嵌入式-ARM-十五天学习记录（12）
NandFlash的接口
Nand的型号与命名
Nand的型号命名都有含义，就拿K9F2G08来示例分析
三星公司的NandFlash系列
表示Nand的大小是2Gbit（256MB）
表示Nand是8位的
Nand命令中可以看出：厂家、系列型号。容量大小、数据位数
Nand的数据位
Nand有8位数据位，有16位数据位。做电路时/写软件时根据自己实际采购的Nand的位数来设计电路/写软件
说明Nand是并行接口的（8/16位）
Nand的数据线上传递的不一定全部是有效数据，也可能有命令、地址等。
Nand的功能框图
Nand的结构可以看成是一个矩阵式存储器，其中被分成一个一个的小块，每一小块可以存储一个bit位，然后彼此以一定单位组合成整个Nand
Nand中可以被单次访问的最小单元（就是说对Nand进行读写至少要读写这么多，或者是这么多的整数倍）叫做Page（页），在K9G2G08，Page的大小是2KB+64B。也就是说我们要读写K9F2G08，每次至少要读写2KB或者n*2KB，即使我们只是想要其中的一个字节。这就是我们说的典型的块设备（现在有些块设备为了方便，提供了一种random
read 模式，可以只读取 1
个字节） 页往上还有个Block（块）的概念，1个块等于若干个页（譬如在K9F2G08中一个块等于64页）
块往上就是整个Nand芯片了，叫做Device。一个Device是若干个Block，譬如K9F2G08一个Device有2048个Block。所以整个Device大小为：
k = 256MB 块设备分Page、Block有什么意义？首先要明白，块设备不能完全按字节访问而必须块访问是物理上的限制，而不是人为设置的障碍，其次，Page和Block各有各的意义，譬如Nand中：Page是读写Nand的最小单位；Block是擦除Nand的最小单位。（这些规则都是Nand的物理原则和限制要求的，不是谁想要这样的，所以对于我们做软件的来说，只能想办法适应硬件，不是想着超越硬件）
Nand芯片中只要包含两部分:Nand存储颗粒——Nand接口电路。存储颗粒就是纯粹的Nand原理的存储单元类似与仓库；Nand接口电路是用来管理存储颗粒，并且给外界提供一个统一的Nand接口规格的访问接口的。
Nand中多个存储单元，每个单元都有自己的地址（地址精确到字节）。所以Nand是地址编排精确到字节，但是实际读写却只能精确到页（所以Nand的很多操作都要求给的地址是页对齐的，譬如2K、4K、512K等这样的地址，不能给3000B这样的地址）。Nand读写时地址传递是通过IO线发送的，因为地址有30位而IO只有八位，所以需要多个Cycle才能发送完毕。一般的Nand都是4cycle或者5cycle发送地址（从这里把Nand分为了4cycle
Nand 和5cycle Nand）
总结：Nand芯片内部存储空间，并且有电路来管理这存储空间，向外部提供统一的Nand接口的访问规则，然后外部的SoC可以直接模拟Nand接口来读写Nand芯片，但是实际上因为Nand接口对时序要求非常严格，而且时序很复杂，所以一般的SoC都是通过专用的硬件的Nand控制器（这些控制器一般是作为SoC的内部外设来存在的）来操控Nand芯片的。
NandFlash 的结构
Nand的单元组织：Block与page（大页Nand与小页Nand）
Nand的页和以前讲过的块设备（尤其是硬盘）扇区是类似的。扇区最早在磁盘中是512字节，后来也有些高级硬盘扇区不是512字节而是1024字节/2048字节/4096字节等。Nand也是一样，不同的Nand的页的大小是不同的，也有512字节/1024字节/2048字节/4096字节等
一个Block等于多少也是不定的，不用的Nand也不同。一个Nand芯片有多少block也是不定的，不同的Nand芯片也不同
总结：Nand的组织架构挺乱的，接口时序也不同，造成结构就是不同厂家的Nand芯片，或者在同一个厂家的不同系列型号存储容量的nand接口也不一样，所以nand有一个很大的问题就是一旦升级容量或者换芯片系列则硬件要重新做。软件要重新移植。
带内数据和带外数据（ECC与坏块标记）
