongfuxu离线LV3助理工程师积分：231|主题：4|帖子：63积分:231LV3助理工程师 15:10:29倒数10&说法6)
----&不符合本场合. 那个为电桥的幅度与相位平衡. ||
nongfuxu离线LV3助理工程师积分：231|主题：4|帖子：63积分:231LV3助理工程师 10:10:27倒数7&不要沉了，自己抱抱． ||周挺巧离线LV7版主积分：12026|主题：16|帖子：4927积分:12026版主 19:28:17&一直都没搞明白这电阻的必要性
一般的说法是抑制LC自激振荡
现在的问题是；一、自激振荡的条件，是什么引发了自激振荡，振荡频率有多少。
二、振荡的幅度有多大？这种幅度对电路能带来多大危害？ ||
nongfuxu离线LV3助理工程师积分：231|主题：4|帖子：63积分:231LV3助理工程师 10:53:27&讨论:
1)无源的LC不会产生自激. 若产生振荡,一定是干扰信号带来的他激阻尼振荡.
2)从图中,可以明确知道L电感量和C电容量,以及输入阻抗,和输出阻抗. 因此振荡频率f = 多少是明确的.
3)那个幅度是多少,不知道从何处下手来计算它.以及衰减时间.
个人以为,若讨论的基本方向正确,那么那个幅度计算是关键,还等待高人出手求解了. ||nongfuxu离线LV3助理工程师积分：231|主题：4|帖子：63积分:231LV3助理工程师 10:57:00&若那个电阻必要,想靠它抑制振荡是不可能的, 降低振荡幅度,缩短振荡时间到是合理的解释. ||
nongfuxu离线LV3助理工程师积分：231|主题：4|帖子：63积分:231LV3助理工程师 12:23:50&想想自己也真的懒,仿真一下不就知道了嘛！
nongfuxu离线LV3助理工程师积分：231|主题：4|帖子：63积分:231LV3助理工程师 12:03:00&振荡被激发的起因估计
1)有些使用场合,输入的直流电压上叠加有许多过冲达20%的干扰脉冲波,这是一个起因.
2)另外一个起因,就是外部强干扰电磁场的存在. 比方说汽车上. ||
nongfuxu离线LV3助理工程师积分：231|主题：4|帖子：63积分:231LV3助理工程师 08:37:01倒数4&看来电感并联R有时候可以这样做的,目的是抑制LC谐振峰.
因此前提是第一电容C相对于后面的C足够小. ||
vermeerlee离线LV2本网技师积分：104|主题：1|帖子：2积分:104LV2本网技师最新回复 10:29:44倒数1&首先注意：
1、几个比较明确的确定的：两个电感的大小不同，两个电感不是共模。
2、首先分析稳态：纯正弦交流输入整流后，输出脉动直流；中间除直流有效值成分外有各次谐波；只要有交流成分，L1两端必然有压降，虽然C1已经吸收一部分；那么同样C2上就会产生不同的压降，但交流成分受到极大的抑制。因此稳态情况下，电阻R12上的电压和电流会是交变的。因此电阻具有消耗谐波能量的作用；
3、暂态的情况下：有多种：
1）、雷击浪涌：此时输入浪涌发挥作用，桥后的主要工作就是滤波了，然而干扰是大量的共模干扰，不能很好滤除，电阻R12稳态情况下消谐的进一步体现；
2）、瞬间输入：类似雷击（过电压的浪涌强度不高而已）；
3）、瞬间满载输入：电流瞬间变化很大，电流的输入通道以电阻为主，因此在电阻两端形成压降输入作为谐波处理，此时电阻的消谐作用在电感的激磁情况下也会增强，C1的作用钳制了激磁，而且驻澳目的就是此，因此此时电阻的存在是一种副作用；
4）、ESD：同样的情况适合3）。ESD不会放在桥后；
5）、瞬间断电：内部的谐波EMI在输出时受到R12的消耗；
1、对比电容串联电阻，同样的情况下放在最大的电感处，是最好的选择，就像小电容串电阻一样，保护无功元件效果具有异曲同工之妙。
2、电阻用消谐--不仅仅是强制阻尼消除震荡，稳态时还有谐波功率消耗，因此此处有增加功率因数的作用，但是却是以降低效率为代价； ||nongfuxu离线LV3助理工程师积分：231|主题：4|帖子：63积分:231LV3助理工程师 12:48:42&不要沉了，自己抱抱． ||
credible-w离线LV2本网技师积分：170|主题：6|帖子：79积分:170LV2本网技师 17:39:05倒数8&继续观注 ||
nongfuxu离线LV3助理工程师积分：231|主题：4|帖子：63积分:231LV3助理工程师 16:08:23倒数6&哪位大侠能解决这个电路到底是干什么用的?
