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用万用表检测MOS开关管好坏的方法
& 在电脑或显卡上有不少MOS管，MOS坏了，电脑或显卡就不能工作了，这就需要利用万用表检测MOS开关管好坏，那怎样用万用表检测MOS管呢？
一、MOS开关管针脚判断：
&&&& 在电脑上，MOS管都是N沟道增强型的MOSFET开关管，大部分都采用TO－220F封装，其针脚判断方法是：将针脚向下，印有型号的面向自己，左边的是栅极，中间是漏极，右边是源极。
二、万用表的选择：
&&&&&&&&测试MOS好坏只能用指针式万用表才方便点，测试时选择欧姆R×10K档，这时电压可达10.5V，红笔是负电位，黑笔是正电位。
三、测试步骤：
&&&&&& MOS管的检测主要是判断MOS管漏电、短路、断路、放大。其步骤如下：
&&&&&& 1、把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无穷大。如果有阻值没被测MOS管有漏电现象。
&&&&&& 2、用一只100KΩ－200KΩ的电阻连在栅极和漏极上，然后把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，这时表针指示的值一般是0，这时是下电荷通过这个电阻对MOS管的栅极充电，产生栅极电场，由于电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通，故万用表指针偏转，偏转的角度大，放电性越好。
&&&&&& 3、把连接栅极和源极的电阻移开，万用表红黑笔不变，如果移开电阻后表针慢慢逐步退回到高阻或无穷大，则MOS管漏电，不变则完好。
&&&&&& 4、然后一根导线把MOS管的栅极和源极连接起来，如果指针立即返回无穷大，则MOS完好。
指针式万用表可不多见了，用数字表也可试一试
不常用，学学指点。
实践中的总结，学习了，谢谢楼主。
嘿嘿这种东西还是不要测的吧。
再者，找一个mos管比找一个机械的万用表方便多了。
貌似电容更容易坏，MOS管坏了，那么多还得一个个查。
、万用表的选择：
&&&&&&&&测试MOS好坏只能用指针式万用表才方便点，测试时选择欧姆R×10K档，这时电压可达10.5V， & & & & & & &请解释下这句话的意思 欧姆档测量，能测出电压来，真不愧是是高手 ，你真是个天才。小弟佩服佩服。
回复下，下次要用还可以查阅
学习了，谢谢
学习了，谢谢
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Copyright (C) 《电子产品世界》杂志社 版权所有一、MOS管驱动电路综述
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。
1、MOS管种类和结构
MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被**成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。
对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易**。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于**工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。
在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
2、MOS管导通特性
导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
3、MOS开关管损失
不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。
4、MOS管驱动
跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时 栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该 选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里，但在12V汽车电子系统里，一般4V导通就够用了。
MOS管的驱动电路及其损失，可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。讲述得很详细，所以不打算多写了。
5、MOS管应用电路
MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。
二、现在的MOS驱动，有几个特别的应用
1、低压应用
当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。
同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。
2、宽电压应用
输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。
为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。
同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。
3、双电压应用
在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。
这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。