Nand的每个页有两部分组成，这两部分各自都有一定的存储空间。譬如K9F2G08中位2K+64字节。其中2K字节属于带内数据，是我们真正的存储空间，将来存储在Nand中的有效数据就是存在这2K范围内的（我们平时计算nand的容量时也是只考虑着2KB）；64字节的带外数据不能用来存储有效数据，是作为别的附加用途的（譬如存储ECC数据、用来存储坏块标志等······）
什么是ECC：
（error correction code，错误校验码）。因为nand存储本身出错（位反转）概率高（nand较Nor最大的缺点就是稳定性），所以当我们将有效信息存储到Nand中时都会同时按照一定算法计算一个ECC信息（譬如CRC16等校验算法），将ECC信息同时存储到Nand这个页的带外数据区、然后等将来读取数据时，对数据用同样的算法再计算一次ECC，并且
和从带外数据区读出的ECC进行校验。如果校验通过则证明Nand等有效数据可信，如果校验不通过则证明这个数据已经损坏（只能丢弃或者尝试修复）
坏块标志：Nand芯片用一段时间后，可能某些块坏掉（这些块无法擦除了，或者无法读写了），nand的坏块非常类似与硬盘的坏道。坏块是不可避免的，而且随着Nand的使用坏块越来越多。当坏块还不算多时这个Nand都是可以用的，除非坏块太多了不划算使用了才会换新的。所以我们为了管理Nand发明了一种坏块标记机制。Nand的每个页的64字节的带外数据中，我们（一般是文件系统）定义一个固定位置（譬如定位第24字节）来标记这个块是好的还是坏的。文件系统在发现这个快已经损坏时会将这个块标记为坏块，以后访问nand是直接跳过这个块即可。
Nand的地址时序
nand的地址有多为，分为4/5周期通过IO引脚发送给Nand芯片来对Nand进行寻址。寻址的最小单位是字节，但是读写的最小单位是页
nand的地址在写代码时要按照Nand要求的时序和顺序去依次写入。
Nand的命令码
外部SoC要想通过Nand控制器来访问Nand（实质就是通过Nand接口），就必须按照Nand接口给nand发送命令、地址、数据等信息来读写Nand
Nand芯片内部的管理电路本身可以接受外部发送的命令，然后根据这些命令来读写内容与外部SoC交互。所以我们对nand进行的所有操作（擦除、读、写······）都要有命令、地址、数据的参与才能完成，而且必须按照Nand芯片规定的流程来做。
NandFlash的常见操作及流程分析
Flash使用之前先统一擦除（擦除单位是块）。Flash类设备擦除后里面全是1，所以擦干净后读出来的值是0xff。
检查坏块的思路就是：先块擦除，然后将整块读出来，依次检测各字节是否为0xff，如果是则表明不是坏块，如果不是则表明是坏块。
页写（program）操作
写之前确保这个页是被擦除干净的，如果不是擦除干净的（而是脏的、用过的）页，写进去的值就是错的，不是你想要的结果。
写操作（write）在flash的操作中就叫编程
写flash时通过命令线、IO线依次发送命令、写页地址、写数据等进入NandFlash
写的过程： SoC通过Nand控制器和Nand芯片完成顺序对接，然后按照时序要求将一页数据发给Nand芯片内部的接口电路。接口电路先接受收到自己的缓冲区，然后在集中写入Nand芯片的存储区域中。Nand接口电路将一页数据从缓冲区中写入Nand存储系统中需要一定的时间，这段时间Nand芯片不能再响应SoC发过来的其他命令，所以SoC要等待Nand接口电路忙完等待方法是SoC不断读取状态寄存器（这个状态寄存器有2种情况：一种是SoC的Nand控制器自带的，另一种是SoC通过发命令得到命令响应得到的），然后通过检查这个状态寄存器的状态寄存器就能知道Nand接口电路刚才写的那一页数据写完了没，写好了没。知道SoC收到正确的状态寄存器相应才能认为刚才要写的那一页数据已经ok，（如果SoC收到的状态一直不对，可以考虑重写或者认为这一页所在的块已经是坏块，或者整个Nand芯片已经挂掉了）
正常情况下到了第四步就已经完了。但是因为Nand的读写又不靠谱情况，因此我们为了安全会去做ECC校验。ECC校验有硬件式校验和软件式校验2种，
软件式校验可以采用的策略有很多，其中之一（Nand芯片手册上推荐的方式是）：将刚才写入的数据读出来，和写入的内容进行逐一对比。如果读出的和写入的完全一样，说明刚才的写入过程正确完成了