难通真的只是一个让人蛋疼的鸡肋. ||
nongfuxu离线LV3助理工程师积分：231|主题：4|帖子：63积分:231LV3助理工程师 18:32:00倒数5&有没有哪位使用过这样电路的大侠啊.
看样子,年前大侠们都不愿出手解答了.
对这个蛋疼的电感并电阻,怎么办是好啊! ||
深山老妖离线LV7版主积分：1461|主题：9|帖子：449积分:1461版主 09:28:09倒数3&你自己几种说法中已经谈到。认为主要作用是：
1、ESD对输出端口放电，在输入为2线（L/N)时，ESD放电需要从输入端口入地，如果输入电感没有并联电阻（或PCB没有布置放电尖端），将形成大的感抗（频率较高），阻碍ESD泄放，会导致设备ESD不过。
2、雷击结束后，输入端电感可能会产生较高的感生电压，并联电阻有利于泄放。但是：通常防雷电路在输入电感前端，这个电感可以不并联电阻。 ||
nongfuxu离线LV3助理工程师积分：231|主题：4|帖子：63积分:231LV3助理工程师 08:49:13倒数2&这是我看到的最合理的解释!
----&提供ESD释放通道!!! ||
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-&-&-&非隔离单电感的5-40W内置MOS的LED恒流驱动方案
非隔离单电感的5-40W内置MOS的LED恒流驱动方案
LED照明驱动电源效率是限制光效的提升和整灯的散热器件成本的瓶颈之一，而非隔离驱动架构对比反激隔离驱动架构，具备效率高（超过90%）、输出电压高、BOM少成本低的优点。尤其是近期塑包铝、导热塑料等绝缘结构材料发展迅速的状况下，灯丝灯，球泡灯，PAR灯、日光灯等24W以下应用中非隔离方案逐渐占据主流，今后也将更多切入平板灯，吸顶灯等24W-40W功率段应用。
Chipown（芯朋微电子）在业内率先推出5-40W全功率段的单电感非隔离PN831X芯片系列，应用于Buck架构的超精简外围的驱动方案，特点是外围元件少、内置高压开关MOS和启动MOS、集成自供电技术、保护功能齐全（开路保护通过外部FB电阻设置，更精确），输出电流精度高（±3%），线电压调整可由外部电阻设置、可搭配填谷电路。
PN831X系列规格
●PNmA/5.4W球泡灯方案
图1 PNmA球泡灯方案原理图
电路图中R1和R3为FB分压电阻，可通过辅助绕组采样出的电压，等比例调节R1和R3可实现LED输出开环电压值， FB过电压保护点约为3V.无需外接高压启动电阻，AC90V输入下启动时间仍小于150ms.