在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成的MOS驱动IC，似乎也没有包含gate电压限制的结构。
三、相对通用的电路
电路图如下：
图1 用于NMOS的驱动电路
图2 用于PMOS的驱动电路
这里只针对NMOS驱动电路做一个简单分析：
Vl和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl不应该超过Vh。
Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。
R2和R3提供了PWM电压基准，通过改变这个基准，可以让电路工作在PWM信号波形比较陡直的位置。
Q3和Q4用来提供驱动电流，由于导通的时候，Q3和Q4相对Vh和GND最低都只有一个Vce的压降，这个压降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。
R5和R6是反馈电阻，用于对gate电压进行采样，采样后的电压通过Q5对Q1和Q2的基极产生一个强烈的负反馈，从而把gate电压限制在一个有限的数值。这个数值可以通过R5和R6来调节。
最后，R1提供了对Q3和Q4的基极电流限制，R4提供了对MOS管的gate电流限制，也就是Q3和Q4的Ice的限制。必要的时候可以在R4上面并联加速电容。
这个电路提供了如下的特性：
1，用低端电压和PWM驱动高端MOS管。
2，用小幅度的PWM信号驱动高gate电压需求的MOS管。
3，gate电压的峰值限制
4，输入和输出的电流限制
5，通过使用合适的电阻，可以达到很低的功耗。
6，PWM信号反相。NMOS并不需要这个特性，可以通过前置一个反相器来解决。
在设计便携式设备和无线产品时，提高产品性能、延长电池工作时间是设计人员需要面对的两个问题。DC-DC转换器具有效率高、输出电流大、静态电流小等优点，非常适用于为便携式设备供电。目前DC-DC转换器设计技术发展主要趋势有：
（1）高频化技术：随着开关频率的提高，开关变换器的体积也随之减小，功率密度也得到大幅提升，动态响应得到改善。小功率DC-DC转换器的开关频率将上升到兆赫级。
（2）低输出电压技术：随着半导体**技术的不断发展，微处理器和便携式电子设备的工作电压越来越低，这就要求未来的DC-DC变换器能够提供低输出电压以适应微处理器和便携式电子设备的要求。
这些技术的发展对电源芯片电路的设计提出了更高的要求。首先，随着开关频率的不断提高，对于开关元件的性能提出了很高的要求，同时必须具有相应的开关元件 驱动电路以保证开关元件在高达兆赫级的开关频率下正常工作。其次，对于电池供电的便携式电子设备来说，电路的工作电压低（以锂电池为例，工作电压 2.5～3.6V），因此，电源芯片的工作电压较低。
MOS管具有很低的导通电阻，消耗能量较低，在目前流行的高效DC－DC芯片中多采用MOS管作为功率开关。但是由于MOS管的寄生电容大，一般情况下NMOS开关管的栅极电容高达几十皮法。这对于设计高工作频率DC－DC转换器开关管驱动电路的设计提出了更高的要求。
在低电压ULSI设计中有多种CMOS、BiCMOS采用自举升压结构的逻辑电路和作为大容性负载的驱动电路。这些电路能够在低于1V电压供电条件下正常 工作，并且能够在负载电容1～2pF的条件下工作频率能够达到几十兆甚至上百兆赫兹。本文正是采用了自举升压电路，设计了一种具有大负载电容驱动能力的， 适合于低电压、高开关频率升压型DC－DC转换器的驱动电路。电路基于Samsung AHP615 BiCMOS工艺设计并经过Hspice仿真验证，在供电电压1.5V ，负载电容为60pF时，工作频率能够达到5MHz以上。
自举升压电路
。。。。。。
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　　3、MOS场效应管由于输人阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放人塑料盒子内，保存时最好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。
　　4、为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源极；在连入电路之前，管的全部引线端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉；从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等；当然，如果能采用先进的气热型电烙铁，焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全；在未关断电源时，绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。
　　5、在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸５毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳定可靠地工作。总之，确保场效应管安全使用，要注意的事项是多种多样，采取的安全措施也是各种各样，广大的专业技术人员，特别是广大的电子爱好者，都要根据自己的实际情况出发，采取切实可行的办法，安全有效地用好场效应管。
　　三、VMOS场效应管
　　VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。