硬件式ECC：
SoC的Nand控制器可以提供硬件式ECC（这个也是普遍的情况）。硬件式ECC就是在Nand的控制器中有个硬件模块专门做ECC操作。当我们操作芯片时，只要按照SOC的要求按时打开ECC生成开关，则当我们写入芯片时SoC的Nand控制器的ECC模块会自动生成ECC数据放在相应的寄存器中，然后我们只需要将这生成的ECC数据写入Nand芯片的带外数据区即可；在将来读取这块Nand芯片时，同样要打开硬件ECC开关，然后开始读，在读的过程中硬件ECC会自动计算读进来的一页数据的ECC值并将之放到相应的寄存器中。然后我们再读取带外数据
擦除（erase）操作
擦除时必须给块对齐的地址。如果给了不对齐的地址，结果是不可知的（有些Nand芯片没关系，它内部会自动将其对齐，而有些Nand会返回地址错误）
读写的操作也应该给一个块对齐的地址
页读（read）操作
S5PV210的NandFlash控制器
SoC的Nand控制器的作用
Nand芯片本身通过Nand接口电路来存取数据，Nand接口电路和SoC之间通过Nand接口时序来通信。Nand接口时序相对复杂，如果要SoC完全用软件来实现Nand接口时序有一些不好（主要是：第一很难保证时序能满足、容易不稳定；第二代码很难写）。解决方案是：在SoC内部集成一个Nand控制器（实质就是一块硬件电路，这个硬件电路完全满足Nand接口时序的操作，然后将接口时序的操作寄存器化）。
SoC和Nand芯片之间通信，在SoC没有Nand控制器时需要SoC自己来处理接口时序，编程很麻烦。。需要程序员看Nand芯片的接口时序图，严格按照接口时序图中编程（尤其是要注意各个时间参数）；在SoC有Nand控制器时SoC只需要编程操控Nand控制器的寄存器即可，Nand控制器内部硬件会根据寄存器值来生成合适的Nand接口时序和Nand芯片通信。所以在有Nand控制器时编程要简单很多，我们读写Nand芯片时再也不用关注Nand接口时序了，只要关注SoC的Nand控制器的寄存器即可。
扩展来讲，现在的技术趋势就是：几乎所有的外设在SoC内部都有对应的控制器来与其通信，那么SoC内部集成的各种控制器（也就是各种内部外设）越多，则SoC硬件能完成的功能越多，将来用这个SoC来完成相应任务时软件编程越简单。譬如说图形处理和图像处理领域，2D图像编码（jpeg编码）、视频编码（h.364编码），现在大部分的application级别的SoC都有集成的内部编码器（像S5PV210就有、更复杂的譬如4418、6818就更不用说了，只会更多更先进），我们利用这些硬件编码器来进行快速编解码，这样软件工作量和难度降低很多（这就是所谓的硬件加速）
结构框图分析
结构框图中关键点：
SFR（我们后续编程的关键，编程时就是通过读写SFR来产生Nand接口时序以读写Nand芯片的）
+ Nand interface （硬件接口，将来和Nand芯片的相应引脚进行连接）+ECC生成器
S5PV210的Nand控制器的主要控制器
Nand操作代码解析
页读取函数
页写入函数
像NandFlash这类芯片，通过专用的接口时序和SoC内部的控制器相连（这种连接方式是非常普遍的，像LCD、DDR等都是类似的连接）这种接法和设计对我们来说，关键在于两点：SoC的控制器的寄存器理解和Nand芯片本身的文档。流程图等信息。
对于我们来说，学习NandFlash，要注意的是：
要结合数据手册、Nand芯片的数据手册、示例代码三者来理解
初学时不要尝试完全不参考自己写出Nand操作的代码，初学时应该是先理解示例代码，知道这些代码是怎么写出来的，必要时对照文档来理解代码。代码理解后去做实践，实践成功后以后再考虑自己不参考代码只参考文档来写出nand操作的代码。
iNand/eMMC/SDCard/MMCCard的关联
最早出现的是MMC卡，卡片式结构，按照MMC协议设计。（相较于NandFlash芯片来说，MMC卡有2个优势：第一是卡片化，便于拆装；第二是统一了协议接口，兼容性好。）
后来出现SD卡，兼容MMC协议。SD卡较MMC卡有一些改进，譬如写保护、速率、容量等
SD卡遵守SD协议，有多个版本。多个版本之间向前兼容。