方案特点：
1）单面板设计，双面元器件，面积：32mm*26mm；
2）全电压范围输出5.4W，可过CE
3）拥有精确输出开路（低于50V）、短路、过温保护，CS电阻开短路保护
4）输出效率：≥91%（115V，230V满载）；电流精度±3%
表PN8313输出电流测试数据
由上表可知，此方案在20V-35V负载范围内全电压输入时电流精度为±1.0%，表现相当突出。
●PNmA/13.2W LED驱动方案
图2 PNmA LED驱动方案原理图
方案特点：
1）双面板设计，双面元器件，面积：13mm*24mm；
2） 176V~264V电压范围输出15W，可过CE
3）拥有精确输出开路（低于200V）、短路、过温保护，CS电阻开短路保护
4）输出效率：≥92%（176V~264V满载）；电流精度±3%（200~264V）
5）BOM：16个，可过CE成本低
图3 PNmA LED驱动方案温升曲线及实物图
众所周知，对于尺寸只有13mm*24mm，一个一元硬币大小，温升才是应用过程中最关键的，而在176V输入满载80℃环温测试时，PN8315比竞争对手IC表面温度足足低了11.4℃之多！对于高温环境下的LED灯具而言温升低即等价于可靠性高。
●PNmA /22.4W LED驱动方案
方案特点：
1）单面板设计，单面元器件，面积：55mm*32mm；
2） 176V~264V电压范围输出22.4W，
3）拥有精确输出开路（低于150V）、短路、过温保护，CS电阻开短路保护
4）输出效率：≥93%（176V~264V满载）；电流精度±3%（176~264V）
5）BOM：18个，成本低，全插件，易产生
图4PNmA LED驱动方案原理图
LED开关恒流源在反复开关机下发生失效经常是因为开机瞬间是芯片承受冲击电应力最大时刻之一，如不采取合理措施容易发生IC击穿失效。PN831X系列IC均采用双模切换启动技术，在刚开机时采用超低固频能够在10ms内系统建立能量，然后转为准谐振调频模式，逐步放开PWM频率直到负载平衡，所以在瞬间启机或者异常短路重启时都能避免能量过冲从而大幅降低开关应力，同时还能保证200ms快速启动。下图是PN8316在AC264V输入条件下瞬间开机的波形图，黄色CH1为Drain波形，绿色CH2为VDD波形，可以看到AC264V开机瞬间功率MOS管的最高尖峰仅为388V，即芯片MOS典型耐压的70%.VDD的尖峰仅为17.3V，即芯片VDD电源端典型耐压的42%，余量充分，工作更安全。
图5PN8316在AC264V输入条件下瞬间开机的波形图
下表是输出LED开短路时的该方案输入端功率数值，说明系统将进入打嗝/锁定安全模式直到短路状态消除，能够做到比竞争产品的无法直接采样输出电压的保护机理要更加安全。
表8316在输出LED开短路时的输入端功率
表PN8316输出电流测试数据
由上表可知，此方案在满载84V 176V~264V输入时线性调整率为±0.14%.
图6 8316线性调整率
PN831X系列不带APFC功能，如有需要可增加填谷电路，PF值大于0.8；芯朋微电子也可提供隔离/非隔离全系列的APFC芯片供选择。
●PNmA/40W LED驱动方案
针对室内照明市场急需24~40日光灯/吸顶灯方案，PN8317可以在PN8316方案上通过加大输入电解电容C1（400V15uF），更改CS检测电阻R1（2.2R），FB电阻检测电阻R3（33K），输出电容C3（250V4.7uF），Buck电感T1（EE-16）即可将方案设计为170V240mA 41W的外驱方案。当然，之所以需要修改CS检测电阻是由于PN831X系列输出电流是由Io=0.5x0.5/Rcs此公式所决定，而Vovp=3.3x（FB上拉电阻/下拉电阻+1）则需要FB上拉电阻/下拉电阻比值加大。而且，修改后的PNmA 41W的AC176V~264V输入下满载效率已经高达95%.
图7 PNmA LED驱动方案原理图
目前平板灯，吸顶灯等24W~40W高功率段对内置MOS的导通电阻提出更高要求，而芯朋微在业内第一家推出的PN8317大功率41W单电感解决方案是不二选择。
综上所述，本文分析了使用PN831X系列芯片的非隔离单电感LED恒流源方案，分析了5-40W五款方案的各自特点、基本工作机理、主要参数性能和各种保护模式。文中同时介绍了PN831X系列芯片和市场竞争产品的技术差异特点，特别是保护功能更齐全、功率段覆盖更全面、外围元件较少。随着室内中小功率LED在灯体结构上逐渐采用塑包铝，高导热塑料等绝缘性能良好的材料，非隔离内置功率MOS架构在电源驱动上的应用将会占据主流。该PN831X系列单电感非隔离LED恒流源非常适用于球泡灯、筒灯、吸顶灯、日光灯等应用。
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