　　它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（0.1μA左右），还具有耐压高（最高1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。
　　正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。
　　VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等优点，尤其是其具有负的电流温度系数，即在栅-源电压不变的情况下，导通电流会随管温升高而减小，故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象。
　　因此，VMOS管的并联得到广泛应用。
　　众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，从图1上可以看出其两大结构特点：
　　第一，金属栅极采用V型槽结构；
　　第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。
　　电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。
　　国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。
　　下面介绍检测VMOS管的方法。
　　1、判定栅极G
　　将万用表拨至R×1K档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。
　　2、判定源极S、漏极D
　　由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。
　　用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。
　　3、测量漏-源通态电阻RDS(on)
　　将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。
　　由于测试条件不同，测出的RDS(on)值比手册中给出的典型值要高一些。
　　例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS(on)=3.2W，大于0.58W（典型值）。
　　四、检查跨导（Gfs）
　　线性压控电流源的性质可表示为方程&I=gV&，其中g是常数系数。系数g称作跨导（或转移电导），具有与电导相同的单位。这个电路单元通常指放大器。
　　在MOS管中，用GFS表示跨导。跨导的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。在转移特性曲线上，跨导为曲线的斜率。
　　将万用表置于R×1K（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
　　注意事项：
　　1、VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。
　　2、有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。
　　3、目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。
　　4、现在市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
　　5、使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W。
　　6、多管并联后，由于极间电容和分布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。
　　对于一只型号标示不清或无标志的三极管，要想分辨出它们的三个电极，也可用万用表测试。先将万用表量程开关拨在R×100或R×1K电阻挡上。红表笔任意接触三极管的一个电极，黑表笔依次接触另外两个电极，分别测量它们之间的电阻值，若测出均为几百欧低电阻时，则红表笔接触的电极为基极b，此管为PNP管。若测出均为几十至上百千欧的高电阻时，则红表笔接触的电极也为基极b，此管为NPN管。在判别出管型和基极b的基础上，利用三极管正向电流放大系数比反向电流放大系数大的原理确定集电极。任意假定一个电极为c极，另一个电极为e极。将万用表量程开关拨在R×1K电阻挡上。对于：PNP管，令红表笔接c极，黑表笔接e极，再用手同时捏一下管子的b、c极，但不能使b、c两极直接相碰，测出某一阻值。然后两表笔对调进行第二次测量，将两次测的电阻相比较，对于：PNP型管，阻值小的一次，红表笔所接的电极为集电极。对于NPN型管阻值小的一次，黑表笔所接的电极为集电极！
　　一般是把MOS管拆下后，用黑笔接D极，红笔扫S极，阻值在520左右，然后用红笔碰一下G，再量S，为短路，这时，再用表笔短接一下G、S，再测D、S，阻值恢复为520。大家可以自己试一试。试过你的方法，不错，可避免部分因短接而误认损坏的楼上的这位大师的方法真是经典啊，打印出来贴在工作台上，随时备用。
　　MOS管是主板电源用的功率管，耗热大，CPU、主板超频工作时主板的电流比正常时大多了，电源的MOS管自然耗热更大，超频爱好者就加散热片来给MOS管降温。使用万用表二极管导通档，从左至右一般都是GDS排列，量最右边管脚S到中间脚D是否正向导通，但不短路，量左边脚G与右边脚S是否相互不导通，如此则为好的N-MOS。
　　MOS管的测试方法
　　在测量晶体三极管或二极管时，一般是采用普通的万用表来判断其好坏，虽然对所判断的三极管或二极管的电气参数无法确认，但是只要方法正确对于确认晶体三极管的好与坏还是没有问题的。