iNand/eMMC在SD卡的基础上发展起来，较SD卡的区别就是将Sd卡芯片化了（解决卡的接触不良问题，便于设备迷你化）
iNand和eMMC的关联：eMMC是协议，iNand是sandisk公司符合eMMC协议的一种芯片系列名称
iNand/eMMC的结构框图及其与NandFlash的区别
iNand内部也是由存储系统和接口电路构成（和Nand结构特性类似，不同之处在于接口电路功能不同）。
iNand的接口电路挺复杂，功能很健全，譬如：
提供eMMC接口协议，和SoC的eMMC接口控制器通信对接。
提供块的ECC校验相关的逻辑，也就是说iNand本身自己完成存储系统的ECC功能，SoC使用iNand时自己不用写代码来进行ECC相关操作，大大简化可SoC的编程难度。（NandFlash分2种：SLC和MLC，SLC更稳定，但是容量小价格高；MLC容易出错，但是容量大价格低）
iNand芯片内部使用MLC
Nand颗粒，所以性价比高 iNand接口电路还提供了cache，所以iNand的操作速度很快。
iNand/eMMC的物理接口和SD卡物理接口的对比
在S5PV210芯片本身支持4通道的SD/MMC，在X210中实际是在SD/MMC0通道接了iNand芯片，而SD/MMC2接了SD卡（SD/MMC3也接了Sd卡）
对比iNand和SD卡接线，发现：这两个接线几乎是一样的，唯一的区别就是SD卡IO线有4根，而iNand的IO线有8根
这个告诉我们，我们实际操作iNand芯片时和操作SD卡时几乎是一样的（物理接线几乎一样）
结论：iNand/eMMC其实就是芯片化的SD/MMC卡，软件操作和SD卡相同。
分析iNand的操作代码时，其实就是以前的SD卡的操作代码，一些细节的区别就是为了区分各种不同版本的SD卡、iNand的细节差异。
SD卡/iNand操作
硬件接口： DATA、CLK、CMD
iNand的IO线有8根：支持1、4、8线并行传输模式；SD卡IO线有4根，支持1、4线并行传输模式
CMD线用来传输命令/CLK
线用来传输时钟信号 接口又CLK线，工作时主机SoC通过CLK线传输时钟信号给SD卡/iNand芯片，说明：SD/iNand是同步的，SD/iNand的工作速率是由主机给它的CLK频率决定的。
命令响应的操作模式
SD协议事先定义了很多标准命令（CMD0、CMD1······），每个命令都有它的作用进而使用条件和对应的响应。Sd卡工作的时候就是一个一个的命令周期组合起来，在一个命令周期中，主机先发送CMD给SD卡，然后SD卡解析这个命令并且执行这个命令，然后SD卡根据结果回发给主机SoC一个响应。（有些命令不需要响应的，这时SD卡不会给主机回发命令，主机也不用等待响应）。标准的命令+响应的周期中，主机发完一个命令后应该等待SD卡的响应而不是接着发下一条命令
SD/iNand的体系结构图
Sd卡内部有一个接口控制器，这个控制器类似于一个单片机，这个单片机的程序功能就是通过CMD线接受外部主机SOC发给SD卡的命令码，然后执行这个命令并且回发响应给主机SoC。这个单片机处理命令及回发响应遵循的就是SD协议。这个单片机同时可以控制SD卡内部的存储单元，可以读写存储单元
SD/iNand的寄存器（重点是RCA寄存器）
注意这里说的是Sd卡内部的寄存器，而不是主机SoC的SD控制器的寄存器。（很多外置芯片内部都是由寄存器的，这些寄存器可以按照一定的规则访问，访问这些寄存器可以得知芯片的一些信息）。
RCA（relative
address，相对地址寄存器）。我们在访问SD卡时，实际上SD卡内部每个存储单元的地址没有绝对数字，都是使用相对地址。相对地址由SD卡自己决定的，存放在RCA寄存器中。
SoC的SD/MMC/iNand控制器简介
不同的SoC可能在SD/MMC/iNand等支持方面有差异，但是如果支持都是通过内部提供SD控制器来支持的。
S5PV210的SD卡控制器在Section8.7部分。
SD/iNand代码实战分析1
命令码CMD和ACMD
SD卡工作在
命令+相应
的模式下 SD协议的命令分两种：
CMDx 和 ACMDx。CMD是单命令命令，就是单独发一个CMD即可表示一个意思。ACMD是一种扩展，就是发2个CMD加起来表示一个意思。可以认为ACMDx
= CMDy+ CDMz（y一般是55）
卡类型识别SD or MMC
MMC协议、SD协议、eMMC协议本身是一脉相承的，所以造成了一定的兼容性，所以我们SoC控制器工作时连接到SoC上的可能是一个MMC卡，也可能是SD卡。也可能是SD卡、也可能是iNand芯片。主机需要去识别这个卡到底是什么版本的卡
SoC如何区分卡种类？
因为不同版本的卡内部协议不同的，所以对卡识别命令的响应也是不同的。SoC通过发送一些命令、听取响应就可以根据不同的响应判定卡的版本
SD卡内部的接口控制器类似与一个单片机，这个单片机其实是一个状态机。所以SD卡任何时候都一种状态（空闲状态、准备好状态、出错状态·····都是事先定义好的），在这种状态下能够接受的命令是一定的，接受到命令之后执行一定的操作然后根据结果会跳转为其他状态。如果主机发过来的命令和当前状态不符状态机就不响应，如果收到命令和当前状态相符就会执行相应操作，执行完之后根据结果跳转为其他状态。
卡回复类型
一般来说，SD卡的命令都是属于：
命令+相应的模式。也有极少数的SD卡命令是不需要回复的。
卡回复有R1、R7、R1B等八种类型，每种卡类型都有自己的解析规则。然后卡在特定状态下响应特定命令时可能回复那种响应都是Sd协议事先规定好的，详细细节要查阅协议文档。
SD/iNand代码实战分析2
linux内核风格的寄存器定义
定义一个基地址，然后定义要访问的寄存器和基地址之间的偏移量，在最终访问寄存器时地址就等于基地址+偏移量。
提供的代码中宏定义是不完整的，很多宏定义只能从字面意思来理解对应，无法通过语法完全获得
Sd/iNand相关的GPIO初始化
GPG0相关的GPIO初始化，参考部分的设置技术
时钟设置参考裸机第六部分时钟哪一章，设置时使用到了位操作技巧，参考C高级第二部分
要求能够在两三分钟之内完全看懂这些代码涉及到的知识，只要能够在数据手册、原理图中找到相对应的点，要能够瞬间明白代码中涉及的C语言语法技巧，这样才叫融会贯通，才能从代码中学到东西
SD/iNand相关的时钟系统设置
SD/iNand的时钟设置
SD卡本身工作需要时钟，但是自己又没有发生单元，依靠主机SoC的控制器通过SD接口中的CLK线传一个时钟过来给SD卡内部使用，所以主机SD卡控制器先初始化好自己的时钟，然后自己的时钟传给SD卡。
因为此时刚开始和SD卡通信，主机不清楚SD卡属于哪个版本（高版本和低版本的SD卡的读写速率不同，高版本的可以工作在低版本的速率下，低版本的SD卡不能工作在高版本速率下），所以先给SD卡发400KHz的低速率时钟，SD卡拿到这个时钟后就能工作了。然后在后面和Sd卡进行进一步通信去识别SD卡的版本号，识别后再根据SD卡的版本进一步给它更合适的时钟。
SD/iNand代码实战分析3
命令发送函数解析
卡类型识别操作时序及代码分析
卡读写时序及代码分析
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本帖子已过去太久远了，不再提供回复功能。iNAND EMMC制作成U盘（拆机iNAND） - 第2页 - 电子方案论坛 -
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iNAND EMMC制作成U盘（拆机iNAND）
14:00:17　　
手里有几片从废旧的手机上拆下来的iNAND芯片，废物利用做成大容量的U盘。
读写速度也还可以。
供U盘发烧者鉴赏！！
iNAND and MicroSD 1.jpg (47.09 KB, 下载次数: 5)
13:49 上传
iNAND-1.jpg (48.3 KB, 下载次数: 4)
13:49 上传
iNAND-2.jpg (50.69 KB, 下载次数: 4)
13:49 上传
SanDisk 16G ATTO.JPG (49.86 KB, 下载次数: 4)
13:59 上传
14:01:51　　
SanDisk SDIN4C2-16G 的芯片
13:07:33　　
PCB在线计价下单
板子大小：
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PCB 在线计价
谢谢分享...