　　同样MOS管也可以用万用表来判断其妤与坏，从一般的维修来说，也可以满足需求了。测试必须采用指针式万用表（数字表是不适宜测量半导体器件的）。
　　对于功率型MOSFET开关管都属N沟道增强型，各生产厂的产品也几乎都采用相同的TO-220F封装形式（指用于开关电源就是通过电路控制开关管进行高速的开通与截止。
　　将直流电转化为高频率的交流电提供给变压器进行变压，从而产生所需要的一组或多组电压开关电源中功率为50W～2OOW的场效应开关管），其三个电极排列也一致，即：
　　将三只引脚向下，打印型号面向自己，左侧引脚为栅极，右测引脚为源极，中间引脚为漏极，如图1所示。
　　1、万用表及相关的准备
　　首先应会使用万用表，特别是欧姆挡的应用，要了解欧姆挡才会正确应用欧姆挡来测量晶体三极管及MOS管。
　　对于半导体器件的测量，所用万用表的欧姆挡的欧姆中心刻度不能太大，最好小于12Ω（500型表为12Ω），这样在Rx1挡可以有较大的电流，对于PN结的正向特性判断比较准确。万用表Rx1Ok挡内部的电池最好大于9V，这样在测量PN结反相漏电流时比较准确，否则漏电也测不出来。
　　现在由于生产工艺的进步，出厂的筛选、检测都很严格，我们一般只判断MOS管不漏电、不击穿短路、内部不断路、能放大就可以了，方法极为简单：用万用表Rx1Ok挡，Rx1Ok挡内部的电池一般是9V加1.5V达到10.5V，这个电压一般判断PN结点反向漏电是够了，万用表的红表笔是负电位（接内部电池的负极），万用表的黑表笔是正电位（接内部电池的正极），如图1所示。
　　2、测试步骤
　　把红表笔接到MOS管的源极S，把黑表笔接到MOS管的漏极D，此时表针指示应该为无穷大，如图中所示。如果有阻值指示，说明被测管有漏电现象，此管不能用。
　　保持上述状态，此时用一只100KΩ～200kΩ电阻连接于栅极和源极，如图2所示，这时表针指示阻值应该越小越好，一般能指示到OΩ，这时是正电荷通过1OOKΩ电阻对MOS管的栅极充电，产生栅极电场，由于电场产生导致导电沟道致使漏极和源极导通，所以万用表指针偏转，偏转的角度大（阻值指示指数小），证明放电性能好。
　　此时在中上图的状态，再把连接的电阻移开，这时万用表的指针仍然应该是MOS管导通的指数不变。如中下图所示。虽然移开电阻，但是因为电阻对栅极所充的电荷并没有消失，栅极电场继续维持，内部导电沟道仍然保持，这就是绝缘栅型MOS管的特点。如果移开电阻表针会慢慢逐步的退回到高阻甚至退回到无穷大，这时应考虑该被测管栅极漏电。
　　这时用一根导线，连接被测管的栅极和源极，万用表的指针立即返回到无穷大，如图2所示。导线的连接使被测MOS管，栅极电荷释放，内部电场消失，导电沟道也消失，所以漏极和源极之间电阻又变成无穷大。
　　以上的测量是针对N沟道MOS管的测量方法，如果是P沟道的MOS管只需把万用表的红、黑表笔调换一下，其他一样。
　　以上的测试足以证明一只开关MOS管的好坏，如要进一步确认MOS管的各项参数，须借助专门的仪器。
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　　MOSFET-场效应管-品牌大汇结
　　这里有你所知道或不知道,正在使用或将会使用到的MOSFET品牌,一起来看看吧:
　　IR(美国-国际整流器公司)：老牌劲旅，业界霸主，贵且缺着，但还是要用
　　ST(意法半导体公司)：性价比不错的老牌子
　　FSC(美国仙童)：MOS逐渐谈去，期待IGBT
　　Infineon(美国英飞凌半导体)：COOLMOS痛并快乐着，贵有贵的道理
　　ON(美国安森美半导体)：痛.....还是痛
　　ROHM(日本罗姆半导体)：你用得多吗？
　　TOSHIBA(日本东芝半导体)：日系厂商的首选，型号有点乱
　　NXP(荷兰恩智浦半导体)：老牌之家，不用推广
　　AOS(美国万代半导体)：低压小电流的首选
　　Microsemi(美高森美半导体)：想做大，但无力
　　Magnachip(韩国美格纳半导体)：后起之秀，目标是仙童
　　Maplesemi(韩国美普森半导体)：晶圆提供商，起步太慢了
　　Renesas(日本瑞萨电子)：NEC的2SC，用的人还蛮多
　　AUK(韩国光电子公司)：无晶圆无封装的FSC
　　UTC(台湾友顺)：想大小通吃，却又力不从心
　　APEC(台湾富鼎先进)：低压为主
　　ANPEC(台湾茂达)：低压为主
　　WISDOM(M韩国威士顿)：无晶圆
　　Semihow(韩国司米浩)：无晶圆
　　SemiWell(韩国西门威)：无晶圆
　　Truesemi(韩国信安)：无晶圆
　　CET(台湾华瑞股份公司)：台系中的精品
　　SINO(吉林华微)：7A以下性价比不错
　　HUAJING(无锡华润华晶)：7A以下性价比不错
　　SL(Silan杭州士兰微电子)：7A以下性价比不错
　　SAMWIN(深圳南方芯源)：广告做的比产品好
　　Dongguang(江苏东光微电子)：谁用谁知道
　　Ruichips(深圳锐骏)：低压大电流，IR的抄版，广告满天飞，服务很垃圾
　　SANKEN(日本三肯半导体)：渐渐死去的元老
　　IXYS(德国艾赛斯)：军品级，一般人用不起、也买不到
　　BYD(深圳比亚迪)：没有他的汽车卖的好，没十年起不来
　　VISHAY(威世半导体)：一直在沉沦，上了IR的当
　　通过这个总结可以看出：
　　1、很多MOS的厂家都把仙童列为对手，都以他为标准来抄版
　　2、内行看门道，日系厂家仍然占去了很大市场份额，抵制日货的气氛下，滋生了很多韩国的品牌，而且相当一部分品牌你从来没听说过，一夜之间冒出来的，这些韩国品牌其实也是日本厂家走的曲线救国之路，换汤不换药而已
　　3、国产本土品牌缺乏实力，市场份额不到5%，高端MOS器件几乎为零
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