13:13:30　　
PCB在哪里买的
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能指点一二吗？
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PCB在哪里买的
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Powered by1.1. General DescriptioniNAND is an Embedded Flash Drive (EFD) designed for mobile handsets and consumer electronic devices. iNAND is a hybrid device combining an embedded thin flash controller and standard MLC NAND flash memory, with an industry standard e.MMC 4.411 interface.Empowered with a new e.MMC4.41 feature set such as Boot and RPMB partitions, HPI (implemented on MLC products only), and HW Reset the iNAND e.MMC is the optimal device for reliable code and data storage.Designed specifically for mobile multimedia applications, iNAND is the most mature on board SD/MMC device since 2005, providing mass storage of up to 64GB in JEDEC compatible form factors, with low power consumption and high performance – an ideal solution for multimedia handsets of 2.5G, 3G, 3.5G and 4G.In addition to the high reliability and high system performance offered by the current iNAND family of products, iNAND offers plug-and-play integration and support for multiple NAND technology transitions, as well as features such as advanced power management scheme.iNAND uses advanced Multi-Level Cell (MLC) NAND flash technology, enhanced by SanDisk‟s embedded flash management software running as firmware on the flash controller.iNAND architecture and embedded firmware fully emulates a hard disk to the host processor, enabling read/write operations that are identical to a standard, sector-based hard drive. In addition, SanDisk firmware employs patented methods, such as virtual mapping, dynamic and static wear-leveling, and automatic block management to ensure high data reliability and maximize flash life expectancy.SanDisk iNAND provides up to 64GB of memory for use in mass storage applications. In addition to the mass-storage-specific flash memory chip, iNAND includes an intelligent controller, which manages interface protocols, data storage and retrieval, error correction code (ECC) algorithms, defect handling and diagnostics, power management and clock control.iNAND enables multimedia driven applications such as music, photo, video, TV, GPS, games, email, office and other applications.The breakthrough in performance and design makes iNAND the ideal solution for mobile handset vendors, portable navigation and Automotive Infotainment vendors who require easy integration, fast time to market and high-capacity.1.2. Plug-and-Play IntegrationiNAND optimized architecture eliminates the need for complicated software integration and testing processes and enables a practically plug-and-play integration in the system. The replacement of one iNAND device with another of a newer generation requires virtually no changes to the host. This makes iNAND the perfect solution for platforms and reference designs, as it allows for the utilization of more advanced NAND Flash technology with minimal integration or qualification efforts.SanDisk iNAND is well-suited to meet the needs of small, low power, electronic devices. With JEDEC form factors measuring 12mm x 16mm (169 balls), and 11.5x13mm (153 balls) compatible with 0.5mm ball pitch, iNAND is fit for a wide variety of portable devices such as multi-media mobile handsets, personal media players, GPS devices and Automotive infotainment (car multimedia and car navigation).To support this wide range of applications, iNAND is offered with an MMC/SD Interface.The MMC interface allows for easy integration into any design, regardless of the host (chipset) type used. All device and interface configuration data (such as maximum frequency and device identification) are stored on the device.Figure 1 shows a block diagram of the SanDisk iNAND with MMC Interface.1.3. Feature OverviewSanDisk iNAND, with MMC interface, features include the following: Memory controller and NAND flash Complies with e.MMC Specification Ver. 4.412 Mechanical design complies with JEDED MO-276C Specification Offered in five TFBGA packages of e.MMC 4.413o 11.5mm x 13mm x 1.0mm (2GB, 4GB,8GB)o 11.5mm x 13mm x 1.2mm (16GB)o 12mm x 16mm x 1.0mm (8GB,16GB)o 12mm x 16mm x 1.2mm (32GB)o 12mm x 16mm x 1.4mm (64GB)· Operating temperature range: –25C° to +85C°
 Dual power system Core voltage (VCC) 2.7-3.6v I/O (VCCQ) voltage, either: 1.7-1.95v or 2.7-3.6v Up to 64GB of data storage. Supports three data bus widths: 1bit (default), 4bit, 8bit. Variable clock frequencies of 0-20 MHz, 0-26 MHz (default), 0-52 MHz (high-speed) Up to 104 MB/sec bus transfer rate, using 8 parallel data lines at 52 MHz, DDR Mode Correction of memory field errors Designed for portable and stationary applications that require high performance and reliable data storage
CapacitySDIN5D1-2G-LSDIN5D2-4G-LSDIN5D2-8G-LSDIN5C2-8G-LSDIN5D2-16G-LSDIN5C2-16G-LSDIN5C2-32G-LSDIN5C2-64G-LSDIN5D1-4G-LSDIN5D1-8G-LSDIN5C1-8G-LSDIN5C1-16G-LSDIN5D1-16G-LSDIN5C1-32G-LSDIN5C1-64G-L
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是我孤陋寡闻啊。这个inand 其实就是emmc 的一种啊。看这篇文章扫盲一下
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iNAND是SanDisk公司研发的存储芯片，可以简单的看成SD卡或MMC卡芯片化。用户完全可以默认他是SD卡或者MMC卡。& & 相对MLC，iNAND有以下优点：
1、提高性能
1）减少SOC的工作量，节约SOC资源。如果使用MLC做存储，SOC要参与FLASH的坏块管理、ECC校正等管理，会牺牲部分SOC性能，而使用iNAND的话，FLASH的管理工作都有iNAND完成，SOC只在需要时对iNAND进行读写，其他时候完全可以不需要理会iNAND。
2）读写速度快
（1）iNAND内置Cache模块，如果要存储小于4K的小容量文件时，Cache能够帮助用户将速度提高至MLC的10倍左右，并且Cache模块不需要用户控制，只要存储小容量文件，Cache自动启动，非常方便。
（2）iNAND可以将内置的MLC FLASH模拟成为为SLC，是iNAND具有SLC的读写速度及其他性能，从而提高读写速度。
3）产品更可靠稳定iNAND内置掉电保护、Wear leveling等SANDISK专利技术，可以帮助客户提高FLASH的读写寿& && &&&命，以及防止系统忽然掉电损坏系统文件，降低产品返修率。
2、降低系统成本& &&&
首先因为iNANDZ中选用的FLASH一般都是市场上最新、最先进制程的FLASH，所以iNAND具有一定的价格优势。& && &
其次，iNAND不同容量的封装一致，客户如果某款机型有不同容量的几个型号，那么它PCB只需要做一套即可，可以帮助客户简化工作、提高效率，比如苹果iPHONE有8G、16G等容量产品，他的PCB只需要一套，生产时候贴上对用的iNAND即可。
3、方便采购& && &&&
采购iNAND时候只需要注意使用的容量，不需要管制程、架构。而很多CPU对普通NAND FLASH不是完全兼容，假如某款CPU最多支持51nm制程的FLASH，如果FLASH厂家产品升级，该客户就可能遇到采购困难等问题，而且市场上也有三星、现代、美 光等公司的产品，他们都是完全遵照JEDEC委员会的标准，产品完全兼容。& &
4、使用简单，加快贵司产品研发进度
1）对软件工程师而言，FLASH制程改变，其对应驱动也需要随之变化，其程序移植、代码升级都要重新调试，而iNAND的产品驱动完全一样，一次调试成功就无后顾之忧；
2）对应硬件工程师也可能会因为新FLASH要重新布板，增加工作强度，而iNAND不管多大容量，封装都一样，如果贵司产品容量升级，可以直接在原先的PCB上换上更高容量的iNAND即可。
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eMMC (Embedded MultiMediaCard) 为MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格，主要是针对手机产品为主。eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器，它提供标准接口并管理闪存，使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产品的时间。这些特点对于希望通过缩小光刻尺寸和降低成本的NAND供应商来说，具有同样的重要性。
eMMC目前是最当红的移动设备本地存储解决方案，目的在于简化手机存储器的设计，由于NAND Flash芯片的不同厂牌包括三星、KingMax、东芝(Toshiba)或海力士(Hynix)、美光(Micron)等，入时，都需要根据每家公司的产品和技术特性来重新设计，过去并没有哪个技术能够通用所有厂牌的NAND Flash芯片。
而每次NAND Flash制程技术改朝换代，包括70纳米演进至50纳米，再演进至40纳米或30纳米制程技术，手机客户也都要重新设计，但半导体产品每1年制程技术都会推陈出新，存储器问题也拖累手机新机种推出的速度，因此像eMMC这种把所有存储器和管理NAND Flash的控制芯片都包在1颗MCP上的概念，逐渐风行起来。
eMMC的设计概念，就是为了简化手机内存储器的使用，将NAND Flash芯片和控制芯片设计成1颗MCP芯片，手机客户只需要采购eMMC芯片，放进新手机中，不需处理其它繁复的NAND Flash兼容性和管理问题，最大优点是缩短新产品的上市周期和研发成本，加速产品的推陈出新速度。
eMMC 结构由一个嵌入式存储解决方案组成，带有MMC （多媒体卡）接口、快闪存储器设备及主控制器—— 所有在一个小型的BGA 封装。接口速度高达每秒52MB，eMMC具有快速、可升级的性能。同时其接口电压可以是1.8v 或者是3.3v。
eMMC现在的目标应用是对存储容量有较高要求的消费电子产品。今年已大量生产的一些热门产品，如Palm Pre、Amazon Kindle II和Flip MinoHD，便采用了eMMC。为了确认这些产品究竟使用了哪类存储器，iSuppli利用拆机分析业务对它们进行了拆解，发现eMMC身在其中。
eMMC规格的标准逐渐从eMMC4.3世代发展到eMMC4.4世代，eMMC4.5即将问世。 未来其他像更进一步的MCP产品也会把Mobile RAM一起包进去，因此要打内嵌式内存之战，也是要看各家内存资源和技术的齐全度。
但以台系内存模块厂而言，目前还在寻找商机的切入点，除非找到愿意全面支持的内存大厂，否则未来可能只能做大陆山寨手机市场。
MMC协会是一个开放标准组织，致力于多媒体存储卡（MMC）物理层、功能和接口规范的制定。类似邮票大小的MMC是一种可移动抽取的内存卡，主要应用在手机、数码相机和其它便携消费电子产品中。尽管MMC协会主要关注可移动抽取的内存卡，但是它也支持MMC接口标准在其它嵌入式设备或者可移动抽取式部件或子系统中的应用，如硬盘驱动器 。
于1998年成立的MMCA协会为内存卡厂商、半导体零部件供应商、软件厂商、移动电子设备制造商提供了一个全球性的论坛，加盟这一协会的厂商将携手推动MMC卡和MMC标准在全球的应用。
MMC协会董事会成员:
Lexar媒体公司
Micron科技
Power Digital Card
Silicon Motion
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五彩晶圆（中级）, 积分 3732, 距离下一级还需 2268 积分
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从上面可以看出，Inand 和emmc 的关系式什么了
就是inand 式sandisk 公司做的一款符合emmc 标准的一个emmc 存储器！
鄙视我一下。
开始我以为还是两种东西。
呵呵 楼主这么快能找到答案 挺棒了&
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回复 5楼 Wince.Android 的帖子
呵呵 楼主这么快能找到答案 挺棒了
2017，加油！继续为中国电子行业做出小小的贡献吧！
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